公开(公告)号：US09530912B2

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：US12956422

申请日：2010-11-30

申请人： Morgan C. Putnam ,  Michael D. Kelzenberg ,  Harry A. Atwater ,  Shannon W. Boettcher ,  Nathan S. Lewis ,  Joshua M. Spurgeon ,  Daniel B. Turner-Evans ,  Emily L. Warren

发明人： Morgan C. Putnam ,  Michael D. Kelzenberg ,  Harry A. Atwater ,  Shannon W. Boettcher ,  Nathan S. Lewis ,  Joshua M. Spurgeon ,  Daniel B. Turner-Evans ,  Emily L. Warren

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/056 ,  H01L31/054

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Three-dimensional patterning methods of a three-dimensional microstructure, such as a semiconductor wire array, are described, in conjunction with etching and/or deposition steps to pattern the three-dimensional microstructure.

摘要翻译： 结合用于对三维微结构进行图案化的蚀刻和/或沉积步骤，描述了诸如半导体线阵列的三维微结构的三维图案化方法。

公开(公告)号：US20140096816A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：US13994702

申请日：2011-12-22

申请人： Harry A. Atwater ,  Nathan S. Lewis ,  Andrey D. Poletayev ,  Morgan C. Putnam ,  Michael D. Kelzenberg

发明人： Harry A. Atwater ,  Nathan S. Lewis ,  Andrey D. Poletayev ,  Morgan C. Putnam ,  Michael D. Kelzenberg

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/075 ,  H01L31/072 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1876 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H02S40/22 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

摘要： A heterojunction semiconductor device including an array of microstructures, each microstructure including a microwire of a first semiconductor material and a coating of a second semiconductor material forming a heterojunction with the microwire; a first electrical contact and a second electrical contact, one of which is connected to the microwire and the other of which is connected to the coating, is described. Also described are considerations for configuring the array of microstructures, and methods of forming the array of microstructures.

摘要翻译： 一种异质结半导体器件，其包括微结构阵列，每个微结构包括第一半导体材料的微线和与微线形成异质结的第二半导体材料的涂层; 描述了第一电接触和第二电接触，其中一个电连接到微线，另一个连接到涂层。 还描述了用于配置微结构阵列的注意事项以及形成微结构阵列的方法。

公开(公告)号：US20110129714A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12957065

申请日：2010-11-30

申请人： Michael D. KELZENBERG ,  Harry A. Atwater ,  Ryan M. Biggs ,  Shannon W. Boettcher ,  Nathan S. Lewis ,  Jan A. Petykiewicz

发明人： Michael D. KELZENBERG ,  Harry A. Atwater ,  Ryan M. Biggs ,  Shannon W. Boettcher ,  Nathan S. Lewis ,  Jan A. Petykiewicz

IPC分类号： H01M6/30 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A structure comprising an array of semiconductor structures, an infill material between the semiconductor materials, and one or more light-trapping elements is described. Photoconverters and photoelectrochemical devices based on such structure also described.

摘要翻译： 描述了包括半导体结构阵列，半导体材料之间的填充材料和一个或多个光俘获元件的结构。 基于这种结构的光转换器和光电化学装置也被描述。

公开(公告)号：US08808933B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US12957065

申请日：2010-11-30

申请人： Michael D. Kelzenberg ,  Harry A. Atwater ,  Ryan M. Briggs ,  Shannon W. Boettcher ,  Nathan S. Lewis ,  Jan A. Petykiewicz

发明人： Michael D. Kelzenberg ,  Harry A. Atwater ,  Ryan M. Briggs ,  Shannon W. Boettcher ,  Nathan S. Lewis ,  Jan A. Petykiewicz

IPC分类号： H01M6/30 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A structure comprising an array of semiconductor structures, an infill material between the semiconductor materials, and one or more light-trapping elements is described. Photoconverters and photoelectrochemical devices based on such structure also described.

摘要翻译： 描述了包括半导体结构阵列，半导体材料之间的填充材料和一个或多个光俘获元件的结构。 基于这种结构的光转换器和光电化学装置也被描述。

公开(公告)号：US20110126892A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12956422

申请日：2010-11-30

申请人： Morgan C. PUTNAM ,  Michael D. Kelzenberg ,  Harry A. Atwater ,  Shannon W. Boettcher ,  Nathan S. Lewis ,  Joshua M. Spurgeon ,  Daniel B. Turner-Evans ,  Emily L. Warren

发明人： Morgan C. PUTNAM ,  Michael D. Kelzenberg ,  Harry A. Atwater ,  Shannon W. Boettcher ,  Nathan S. Lewis ,  Joshua M. Spurgeon ,  Daniel B. Turner-Evans ,  Emily L. Warren

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  B82Y99/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Three-dimensional patterning methods of a three-dimensional microstructure, such as a semiconductor wire array, are described, in conjunction with etching and/or deposition steps to pattern the three-dimensional microstructure.

摘要翻译： 结合用于对三维微结构进行图案化的蚀刻和/或沉积步骤，描述了诸如半导体线阵列的三维微结构的三维图案化方法。