公开(公告)号：US20090047447A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US11497790

申请日：2006-08-02

申请人： Herbert H. Sawin ,  Bo Bai ,  Ju Jin An

发明人： Herbert H. Sawin ,  Bo Bai ,  Ju Jin An

IPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/513 ,  C09K3/00 ,  B08B5/00 ,  C11D3/02 ,  C11D3/16 ,  C11D3/20

CPC分类号： C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32862

摘要： The present invention relates to plasma cleaning methods for removing surface deposits from a surface, such as the interior of a depositions chamber that is used in fabricating electronic devices. The present invention also provides gas mixtures and activated gas mixtures which provide superior performance in removing deposits from a surface. The methods involve activating a gas mixture comprising a carbon or sulfur source, NF3, and optionally, an oxygen source to form an activated gas, and contacting the activated gas mixture with surface deposits to remove the surface deposits wherein the activated gas mixture acts to passivate the interior surfaces of the apparatus to reduce the rate of surface recombination of gas phase species.

摘要翻译： 本发明涉及用于从表面（例如用于制造电子器件的沉积室内部）去除表面沉积物的等离子体清洗方法。 本发明还提供气体混合物和活性气体混合物，其在从表面去除沉积物方面提供优异的性能。 所述方法包括活化包含碳源或硫源的气体混合物，NF 3和任选的氧源以形成活化气体，并使活化气体混合物与表面沉积物接触以除去表面沉积物，其中活性气体混合物起钝化作用 该装置的内表面以降低气相物种的表面复合速率。

公开(公告)号：US07297638B2

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：US10783940

申请日：2004-02-20

申请人： Ju-Jin An ,  Soo-Woong Lee

发明人： Ju-Jin An ,  Soo-Woong Lee

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0332 ,  H01L27/10855

摘要： A method of forming patterns in a semiconductor device comprises: forming a conductive film on a substrate; forming an anti-reflective layer on the conductive film; cleaning oxide residues on the anti-reflective layer using a first cleaning solution; cleaning the oxide residues on the anti-reflective layer using a second cleaning solution; forming a photoresist pattern on the anti-reflective layer; and patterning the conductive film using the photoresist pattern.

摘要翻译： 在半导体器件中形成图案的方法包括：在衬底上形成导电膜; 在导电膜上形成抗反射层; 使用第一清洁溶液清洁抗反射层上的氧化物残留物; 使用第二清洁溶液清洁抗反射层上的氧化物残留物; 在抗反射层上形成光刻胶图形; 以及使用光致抗蚀剂图案来图案化导电膜。

公开(公告)号：US20050032371A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10783940

申请日：2004-02-20

申请人： Ju-Jin An ,  Soo-Woong Lee

发明人： Ju-Jin An ,  Soo-Woong Lee

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8242 ,  G11C16/06 ,  G11C11/34 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0332 ,  H01L27/10855

摘要： A method of forming patterns in a semiconductor device comprises: forming a conductive film on a substrate; forming an anti-reflective layer on the conductive film; cleaning oxide residues on the anti-reflective layer using a first cleaning solution; cleaning the oxide residues on the anti-reflective layer using a second cleaning solution; forming a photoresist pattern on the anti-reflective layer; and patterning the conductive film using the photoresist pattern.

摘要翻译： 在半导体器件中形成图案的方法包括：在衬底上形成导电膜; 在导电膜上形成抗反射层; 使用第一清洁溶液清洁抗反射层上的氧化物残留物; 使用第二清洁溶液清洁抗反射层上的氧化物残留物; 在抗反射层上形成光刻胶图形; 以及使用光致抗蚀剂图案来图案化导电膜。