公开(公告)号：US08871567B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13641793

申请日：2011-12-19

申请人： Koichi Hirano ,  Shingo Komatsu ,  Yasuteru Saito ,  Naoki Ike

发明人： Koichi Hirano ,  Shingo Komatsu ,  Yasuteru Saito ,  Naoki Ike

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： The present invention achieves a formation of a metal oxide film of a thin film transistor with a simplified process. The present invention is concerned with a method for manufacturing a field-effect transistor comprising a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, a channel layer and a gate insulating layer wherein the channel layer is formed by using a metal salt-containing composition comprising a metal salt, a polyvalent carboxylic acid having a cis-form structure of —C(COOH)═C(COOH)—, an organic solvent and a water wherein a molar ratio of the polyvalent carboxylic acid to the metal salt is in the range of 0.5 to 4.0.

摘要翻译： 本发明通过简化的工艺实现了薄膜晶体管的金属氧化物膜的形成。 本发明涉及一种制造场效应晶体管的方法，该场效应晶体管包括栅电极，源电极，漏电极，沟道层和栅极绝缘层，其中通过使用含金属盐的组合物形成沟道层 包括金属盐，具有-C（COOH）= C（COOH） - 的顺式结构的多元羧酸，有机溶剂和水，其中多价羧酸与金属盐的摩尔比为 范围为0.5至4.0。

公开(公告)号：US08999450B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13498563

申请日：2009-09-28

申请人： Yasuteru Saito ,  Naoki Ike

发明人： Yasuteru Saito ,  Naoki Ike

IPC分类号： B05D3/02 ,  C01G25/02 ,  C01G3/00 ,  C01G3/02 ,  C01G9/00 ,  C01G9/02 ,  C01G15/00 ,  C01G19/02 ,  C01G23/04 ,  C01G33/00 ,  C01G37/027 ,  C01G39/02 ,  C01G49/02 ,  C01G53/04 ,  C23C18/12

CPC分类号： C01G25/02 ,  C01G3/00 ,  C01G3/02 ,  C01G9/00 ,  C01G9/02 ,  C01G15/00 ,  C01G19/02 ,  C01G23/04 ,  C01G33/00 ,  C01G37/027 ,  C01G39/02 ,  C01G49/02 ,  C01G53/04 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/82 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283

摘要： An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate having a metal complex film on the surface thereof. According to the present invention, a metal salt-containing composition containing a metal salt, a polyvalent carboxylic acid having a cis-form structure, and a solvent, in which: the molar ratio of the polyvalent carboxylic acid to the metal salt is not less than 0.5 and not more than 4.0; the moisture content of the composition is not less than 0.05% by weight is used in an application method to apply on a substrate. Thereafter, a two-step heat treatment is carried out.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种在其表面上具有金属复合膜的基板的制造方法。 根据本发明，含有金属盐，具有顺式结构的多元羧酸和溶剂的含金属盐的组合物，其中：多价羧酸与金属盐的摩尔比不小于 大于0.5且不大于4.0; 组合物的含水量不小于0.05重量％用于施用于基材上的涂布方法。 此后，进行两步热处理。

公开(公告)号：US20130032797A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13641793

申请日：2011-12-19

申请人： Koichi Hirano ,  Shingo Komatsu ,  Yasuteru Saito ,  Naoki Ike

发明人： Koichi Hirano ,  Shingo Komatsu ,  Yasuteru Saito ,  Naoki Ike

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： The present invention achieves a formation of a metal oxide film of a thin film transistor with a simplified process. The present invention is concerned with a method for manufacturing a field-effect transistor comprising a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, a channel layer and a gate insulating layer wherein the channel layer is formed by using a metal salt-containing composition comprising a metal salt, a polyvalent carboxylic acid having a cis-form structure of —C(COOH)═C(COOH)—, an organic solvent and a water wherein a molar ratio of the polyvalent carboxylic acid to the metal salt is in the range of 0.5 to 4.0.

摘要翻译： 本发明通过简化的工艺实现了薄膜晶体管的金属氧化物膜的形成。 本发明涉及一种制造场效应晶体管的方法，该场效应晶体管包括栅电极，源电极，漏电极，沟道层和栅极绝缘层，其中通过使用含金属盐的组合物形成沟道层 包括金属盐，具有-C（COOH）= C（COOH） - 的顺式结构的多元羧酸，有机溶剂和水，其中多价羧酸与金属盐的摩尔比为 范围为0.5至4.0。

公开(公告)号：US20120230900A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13498563

申请日：2009-09-28

申请人： Yasuteru Saito ,  Naoki Ike

发明人： Yasuteru Saito ,  Naoki Ike

IPC分类号： C01B13/00 ,  C01F5/00 ,  C01F11/02 ,  C01F17/00 ,  C01G23/04 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  C01G37/02 ,  C01G41/02 ,  C01G49/02 ,  C01G53/04 ,  C01G3/02 ,  C01G5/00 ,  C01F7/02 ,  C01G15/00 ,  C01G19/02 ,  C01G30/00 ,  B05D3/02 ,  C23C30/00 ,  C01G9/02

CPC分类号： C01G25/02 ,  C01G3/00 ,  C01G3/02 ,  C01G9/00 ,  C01G9/02 ,  C01G15/00 ,  C01G19/02 ,  C01G23/04 ,  C01G33/00 ,  C01G37/027 ,  C01G39/02 ,  C01G49/02 ,  C01G53/04 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/82 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283

摘要： An object of the present invention is to provide a metal salt-containing composition which is applicable to many metal source materials, and can be used for forming a compact and uniform metal oxide film comparable to those formed according to a sputtering method, as well as to provide a substrate having a metal complex film on the surface thereof obtained using the metal salt-containing composition, and a substrate having a metal complex film on the surface thereof obtained by further heating the substrate. Moreover, another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate having such a metal complex film on the surface thereof.According to the present invention, a metal salt-containing composition containing a metal salt, a polyvalent carboxylic acid having a cis-form structure, and a solvent, in which: the molar ratio of the polyvalent carboxylic acid to the metal salt is not less than 0.5 and not more than 4.0; the moisture content of the composition is not less than 0.05% by weight is used in an application method to apply on a substrate. Thereafter, a two-step heat treatment is carried out.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种适用于许多金属源材料的含金属盐的组合物，可用于形成与根据溅射法形成的那些相当的紧凑且均匀的金属氧化物膜，以及 提供一种使用含金属盐的组合物在其表面上具有金属络合物膜的基板，以及在其表面上具有通过进一步加热基板而获得的金属络合物膜的基板。 此外，本发明的另一个目的是提供一种在其表面上制造具有这种金属络合物膜的基板的方法。 根据本发明，含有金属盐，具有顺式结构的多元羧酸和溶剂的含金属盐的组合物，其中：多价羧酸与金属盐的摩尔比不小于 大于0.5且不大于4.0; 组合物的含水量不小于0.05重量％用于施用于基材上的涂布方法。 此后，进行两步热处理。