公开(公告)号：US07507678B2

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：US10594252

申请日：2005-03-25

申请人： Norifumi Fujimura ,  Ryoma Hayakawa ,  Hiroya Kitahata ,  Tsuyoshi Uehara ,  Takuya Yara

发明人： Norifumi Fujimura ,  Ryoma Hayakawa ,  Hiroya Kitahata ,  Tsuyoshi Uehara ,  Takuya Yara

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01J37/32009 ,  C23C8/24 ,  C23C8/28 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： Uniform oxynitride and nitride films can be formed by low-temperature and high-speed nitriding reaction not dependent on the nitriding time or nitriding temperature. A solid dielectric is provided on at least one of opposed surfaces of a pair of electrodes opposed to each other under a pressure of 300 (Torr) or higher, a nitrogen gas containing an oxide equal to or lower than 0.2% is introduced into a space between the pair of opposed electrodes, an electric field is applied to the nitrogen gas, and the resulting N2 (2nd p.s.) or N2 (H.I.R) active species is brought into contact with an object to be processed to form an oxynitride film/nitride film on a surface of the object to be processed.

摘要翻译： 可以通过不依赖于氮化时间或氮化温度的低温高速氮化反应形成均匀的氮氧化物和氮化物膜。 在300（Torr）以上的压力下，在一对电极的相对面的至少一个上设置固体电介质，将含有0.2％以上的氧化物的氮气引入到空间 在一对相对的电极之间，向氮气施加电场，并使得到的N 2（2nd ps）或N 2（HIR）活性物质与待处理的物体接触以形成氧氮化物膜/氮化物膜 在待处理物体的表面上。

公开(公告)号：US20080113519A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11960558

申请日：2007-12-19

申请人： Norifumi FUJIMURA ,  Ryoma Hayakawa ,  Hiroya Kitahata ,  Tsuyoshi Uehara ,  Takuya Yara

发明人： Norifumi FUJIMURA ,  Ryoma Hayakawa ,  Hiroya Kitahata ,  Tsuyoshi Uehara ,  Takuya Yara

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01J37/32009 ,  C23C8/24 ,  C23C8/28 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： Uniform oxynitride and nitride films can be formed by low-temperature and high-speed nitriding reaction not dependent on the nitriding time or nitriding temperature. A solid dielectric is provided on at least one of opposed surfaces of a pair of electrodes opposed to each other under a pressure of 300 (Torr) or higher, a nitrogen gas containing an oxide equal to or lower than 0.2% is introduced into a space between the pair of opposed electrodes, an electric field is applied to the nitrogen gas, and the resulting N2 (2nd p.s.) or N2 (H.I.R) active species is brought into contact with an object to be processed to form an oxynitride film/nitride film on a surface of the object to be processed.

摘要翻译： 可以通过不依赖于氮化时间或氮化温度的低温高速氮化反应形成均匀的氮氧化物和氮化物膜。 在300（Torr）以上的压力下，在一对电极的相对面的至少一个的表面上设置固体电介质，将含有0.2％以上的氧化物的氮气导入空间 在一对相对的电极之间，向氮气施加电场，并且产生的N 2（2）和/或2 N 2 使（HIR）活性物质与待处理物体接触，以在被处理物体的表面上形成氧氮化物膜/氮化物膜。

公开(公告)号：US20070190801A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US10594252

申请日：2005-03-25

申请人： Norifumi Fujimura ,  Ryoma Hayakawa ,  Hiroya Kitahata ,  Tsuyoshi Uehara ,  Takuya Yara

发明人： Norifumi Fujimura ,  Ryoma Hayakawa ,  Hiroya Kitahata ,  Tsuyoshi Uehara ,  Takuya Yara

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01J37/32009 ,  C23C8/24 ,  C23C8/28 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： Uniform oxynitride and nitride films can be formed by low-temperature and high-speed nitriding reaction not dependent on the nitriding time or nitriding temperature. A solid dielectric is provided on at least one of opposed surfaces of a pair of electrodes opposed to each other under a pressure of 300 (Torr) or higher, a nitrogen gas containing an oxide equal to or lower than 0.2% is introduced into a space between the pair of opposed electrodes, an electric field is applied to the nitrogen gas, and the resulting N2 (2nd p.s.) or N2 (H.I.R) active species is brought into contact with an object to be processed to form an oxynitride film/nitride film on a surface of the object to be processed.

摘要翻译： 可以通过不依赖于氮化时间或氮化温度的低温高速氮化反应形成均匀的氮氧化物和氮化物膜。 在300（Torr）以上的压力下，在一对电极的相对面的至少一个的表面上设置固体电介质，将含有0.2％以上的氧化物的氮气导入空间 在一对相对的电极之间，向氮气施加电场，并且产生的N 2（2）和/或2 N 2 使（HIR）活性物质与待处理物体接触，以在被处理物体的表面上形成氧氮化物膜/氮化物膜。

公开(公告)号：US06245451B1

公开(公告)日：2001-06-12

申请号：US09068996

申请日：1998-05-27

申请人： Akira Kamisawa ,  Norifumi Fujimura

发明人： Akira Kamisawa ,  Norifumi Fujimura

IPC分类号： B32B1800

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C01G45/1264 ,  C01G47/00 ,  C01P2006/42 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/08 ,  C30B23/02 ,  C30B29/22 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/78391

摘要： A ferroelectric material having a basic structure of ReMnO3, said ferroelectric material comprises Re and Mn one of which is contained in excess of the other to a limit of 20 at. % or the ferroelectric material is further added with a 4-valence element. Also, a method of forming a ferroelectric material, comprises decreasing an oxygen partial pressure within a growth reactor such as a vacuum deposition reactor, and forming a film on a film-forming surface of a substrate (4) while blowing an oxidizing source thereto. This structure provides a ferroelectric material low in leak current and improved in ferroelectric characteristics. Where using the material for a semiconductor memory device, its characteristics can be improved.

摘要翻译： 具有ReMnO 3的基本结构的铁电材料，所述铁电体材料包括Re和Mn，其中一个超过另一个至20at的极限。 ％或铁电材料进一步加入4价元素。 此外，形成铁电体材料的方法包括降低诸如​​真空沉积反应器的生长反应器内的氧分压，以及在将氧化源吹入的同时在基板（4）的成膜表面上形成膜。 这种结构提供了漏电流低且铁电特性提高的铁电材料。 在使用半导体存储器件的材料的情况下，可以提高其特性。