公开(公告)号：US20110221460A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US12721320

申请日：2010-03-10

申请人： Heinrich Trebo ,  Manfred Oswald ,  Valentin Cee

发明人： Heinrich Trebo ,  Manfred Oswald ,  Valentin Cee

IPC分类号： G01R31/02 ,  G01R31/3187

CPC分类号： G01R31/2884 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure relates to an integrated circuit arrangement. The circuit arrangement includes a semiconductor body having a first surface and defining a vertical direction running perpendicular to the first surface. At least one sensor line is at least partially arranged above the first surface, and includes a first and a second contact terminal and at least one vertical line section coupled between the first and second contact terminals and running in the vertical direction. An evaluation circuit is coupled to the first and second contact terminals and adapted to evaluate an impedance of the at least one sensor line.

摘要翻译： 本公开涉及一种集成电路装置。 电路装置包括具有第一表面并限定垂直于第一表面延伸的垂直方向的半导体本体。 至少一个传感器线路至少部分地布置在第一表面之上，并且包括第一和第二接触端子以及耦合在第一和第二接触端子之间并在垂直方向上运行的至少一个垂直线段。 评估电路耦合到第一和第二接触端子并且适于评估至少一个传感器线路的阻抗。

公开(公告)号：US20100099266A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12563526

申请日：2009-09-21

申请人： Manfred Oswald ,  Jivko Dinev ,  Jan Rupf ,  Markus Meye ,  Francesco Maletta ,  Uwe Leucke ,  Ron Tilger ,  Farid Abooameri ,  Alexander Matyushkin ,  Denis Koosau ,  Xiaoping Zhou ,  Thorsten Lehmann ,  Declan Scanlan

发明人： Manfred Oswald ,  Jivko Dinev ,  Jan Rupf ,  Markus Meye ,  Francesco Maletta ,  Uwe Leucke ,  Ron Tilger ,  Farid Abooameri ,  Alexander Matyushkin ,  Denis Koosau ,  Xiaoping Zhou ,  Thorsten Lehmann ,  Declan Scanlan

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F1/08

CPC分类号： H01J37/32045 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/334

摘要： Embodiments of the invention provide a method and apparatus that enables plasma etching of high aspect ratio features. In one embodiment, a method for etching is provided that includes providing a substrate having a patterned mask disposed on a silicon layer in an etch reactor, providing a gas mixture of the reactor, maintaining a plasma formed from the gas mixture, wherein bias power and RF power provided the reactor are pulsed, and etching the silicon layer in the presence of the plasma.

摘要翻译： 本发明的实施例提供一种能够等离子体蚀刻高纵横比特征的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于蚀刻的方法，其包括提供具有设置在蚀刻反应器中的硅层上的图案化掩模的衬底，提供反应器的气体混合物，保持由气体混合物形成的等离子体，其中偏置功率和 RF电源提供反应器是脉冲的，并且在存在等离子体的情况下蚀刻硅层。

公开(公告)号：US20090199058A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12026687

申请日：2008-02-06

申请人： Christoph Seidl ,  Manfred Oswald ,  Axel Reithofer ,  Viktor Kahr

发明人： Christoph Seidl ,  Manfred Oswald ,  Axel Reithofer ,  Viktor Kahr

IPC分类号： G11C29/10 ,  G06F11/263

CPC分类号： G11C29/52 ,  G11C16/04 ,  G11C16/3418 ,  G11C2029/0409

摘要： The invention relates, inter alia, to a method for testing a programmable memory cell having a particular memory state, the method involving the following steps of: applying a first read signal to the memory cell, with the result that the memory cell provides a first memory signal which represents its memory state; comparing the first memory signal with a threshold value in order to obtain a first comparison result; applying a second read signal to the memory cell, with the result that the memory cell provides a second memory signal which represents its memory state; comparing the second memory signal with the threshold value in order to obtain a second comparison result; assessing the integrity of the memory state using the two comparison results.

摘要翻译： 本发明尤其涉及一种用于测试具有特定存储器状态的可编程存储器单元的方法，所述方法包括以下步骤：将第一读取信号施加到存储器单元，结果存储器单元提供第一 表示其记忆状态的记忆信号; 将第一存储器信号与阈值进行比较，以获得第一比较结果; 将第二读取信号施加到存储器单元，结果存储器单元提供表示其存储器状态的第二存储器信号; 将第二存储器信号与阈值进行比较，以获得第二比较结果; 使用两个比较结果评估记忆状态的完整性。