公开(公告)号：US20090166753A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12304506

申请日：2007-06-12

申请人： Erwin Hijzen ,  Joost Melai ,  Wibo D. Van Noort ,  Johannes J.T.M Donkers ,  Philippe Meunier-Beillard ,  Andreas M. Piontek ,  Li Jen Choi ,  Stefaan Van Huylenbroeck

发明人： Erwin Hijzen ,  Joost Melai ,  Wibo D. Van Noort ,  Johannes J.T.M Donkers ,  Philippe Meunier-Beillard ,  Andreas M. Piontek ,  Li Jen Choi ,  Stefaan Van Huylenbroeck

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

摘要： The invention relates to a semiconductor device (10) with a substrate (11) and a semiconductor body (1) comprising a bipolar transistor with in that order a collector region (2), a base region (3), and an emitter region (4), wherein the semiconductor body comprises a projecting mesa (5) comprising at least a portion of the collector region (2) and the base region (3), which mesa is surrounded by an isolation region (6). According to the invention, the semiconductor device (10) also comprises a field effect transistor with a source region, a drain region, an interposed channel region, a superimposed gate dielectric (7), and a gate region (8), which gate region (8) forms a highest part of the field effect transistor, and the height of the mesa (5) is greater than the height of the gate region (8). This device can be manufactured inexpensively and easily by a method according to the invention, and the bipolar transistor can have excellent high-frequency characteristics.

摘要翻译： 本发明涉及具有基板（11）和半导体本体（1）的半导体器件（10），该半导体器件（1）包括双极晶体管，依次具有集电极区域（2），基极区域（3）和发射极区域 4），其中半导体主体包括包括集电极区域（2）和基极区域（3）的至少一部分的突出台面（5），该台面由隔离区域（6）包围。 根据本发明，半导体器件（10）还包括具有源极区域，漏极区域，插入沟道区域，叠加栅极电介质（7）和栅极区域（8）的场效应晶体管，该栅极区域 （8）形成场效应晶体管的最高部分，台面（5）的高度大于栅极区域（8）的高度。 该装置可以通过根据本发明的方法廉价且容易地制造，并且双极晶体管可以具有优异的高频特性。

公开(公告)号：US20080233688A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11913049

申请日：2006-04-24

申请人： Philippe Meunier-Beillard ,  Erwin Hijzen ,  Johannes J.T.M. Donkers ,  Francois Neuilly

发明人： Philippe Meunier-Beillard ,  Erwin Hijzen ,  Johannes J.T.M. Donkers ,  Francois Neuilly

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L29/0821

摘要： A method of fabricating a bipolar transistor in a first trench (11) is disclosed wherein only one photolithographic mask is applied which forms a first trench (11) and a second trench (12). A collector region (21) is formed self-aligned in the first trench (11) and the second trench (12). A base region (31) is formed self-aligned on a portion of the collector region (21), which is in the first trench (11). An emitter region (41) is formed self-aligned on a portion of the base region (31). A contact to the collector region (21) is formed in the second trench (12) and a contact to the base region (31) is formed in the first trench (11). The fabrication of the bipolar transistor may be integrated in a standard CMOS process.

摘要翻译： 公开了在第一沟槽（11）中制造双极晶体管的方法，其中仅施加一个形成第一沟槽（11）和第二沟槽（12）的光刻掩模。 集电极区域（21）在第一沟槽（11）和第二沟槽（12）中自对准地形成。 基部区域（31）在位于第一沟槽（11）中的集电极区域（21）的一部分上自对准地形成。 发射极区域（41）在基极区域（31）的一部分上自对准地形成。 在所述第二沟槽（12）中形成与所述集电极区域（21）的接触，并且在所述第一沟槽（11）中形成与所述基极区域（31）的接触。 双极晶体管的制造可以集成在标准CMOS工艺中。

公开(公告)号：US20100289022A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：US12094303

申请日：2006-10-29

申请人： Joost Melai ,  Erwin Hijzen ,  Philippe Meunier-Beillard ,  Johannes J.T.M. Donkers

发明人： Joost Melai ,  Erwin Hijzen ,  Philippe Meunier-Beillard ,  Johannes J.T.M. Donkers

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L29/66287

摘要： The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device (10) with a substrate (11) and a semiconductor body (12) which is provided with at least one bipolar transistor having an emitter region (1), a base region (2) and a collector region (3), wherein in the semiconductor body (12) a first semiconductor region (13) is formed that forms one (3) of the collector and emitter regions (1,3) and on the surface of the semiconductor body (12) a stack of layers is formed comprising a first insulating layer (4), a polycrystalline semiconductor layer (5) and a second insulating layer (6) in which stack an opening (7) is formed, after which by non-selective epitaxial growth a further semiconductor layer (22) is deposited of which a monocrystalline horizontal part on the bottom of the opening (7) forms the base region (2) and of which a polycrystalline vertical part (2A) on a side face of the opening (7) is connected to the polycrystalline semiconductor layer (5), after which spacers (S) are formed parallel to the side face of the opening (7) and a second semiconductor region (31) is formed between said spacers (S) forming the other one (1) of the emitter and collector regions (1,3). According to the invention the above method is characterized in that before the further semiconductor layer (22) is deposited, the second insulating layer (6) is provided with an end portion (6A) that viewed in projection overhangs an end portion (5A) of the underlying semiconductor layer (5). In this way bipolar transistor devices can be obtained with good high frequency properties in a cost effective manner.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造半导体器件（10）的方法，所述半导体器件（10）具有衬底（11）和半导体本体（12），所述半导体器件（12）具有至少一个具有发射极区域（1），基极区域（2） 和集电极区域（3），其中在所述半导体本体（12）中形成第一半导体区域（13），所述第一半导体区域形成所述集电极和发射极区域（1,3）中的一个（3）并且在所述半导体主体 （12）形成一叠层，其包括形成有开口（7）的第一绝缘层（4），多晶半导体层（5）和第二绝缘层（6），之后通过非选择性 外延生长沉积另外的半导体层（22），其中开口（7）的底部上的单晶水平部分形成基部区域（2），并且在该开口的侧面上具有多晶垂直部分（2A） （7）连接到多晶半导体层（5），之后是间隔 （S）形成为平行于开口（7）的侧面，并且在形成发射极和集电极区域（1,3）的另一个（1）的所述间隔物（S）之间形成第二半导体区域（31） ）。 根据本发明，上述方法的特征在于，在沉积另外的半导体层（22）之前，第二绝缘层（6）设置有端部（6A），其从突出部分观察到突出部分 底层半导体层（5）。 以这种方式，可以以成本有效的方式获得具有良好高频特性的双极晶体管器件。

公开(公告)号：US20090075446A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11911620

申请日：2006-04-03

申请人： Philippe Meunier-Beillard ,  Johannes J.T.M. Donkers ,  Hijzen Erwin ,  Melai Joost

发明人： Philippe Meunier-Beillard ,  Johannes J.T.M. Donkers ,  Hijzen Erwin ,  Melai Joost

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L29/16 ,  H01L29/7378

摘要： The invention provides a method for fabricating a heterojunction bipolar transistor with a base connecting region (23), which is formed self-aligned to a base region (7) without applying photolithographic techniques. Further, a collector connecting region (31) and an emitter region (29) are formed simultaneously and self-aligned to the base connecting region (23) without applying photolithographic techniques.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于制造具有基极连接区域（23）的异质结双极晶体管的方法，该基极连接区域在不施加光刻技术的情况下自形成于基极区域（7）。 此外，在不使用光刻技术的情况下，集电极连接区域（31）和发射极区域（29）同时形成并且与基底连接区域（23）自对准。

公开(公告)号：US20110304019A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12994113

申请日：2009-05-11

申请人： Pilippe Meunier-Beillard ,  Erwin Hijzen ,  Johannes J.T.M. Donkers

发明人： Pilippe Meunier-Beillard ,  Erwin Hijzen ,  Johannes J.T.M. Donkers

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L29/66242

摘要： Methods for manufacturing a bipolar transistor semiconductor device are described, along with devices fabricated in accordance with the methods. The methods include the steps of forming a stack of layers over a semiconductor body comprising a window definition layer (18,38), a layer (20) of semiconductor material, a first insulating layer (22), and a second insulating layer (24) which is selectively etchable with respect to the first insulating layer. A trench (26) is then etched into the stack down to the window definition layer. The portion of the trench extending through the second insulating layer is widened to form a wider trench portion (28) therethrough. A window (36) is defined in the window definition layer which is aligned with the wider trench portion, and serves to define the base-collector or base-emitter junction in the finished device.

摘要翻译： 描述了制造双极晶体管半导体器件的方法以及根据该方法制造的器件。 所述方法包括以下步骤：在半导体主体上形成层叠层，其包括窗口界定层（18,38），半导体材料层（20），第一绝缘层（22）和第二绝缘层（24） ），其相对于第一绝缘层可选择性地蚀刻。 然后将沟槽（26）蚀刻到堆叠中，直到窗口定义层。 延伸穿过第二绝缘层的沟槽的部分被加宽以形成穿过其中的较宽沟槽部分（28）。 在窗口定义层中限定窗口（36），其与较宽的沟槽部分对准，并且用于限定最终器件中的基极 - 集电极或基极 - 发射极结。

公开(公告)号：US20110215417A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US12918542

申请日：2009-02-26

申请人： Philippe Meunier-Beillard ,  Mark C.J.C.M. Kramer ,  Johannes J.T.M. Donkers ,  Guillaume Boccardi

发明人： Philippe Meunier-Beillard ,  Mark C.J.C.M. Kramer ,  Johannes J.T.M. Donkers ,  Guillaume Boccardi

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

摘要： A semiconductor device (10) comprising a bipolar transistor and a field effect transistor within a semiconductor body (1) comprising a projecting mesa (5) within which are at least a portion of a collector region (22d and 22e) and a base region (33d) of the bipolar transistor. The bipolar transistor is provided with a first insulating cavity (92) provided in the collector region (22d and 22e). The base region (33d) is narrower in the plane of the substrate than the collector region (22d and 22e) due to a second insulating cavity (94) provided around the base region (33d) and between the collector region (22d and 22e) and the emitter region (4). By blocking diffusion from the base region the first insulating cavity (92) provides a reduction in the base collector capacitance and can be described as defining the base contact.

摘要翻译： 一种半导体器件（10），包括半导体本体（1）内的双极晶体管和场效应晶体管，所述半导体本体（1）包括突出台面（5），所述突出台面（5）中至少一部分为集电极区域（22d和22e）和基极区域 33d）。 双极晶体管设置有设置在集电区域（22d和22e）中的第一绝缘腔（92）。 基极区域（33d）由于设置在基极区域（33d）周围的第二绝缘腔（94d）和集电极区域（22d〜22e）之间，在基板的平面内比集电体区域（22d，22e）窄， 和发射极区域（4）。 通过阻挡来自基极区域的扩散，第一绝缘腔（92）提供基极集电极电容的减小并且可以被描述为限定基极触点。