公开(公告)号：US5983667A

公开(公告)日：1999-11-16

申请号：US962545

申请日：1997-10-31

申请人： Mary Louise Markowski ,  Thomas John Bergman, Jr. ,  James Philip Natwora, Jr. ,  John Keller Howell ,  David Richard Thompson

发明人： Mary Louise Markowski ,  Thomas John Bergman, Jr. ,  James Philip Natwora, Jr. ,  John Keller Howell ,  David Richard Thompson

IPC分类号： B01D53/04 ,  B01D53/75 ,  B01J20/06 ,  B01J20/08 ,  C01B21/04 ,  F25J3/08 ,  F25J1/00

CPC分类号： B01D53/04 ,  B01D53/0462 ,  B01D53/75 ,  B01J20/06 ,  F25J3/0426 ,  F25J3/04636 ,  B01D2253/108 ,  B01D2253/1124 ,  B01D2253/25 ,  B01D2256/10 ,  B01D2257/104 ,  B01D2257/108 ,  B01D2257/502 ,  B01D2257/504 ,  B01D2257/7022 ,  B01D2257/7025 ,  B01D2257/80 ,  B01D2259/40001 ,  B01D2259/40009 ,  B01D2259/40052 ,  B01D2259/4009 ,  B01D2259/402 ,  B01D2259/416 ,  B01D53/053 ,  B01D53/261 ,  F25J2200/02 ,  F25J2200/72 ,  F25J2205/60 ,  F25J2205/82 ,  F25J2205/84 ,  F25J2210/42 ,  F25J2215/44 ,  F25J2220/44 ,  F25J2245/42 ,  Y02C10/08 ,  Y02C20/20 ,  Y10S62/908 ,  Y10S62/909

摘要： A process for further purification of nitrogen gas, thereby producing ultra-high purity nitrogen which is substantially free of hydrogen, oxygen and carbon monoxide, wherein the nitrogen gas is contacted with a metal-containing adsorbent at a temperature of 150 K. or less.

摘要翻译： 用于进一步纯化氮气的方法，从而产生基本上不含氢，氧和一氧化碳的超高纯度氮，其中氮气在含有金属的吸附剂中在150K或更低的温度下接触。

公开(公告)号：US20120029219A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13012044

申请日：2011-01-24

申请人： Scott Houston Meiere ,  James Philip Natwora, JR.

发明人： Scott Houston Meiere ,  James Philip Natwora, JR.

IPC分类号： C07F7/00

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C01G27/04 ,  C01P2006/80 ,  C07F7/003 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4402 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/125 ,  C23C18/1291 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

摘要： This invention relates to hafnium-containing compositions having a zirconium concentration of less than about 500 parts per million, a process for producing the hafnium-containing compositions, organometallic precursor compositions containing a hafnium-containing compound and having a zirconium concentration of less than about 500 parts per million, a process for producing the organometallic precursor compositions, and a method for producing a film or coating from the organometallic precursor compositions. The organometallic precursor compositions are useful in semiconductor applications as chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) precursors for film depositions.

摘要翻译： 本发明涉及锆浓度小于约百万分之500的含铪组合物，含铪组合物的制备方法，含有含铪的化合物的有机金属前体组合物和锆浓度小于约500 百万分之一，生产有机金属前体组合物的方法，以及从有机金属前体组合物制备薄膜或涂层的方法。 有机金属前体组合物可用作半导体应用，作为用于膜沉积的化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）前体。

公开(公告)号：US06425265B1

公开(公告)日：2002-07-30

申请号：US09963035

申请日：2001-09-26

申请人： Arthur Edward Holmer ,  James Philip Natwora, Jr. ,  Sateria Salim

发明人： Arthur Edward Holmer ,  James Philip Natwora, Jr. ,  Sateria Salim

IPC分类号： F25J300

CPC分类号： B01D53/75 ,  B01D53/04 ,  B01D53/0438 ,  B01D53/261 ,  B01D2253/10 ,  B01D2253/106 ,  B01D2256/00 ,  B01D2257/102 ,  B01D2257/104 ,  B01D2257/108 ,  B01D2257/2045 ,  B01D2257/502 ,  B01D2257/504 ,  B01D2257/7022 ,  B01D2257/80 ,  B01D2259/41 ,  B01D2259/414 ,  C01B7/093 ,  Y02C10/08 ,  Y02P20/152

摘要： A process for removing impurities such as oxygen, nitrogen, carbon monoxide, hydrogen, water (moisture), carbon dioxide, hydrogen chloride, methane and trace metals from crude hydrogen bromide and the apparatus for purifying such crude hydrogen bromide.

摘要翻译： 从粗溴化氢中除去氧，氮，一氧化碳，氢，水（水分），二氧化碳，氯化氢，甲烷和微量金属等杂质的方法，以及纯化这种粗溴化氢的设备。