公开(公告)号：US20060134809A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11340278

申请日：2006-01-26

申请人： Kenneth Brennan ,  Satyavolu Papa Rao

发明人： Kenneth Brennan ,  Satyavolu Papa Rao

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01F17/0033 ,  H01F41/046 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit capacitor having a bottom plate 50a, a dielectric layer 250′, and a ferromagnetic top plate 20a. Also, a method of manufacturing an integrated circuit on a semiconductor wafer. The method comprising forming a bottom plate of a capacitor 50a and a bottom portion of an induction coil 50a, forming an etch stop layer 250′, forming a ferromagnetic capacitor top plate 20a and a ferromagnetic core 20b, forming a top portion of the induction coil 50b plus vias 50c that couple the top portion of the induction coil 50b to the bottom portion of the induction coil 50c.

摘要翻译： 具有底板50a，介电层250'和铁磁顶板20a的集成电路电容器。 另外，在半导体晶片上制造集成电路的方法。 该方法包括形成电容器50a的底板和感应线圈50a的底部，形成蚀刻停止层250'，形成铁磁电容器顶板20A和铁磁芯20b，形成顶部 感应线圈50b加上将感应线圈50b的顶部连接到感应线圈50c的底部的通孔50c。

公开(公告)号：US20060128036A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11008900

申请日：2004-12-10

申请人： Kenneth Brennan ,  Satyavolu Papa Rao

发明人： Kenneth Brennan ,  Satyavolu Papa Rao

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01F17/0033 ,  H01F41/046 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit capacitor having a bottom plate 50a, a dielectric layer 250′, and a ferromagnetic top plate 20a. Also, a method of manufacturing an integrated circuit on a semiconductor wafer. The method comprising forming a bottom plate of a capacitor 50a and a bottom portion of an induction coil 50a, forming an etch stop layer 250′, forming a ferromagnetic capacitor top plate 20a and a ferromagnetic core 20b, forming a top portion of the induction coil 50b plus vias 50c that couple the top portion of the induction coil 50b to the bottom portion of the induction coil 50c.

摘要翻译： 具有底板50a，介电层250'和铁磁顶板20a的集成电路电容器。 另外，在半导体晶片上制造集成电路的方法。 该方法包括形成电容器50a的底板和感应线圈50a的底部，形成蚀刻停止层250'，形成铁磁电容器顶板20A和铁磁芯20b，形成顶部 感应线圈50b加上将感应线圈50b的顶部连接到感应线圈50c的底部的通孔50c。

公开(公告)号：US20060022787A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10909046

申请日：2004-07-30

申请人： Kenneth Brennan ,  Satyavolu Papa Rao ,  Byron Williams

发明人： Kenneth Brennan ,  Satyavolu Papa Rao ,  Byron Williams

IPC分类号： H01F5/00

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/046 ,  H01F2017/008 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49073 ,  H01L2924/00

摘要： An inductor structure (102) formed in an integrated circuit (100) is disclosed, and includes a first isolation layer (106) and a first core plate (104) disposed over or within the first isolation layer (106, 114). The first core plate (104) includes a plurality of electrically coupled conductive traces composed of a conductive ferromagnetic material layer. A second isolation layer (108) overlies the first isolation layer and an inductor coil (102) composed of a conductive material layer (118) is formed within the second isolation layer (108). Another core plate may be formed over the coil. The one or more core plates increase an inductance (L) of the inductor coil (102).

摘要翻译： 公开了一种形成在集成电路（100）中的电感器结构（102），并且包括设置在第一隔离层（106,114）上或第一隔离层（106,114）内的第一隔离层（106）和第一芯板（104）。 第一芯板（104）包括由导电铁磁材料层构成的多个电耦合导电迹线。 第二隔离层（108）覆盖第一隔离层，并且在第二隔离层（108）内形成由导电材料层（118）构成的电感线圈（102）。 可以在线圈上形成另一个芯板。 一个或多个芯板增加电感线圈（102）的电感（L）。

公开(公告)号：US20060160299A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11037530

申请日：2005-01-18

申请人： Satyavolu Rao ,  Darius Crenshaw ,  Stephan Grunow ,  Kenneth Brennan ,  Somit Joshi ,  Montray Leavy ,  Phillip Matz ,  Sameer Ajmera ,  Yuri Solomentsev

发明人： Satyavolu Rao ,  Darius Crenshaw ,  Stephan Grunow ,  Kenneth Brennan ,  Somit Joshi ,  Montray Leavy ,  Phillip Matz ,  Sameer Ajmera ,  Yuri Solomentsev

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The formation of a MIM (metal insulator metal) capacitor (164) and concurrent formation of a resistor (166) is disclosed. A copper diffusion barrier (124) is formed over a copper deposition (110) that serves as a bottom electrode (170) of the capacitor (164). The copper diffusion barrier (124) mitigates unwanted diffusion of copper from the copper deposition (110), and is formed via electro-less deposition such that little to none of the barrier material is deposited at locations other than over a top surface (125) of the deposition of copper/bottom electrode. Subsequently, layers of dielectric (150) and conductive (152) materials are applied to form a dielectric (172) and top electrode (174) of the MIM capacitor (164), respectively, where the layer of conductive top electrode material (152) also functions to concurrently develop the resistor (166) on the same chip as the capacitor (164).

摘要翻译： 公开了MIM（金属绝缘金属）电容器（164）的形成和电阻器（166）的同时形成。 在用作电容器（164）的底部电极（170）的铜沉积（110）上形成铜扩散阻挡层（124）。 铜扩散阻挡层（124）减轻了铜从铜沉积物（110）的不期望的扩散，并且通过无电沉积形成，使得在除了顶部表面（125）之外的位置处几乎不会沉积阻挡材料， 的铜/底电极的沉积。 随后，分别施加介电层（150）和导电（152）材料层以形成MIM电容器（164）的电介质（172）和顶电极（174），其中导电顶电极材料层（152） 还用于同时开发与电容器（164）相同的芯片上的电阻器（166）。

公开(公告)号：US20060024899A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10909648

申请日：2004-07-31

申请人： Darius Crenshaw ,  Byron Williams ,  Alwin Tsao ,  Hisashi Shichijo ,  Satyavolu Papa Rao ,  Kenneth Brennan ,  Steven Lytle

发明人： Darius Crenshaw ,  Byron Williams ,  Alwin Tsao ,  Hisashi Shichijo ,  Satyavolu Papa Rao ,  Kenneth Brennan ,  Steven Lytle

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L21/76834 ,  H01L28/57 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method (10) of forming a MIM (metal insulator metal) capacitor is disclosed whereby adverse affects associated with copper diffusion are mitigated even as the capacitor is scaled down. A sidewall spacer (156) is formed against an edge (137) of a layer of bottom electrode/copper diffusion barrier material (136), an edge (151) of a layer of capacitor dielectric material (150) and at least some of an edge (153) of a layer of top electrode material. The sidewall spacer (156) is dielectric or non-conductive and mitigates “shorting” currents that can develop between the plates as a result of copper diffusion. Bottom electrode diffusion barrier material (136) mitigates copper diffusion and/or copper drift, thereby reducing the likelihood of premature device failure.

摘要翻译： 公开了形成MIM（金属绝缘金属）电容器的方法（10），其中即使电容器按比例缩小，也减轻了与铜扩散相关的不利影响。 侧壁间隔物（156）抵靠着底部电极/铜扩散阻挡材料层（136）的边缘（137），电容器介电材料层（150）的边缘（151）和至少一些 边缘（153）的顶层电极材料层。 侧壁间隔物（156）是电介质或非导电的，并且减轻由于铜扩散而在板之间产生的“短路”电流。 底部电极扩散阻挡材料（136）减轻了铜扩散和/或铜漂移，从而降低了设备过早失效的可能性。