公开(公告)号：US07042200B2

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：US10408530

申请日：2003-04-07

申请人： Jun Chen ,  Keith Kunz

发明人： Jun Chen ,  Keith Kunz

IPC分类号： G05F1/40

CPC分类号： H02M3/156 ,  H02M2001/0012 ,  H02M2001/0025

摘要： The present invention provides improved line and load regulation of a switching-mode power converter (300) without requiring additional capacitors (255), either internally or externally, to stabilize the control loop. The present invention can provide this by integrating a digital compensator (375) with the pulse-width modulator (“PWM”) of the switching-mode power converter. Such a compensator (375) can include comparators (310 and 330), digital circuits (340), and resistors (215, 220, 320, and 325).

摘要翻译： 本发明提供了开关模式功率转换器（300）的改进的线路和负载调节，而不需要在内部或外部的附加电容器（255）来稳定控制回路。 本发明可以通过将数字补偿器（375）与开关模式功率转换器的脉冲宽度调制器（“PWM”）集成来提供这一点。 这种补偿器（375）可以​​包括比较器（310和330），数字电路（340）和电阻器（215,220,320和325）。

公开(公告)号：US06548874B1

公开(公告)日：2003-04-15

申请号：US09669391

申请日：2000-09-26

申请人： Alec Morton ,  Taylor Efland ,  Chin-yu Tsai ,  Jozef C. Mitros ,  Dan M. Mosher ,  Sam Shichijo ,  Keith Kunz

发明人： Alec Morton ,  Taylor Efland ,  Chin-yu Tsai ,  Jozef C. Mitros ,  Dan M. Mosher ,  Sam Shichijo ,  Keith Kunz

IPC分类号： H01L2976

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： An intergrated circuit drain extension transistor for sub micron CMOS processes. A transistor gate (40) is formed over a CMOS n-well region (80) and a CMOS p-well region (70) in a silicon substrate (10). Transistor source regions (50), (140) and drain regions (55), (145) are formed in the various CMOS well regions to form drain extension transistors where the CMOS well regions (70), (80) serve as the drain extension regions of the transistor.

摘要翻译： 用于亚微米CMOS工艺的集成电路漏极延伸晶体管。 在硅衬底（10）中的CMOS n阱区（80）和CMOS p阱区（70）上形成晶体管栅极（40）。 晶体管源极区域（50），（140）和漏极区域（55），（145）形成在各种CMOS阱区域中以形成漏极延伸晶体管，其中CMOS阱区域（70），（80）用作漏极延伸 晶体管的区域。

公开(公告)号：US06189818B1

公开(公告)日：2001-02-20

申请号：US09352946

申请日：1999-07-14

申请人： Keith Kunz ,  Craig Pinhey ,  Jim Manning

发明人： Keith Kunz ,  Craig Pinhey ,  Jim Manning

IPC分类号： B02C1108

CPC分类号： C21B3/08

摘要： Molten ladle metallurgy furnace (LMF) slag is chilled on a chill plate comprising a number of steel slabs disposed side by side. The slag is poured onto the chill plate and allowed to solidify without the application of any water. Solid slag is removed from the chill plate by mechanical means and is eventually reused to make synthetic slag after further cooling, crushing and screening.

摘要翻译： 熔融浇包冶金炉（LMF）炉渣在包括并排设置的多个钢板的冷却板上冷却。 将炉渣倾倒在冷却板上并使其固化而不施加任何水。 固体渣通过机械方法从冷却板上除去，最后在进一步冷却，破碎和筛选后重新使用合成渣。

公开(公告)号：US20060170312A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11049016

申请日：2005-02-02

申请人： Jeffrey Gensler ,  Mark Koeroghlian ,  Keith Kunz

发明人： Jeffrey Gensler ,  Mark Koeroghlian ,  Keith Kunz

IPC分类号： H01L41/08

CPC分类号： G01N29/2462 ,  G01N29/022 ,  G01N29/222 ,  G01N2291/0256 ,  G01N2291/0423 ,  G01N2291/106

摘要： Sensors that include SAW devices, related methods, and related devices. Many embodiments are included. Some of the present sensors include an inlet structure; a mounting structure that is spaced apart from the inlet structure, the mounting structure having a top surface and an opposing bottom surface; and surface acoustic wave (SAW) devices disposed on the top surface of the mounting structure; where (a) the mounting structure includes openings that extend from the top surface to the bottom surface through which fluid can flow that has first passed over the SAW devices during operation of the sensor, or (b) the mounting structure and SAW devices together define openings through which fluid can flow that has first passed over the SAW devices during operation of the sensor.

摘要翻译： 包括SAW器件，相关方法和相关器件的传感器。 包括许多实施例。 本传感器中的一些包括入口结构; 安装结构，其与所述入口结构间隔开，所述安装结构具有顶表面和相对的底表面; 和表面声波（SAW）装置，其设置在安装结构的顶表面上; 其中（a）安装结构包括在传感器操作期间从顶表面延伸到底表面的开口，流体可以通过该开口流过SAW器件，或者（b）安装结构和SAW器件一起界定 在传感器运行期间流体可以流过的开口，其首先经过SAW装置。