公开(公告)号：US5015747A

公开(公告)日：1991-05-14

申请号：US348624

申请日：1989-04-07

Applicant: Martin Hostalek ,  Ludwig Pohl ,  Dietrich Erdmann ,  Herbert Schumann ,  Uwe Hartmann ,  Meino Heyen ,  Holger Jurgensen

Inventor： Martin Hostalek ,  Ludwig Pohl ,  Dietrich Erdmann ,  Herbert Schumann ,  Uwe Hartmann ,  Meino Heyen ,  Holger Jurgensen

IPC: C30B29/40 ,  C07F5/00 ,  C07F5/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/20

CPC classification number: C07F5/00

Abstract: The invention relates to organometallic compounds which are stabilized intramolecularly and have a cyclic or bicyclic structure and to the use thereof for the preparation of thin films and epitaxial layers by gas phase deposition.

Abstract translation: PCT No.PCT / EP88 / 00674 Sec。 371日期：1989年4月7日 102（e）日期1989年4月7日PCT Filed 1988年7月26日PCT Pub。 出版物WO89 / 01479 日期：1989年2月23日。本发明涉及分子内稳定且具有环状或双环结构的有机金属化合物及其用于通过气相沉积制备薄膜和外延层的用途。

公开(公告)号：US4991540A

公开(公告)日：1991-02-12

申请号：US334109

申请日：1989-02-24

Applicant: Holger Jurgensen ,  Meino Heyen

Inventor： Holger Jurgensen ,  Meino Heyen

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/14 ,  C23C16/4583 ,  C30B25/08

Abstract: A reactor for MOCVD systems, having a reaction vessel through which the reacting gas or gases flow and in which the substrates are arranged in such a manner that a main surface is approximately parallel to the flow direction. The reaction vessel is made of quartz-glass and has, at least in the region in which the reacting gas flows, a rectangular cross-section. A flange element is provided at the gas-entrance-side end of the reaction vessel, while a protective tube surrounds the reaction vessel. The protective tube is provided with a face-end reactant gas inlet connected with a flange element to which the flange element of the reaction vessel can be flanged. The protective tube has a protective gas inlet in its superficies, which permits purging the space between the reaction vessel and the protective tube, and a reactant gas outlet. The reactant gases are deflected in the reaction vessel and exit through the superficies of the reaction vessel. A diffusion barrier is provided at the end opposite the gas-entrance-side end of the reaction vessel.

Abstract translation: PCT No.PCT / DE88 / 00397 Sec。 371日期1989年2月24日 102（e）日期1989年2月24日PCT Filed 1988年6月30日PCT Pub。 出版物WO89 / 00212 PCT 日本1989年1月12日。一种用于MOCVD系统的反应器，具有反应容器，反应气体或气体通过该反应容器流动，并且其中基板被布置成使得主表面大致平行于流动方向。 反应容器由石英玻璃制成，至少在反应气体流过的区域中具有矩形横截面。 在反应容器的气体入口侧端部设置有法兰元件，同时保护管围绕反应容器。 保护管设置有与凸缘元件连接的面端反应气体入口，反应容器的法兰元件可与其凸缘连接。 保护管在其上部具有保护气体入口，其允许清除反应容器和保护管之间的空间以及反应物气体出口。 反应物气体在反应容器中偏转并通过反应容器的上部排出。 在与反应容器的气体入口侧端相对的端部设置扩散阻挡层。

公开(公告)号：US5112432A

公开(公告)日：1992-05-12

申请号：US389197

申请日：1989-08-03

Applicant: Dietrich Erdmann ,  Max E. Van Ghemen ,  Ludwig Pohl ,  Herbert Schumann ,  Uwe Hartmann ,  Wilfried Wassermann ,  Meino Heyen ,  Holger Jurgensen

Inventor： Dietrich Erdmann ,  Max E. Van Ghemen ,  Ludwig Pohl ,  Herbert Schumann ,  Uwe Hartmann ,  Wilfried Wassermann ,  Meino Heyen ,  Holger Jurgensen

IPC: C07F5/00 ,  C07F5/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/20 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/02 ,  C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C30B29/02 ,  C30B29/40

Abstract: In a process for the production of thin films and epitaxial layers by gas-phase deposition, intramolecularly stabilized organometallic compounds are employed as a source of metal.

公开(公告)号：US5149853A

公开(公告)日：1992-09-22

申请号：US789518

申请日：1991-11-08

Applicant: Dietrich Erdmann ,  Max E. Van Ghemen ,  Ludwig Pohl ,  Herbert Schumann ,  Uwe Hartmann ,  Wilfried Wassermann ,  Meino Heyen ,  Holger Jurgensen

Inventor： Dietrich Erdmann ,  Max E. Van Ghemen ,  Ludwig Pohl ,  Herbert Schumann ,  Uwe Hartmann ,  Wilfried Wassermann ,  Meino Heyen ,  Holger Jurgensen

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/02 ,  C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C30B29/02 ,  C30B29/40

Abstract: In a process for the production of thin films and epitaxial layers by gas-phase deposition, intramolecularly stabilized organometallic compounds are employed as a source of metal.

Abstract translation: 在通过气相沉积制造薄膜和外延层的方法中，使用分子内稳定的有机金属化合物作为金属源。

公开(公告)号：US4777516A

公开(公告)日：1988-10-11

申请号：US850053

申请日：1986-04-10

Applicant: Marc M. Deschler ,  Meino Heyen

Inventor： Marc M. Deschler ,  Meino Heyen

IPC: H01L27/095 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/48

CPC classification number: H01L27/15

Abstract: The invention relates to the fabrication of modules consisting of a number of light-emitting elements (10) and the associated driver electronics (11) integrated on a common conductive p-type Gallium Arsenide substrate (12). The use of a number of such modules to form in a recording head an uninterrupted row of light-emitting elements is furthermore disclosed.

Abstract translation: 本发明涉及由多个发光元件（10）和集成在公共导电p型砷化镓衬底（12）上的相关联的驱动器电子器件（11）组成的模块的制造。 还公开了使用多个这样的模块在记录头中形成不间断的一排发光元件。

公开(公告)号：US4880492A

公开(公告)日：1989-11-14

申请号：US96583

申请日：1987-09-15

Applicant: Dietrich Erdmann ,  Max E. Van Ghemen ,  Ludwig Pohl ,  Herbert Schumann ,  Uwe Hartmann ,  Wilfried Wassermann ,  Meino Heyen ,  Holger Jurgensen

Inventor： Dietrich Erdmann ,  Max E. Van Ghemen ,  Ludwig Pohl ,  Herbert Schumann ,  Uwe Hartmann ,  Wilfried Wassermann ,  Meino Heyen ,  Holger Jurgensen

IPC: C07F5/00 ,  C07F5/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/20 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/02 ,  C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C30B29/02 ,  C30B29/40

Abstract: In a process for the production of thin films and epitaxial layers by gas-phase deposition, intramolecularly stabilized organometallic compounds are employed as a source of metal.

Abstract translation: 在通过气相沉积制造薄膜和外延层的方法中，使用分子内稳定的有机金属化合物作为金属源。