公开(公告)号：US20070298601A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11425799

申请日：2006-06-22

申请人： Roger A. Booth ,  Matthew S. Doyle ,  Jesse M. Hefner ,  Lynn R. Landlin ,  Thomas W. Liang ,  Ankur K. Patel

发明人： Roger A. Booth ,  Matthew S. Doyle ,  Jesse M. Hefner ,  Lynn R. Landlin ,  Thomas W. Liang ,  Ankur K. Patel

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H05K3/429 ,  H05K3/0023 ,  H05K3/0082 ,  H05K3/184 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09645 ,  H05K2203/107

摘要： Methods and systems for controlled formation of a resist in a via. In one embodiment, a method for plating at least a portion of the inside of a via formed in an object may include filling the via with a resist capable of selective three-dimensional polymerization. The resist may be selectively polymerized, and developed. When the resist is developed, only a portion of the resist is removed according to whether the portion is polymerized, thereby leaving a remaining portion in the via and forming a desired structure in the via.

摘要翻译： 在通孔中控制形成抗蚀剂的方法和系统。 在一个实施例中，用于电镀形成在物体中的通孔内部的至少一部分的方法可以包括用能够进行选择性三维聚合的抗蚀剂填充通孔。 可以选择性地聚合和显影抗蚀剂。 当抗蚀剂显影时，根据该部分是否聚合仅去除一部分抗蚀剂，从而在通孔中留下剩余部分并在通孔中形成所需的结构。