公开(公告)号：US5861321A

公开(公告)日：1999-01-19

申请号：US754949

申请日：1996-11-21

Applicant: John H. Tregilgas ,  Donald F. Weirauch ,  John A. Dodge ,  Sidney G. Parker

Inventor： John H. Tregilgas ,  Donald F. Weirauch ,  John A. Dodge ,  Sidney G. Parker

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/368 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02658

Abstract: A method is provided for producing an n-type or p-type epitaxial layer using a doped substrate material. The method includes growing a substrate (12), preferably from a material to which an epitaxial layer can be lattice-matched. The substrate (12) is doped with a predetermined concentration of dopant (14). Preferably, the dopant (14) possesses the ability to rapidly diffuse through a material. An epitaxial layer (16) is grown upon the doped substrate (12). The epitaxial layer (16) and the doped substrate are annealed, thereby causing the dopant (14) to diffuse from the substrate (14) into the epitaxial layer (16).

Abstract translation: 提供了使用掺杂的衬底材料制造n型或p型外延层的方法。 该方法包括生长衬底（12），优选地从外延层可以与晶格匹配的材料。 衬底（12）掺杂有预定浓度的掺杂剂（14）。 优选地，掺杂剂（14）具有快速扩散通过材料的能力。 在掺杂衬底（12）上生长外延层（16）。 外延层（16）和掺杂衬底被退火，从而使掺杂剂（14）从衬底（14）扩散到外延层（16）中。