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    Semiconductor integrated circuit device
    1.
    发明授权
    Semiconductor integrated circuit device 有权
    半导体集成电路器件

    公开(公告)号：US06998654B2

    公开(公告)日：2006-02-14

    申请号：US10520155

    申请日：2003-07-14

    申请人： Rie Itoh ,  Noriaki Matsuno ,  Masato Tsunoda

    发明人： Rie Itoh ,  Noriaki Matsuno ,  Masato Tsunoda

    IPC分类号： H01L27/10

    CPC分类号： H01L23/576 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor integrated circuit device (10) is composed of an LSI function unit (11) and a shield wiring layer (22) formed on the unit. The LSI function unit (11) includes a semiconductor substrate (12) and a first insulating film (13), and the semiconductor substrate (12) is formed with a circuit element including, for example, a MOS transistor (14). The shield wiring layer (22) is composed of a lower shield line (23), a third insulating film (24), an upper shield line (25), and a fourth insulating film (26) sequentially stacked above a second insulating film (17). The directions in which the lower and upper shield lines (23) and (25) are arranged intersect each other.

    摘要翻译： 半导体集成电路器件（10）由形成在该单元上的LSI功能单元（11）和屏蔽布线层（22）组成。 LSI功能单元（11）包括半导体衬底（12）和第一绝缘膜（13），并且半导体衬底（12）形成有包括例如MOS晶体管（14）的电路元件。 屏蔽布线层（22）由顺序堆叠在第二绝缘膜上的下屏蔽线（23），第三绝缘膜（24），上屏蔽线（25）和第四绝缘膜（26） 17）。 上下屏蔽线（23）和（25）的布置方向相互交叉。

    Basic cell, edge cell, wiring shape, wiring method, and shield wiring structure
    3.
    发明授权
    Basic cell, edge cell, wiring shape, wiring method, and shield wiring structure 有权
    基本单元，边缘单元，布线形状，布线方法和屏蔽布线结构

    公开(公告)号：US07376928B2

    公开(公告)日：2008-05-20

    申请号：US11705448

    申请日：2007-02-13

    申请人： Noriaki Matsuno ,  Masato Tsunoda ,  Hirofumi Wada

    发明人： Noriaki Matsuno ,  Masato Tsunoda ,  Hirofumi Wada

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5077 ,  G06F21/75 ,  G06K19/07372 ,  H01L23/522 ,  H01L23/576 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A basic cell of the present invention comprises a plurality of wires which constitute a wiring route of 90°, one ends of the plurality of wires being on one of opposite sides, and the other ends of the plurality of wires being on the other one of the opposite sides, wherein: each of the one ends of the plurality of wires is point-symmetric to any of the other ends of the plurality of wires with respect to the center of the area of the basic cell; and routes of the plurality of wires do not cross one another.

    摘要翻译： 本发明的基本单元包括构成90°的布线路径的多条线，多条线的一端在相对的一侧上，多条线的另一端在另一条线上 相对侧，其中：所述多根线中的每一端相对于所述基本单元的区域的中心与所述多根金属丝的任何另一端点对称; 并且多条电线的路线不会彼此交叉。

    Basic cell, edge cell, wiring shape, wiring method, and shield wiring structure
    4.
    发明授权
    Basic cell, edge cell, wiring shape, wiring method, and shield wiring structure 有权
    基本单元，边缘单元，布线形状，布线方法和屏蔽布线结构

    公开(公告)号：US07194719B2

    公开(公告)日：2007-03-20

    申请号：US10914334

    申请日：2004-08-10

    申请人： Noriaki Matsuno ,  Masato Tsunoda ,  Hirofumi Wada

    发明人： Noriaki Matsuno ,  Masato Tsunoda ,  Hirofumi Wada

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5077 ,  G06F21/75 ,  G06K19/07372 ,  H01L23/522 ,  H01L23/576 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A basic cell of the present invention comprises a plurality of wires which constitute a wiring route of 90°, one ends of the plurality of wires being on one of opposite sides, and the other ends of the plurality of wires being on the other one of the opposite sides, wherein: each of the one ends of the plurality of wires is point-symmetric to any of the other ends of the plurality of wires with respect to the center of the area of the basic cell; and routes of the plurality of wires do not cross one another.

    摘要翻译： 本发明的基本单元包括构成90°的布线路径的多条线，多条线的一端在相对的一侧上，多条线的另一端在另一条线上 相对侧，其中：所述多根线中的每一端相对于所述基本单元的区域的中心与所述多根金属丝的任何另一端点对称; 并且多条电线的路线不会彼此交叉。

    SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
    6.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE 有权
    半导体集成电路设备

    公开(公告)号：US20050280038A1

    公开(公告)日：2005-12-22

    申请号：US10520155

    申请日：2003-07-14

    申请人： Rie Itoh ,  Noriaki Matsuno ,  Masato Tsunoda

    发明人： Rie Itoh ,  Noriaki Matsuno ,  Masato Tsunoda

    IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/58 ,  H01L27/10 ,  H01L29/74

    CPC分类号： H01L23/576 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor integrated circuit device (10) is composed of an LSI function unit (11) and a shield wiring layer (22) formed on the unit. The LSI function unit (11) includes a semiconductor substrate (12) and a first insulating film (13), and the semiconductor substrate (12) is formed with a circuit element including, for example, a MOS transistor (14). The shield wiring layer (22) is composed of a lower shield line (23), a third insulating film (24), an upper shield line (25), and a fourth insulating film (26) sequentially stacked above a second insulating film (17). The directions in which the lower and upper shield lines (23) and (25) are arranged intersect each other.

    摘要翻译： 半导体集成电路器件（10）由形成在该单元上的LSI功能单元（11）和屏蔽布线层（22）组成。 LSI功能单元（11）包括半导体衬底（12）和第一绝缘膜（13），并且半导体衬底（12）形成有包括例如MOS晶体管（14）的电路元件。 屏蔽布线层（22）由顺序堆叠在第二绝缘膜上的下屏蔽线（23），第三绝缘膜（24），上屏蔽线（25）和第四绝缘膜（26） 17）。 上下屏蔽线（23）和（25）的布置方向相互交叉。