公开(公告)号：US20100116780A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12349164

申请日：2009-01-06

申请人： Jae Min Myoung ,  Jyoti Prakash Kar

发明人： Jae Min Myoung ,  Jyoti Prakash Kar

IPC分类号： B44C1/22 ,  B32B9/00

CPC分类号： B81C1/00206 ,  B81B2203/0361 ,  C30B25/005 ,  C30B25/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/605 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0331

摘要： A method for patterning nanowires on a substrate. The method includes procedures of preparing a substrate having a patterned sacrificial layer of barium fluoride thereon; growing nanowires on an entire surface of the resultant substrate including the patterned sacrificial layer; and removing the patterned sacrificial layer using a solvent to remove part of the nanowires on the patterned sacrificial layer such that part of the nanowires in direct contact with the substrate remains on the substrate to thereby form a nanowire pattern.

摘要翻译： 一种用于在衬底上构图纳米线的方法。 该方法包括制备其上具有氟化钡的图案化牺牲层的衬底的步骤; 在包括图案化牺牲层的所得基底的整个表面上生长纳米线; 并且使用溶剂去除图案化的牺牲层以去除图案化牺牲层上的部分纳米线，使得与衬底直接接触的部分纳米线保留在衬底上，从而形成纳米线图案。

公开(公告)号：US08227348B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12349164

申请日：2009-01-06

申请人： Jae Min Myoung ,  Jyoti Prakash Kar

发明人： Jae Min Myoung ,  Jyoti Prakash Kar

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： B81C1/00206 ,  B81B2203/0361 ,  C30B25/005 ,  C30B25/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/605 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0331

摘要： A method for patterning nanowires on a substrate. The method includes procedures of preparing a substrate having a patterned sacrificial layer of barium fluoride thereon; growing nanowires on an entire surface of the resultant substrate including the patterned sacrificial layer; and removing the patterned sacrificial layer using a solvent to remove part of the nanowires on the patterned sacrificial layer such that part of the nanowires in direct contact with the substrate remains on the substrate to thereby form a nanowire pattern.

摘要翻译： 一种用于在衬底上构图纳米线的方法。 该方法包括制备其上具有氟化钡的图案化牺牲层的衬底的步骤; 在包括图案化牺牲层的所得基底的整个表面上生长纳米线; 并且使用溶剂去除图案化的牺牲层以去除图案化牺牲层上的部分纳米线，使得与衬底直接接触的部分纳米线保留在衬底上，从而形成纳米线图案。