公开(公告)号：US08625327B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13054577

申请日：2009-07-02

申请人： Tetsuhiro Suzuki ,  Shunsuke Fukami ,  Kiyokazu Nagahara ,  Norikazu Oshima ,  Nobuyuki Ishiwata

发明人： Tetsuhiro Suzuki ,  Shunsuke Fukami ,  Kiyokazu Nagahara ,  Norikazu Oshima ,  Nobuyuki Ishiwata

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10

摘要： A domain wall motion type MRAM has: a magnetic recording layer 10 being a ferromagnetic layer having perpendicular magnetic anisotropy; a pair of current supply terminals 14a and 14b connected to the magnetic recording layer 10 for supplying a current to the magnetic recording layer 10; and an anti-ferromagnetic layer 45 being in contact with a first region R1 of the magnetic recording layer 10. The first region R1 includes a part of a current supply region RA of the magnetic recording layer 10 that is between the pair of current supply terminals 14a and 14b.

摘要翻译： 畴壁运动型MRAM具有：具有垂直磁各向异性的铁磁层的磁记录层10; 连接到用于向磁记录层10提供电流的磁记录层10的一对电流供给端子14a和14b; 以及与磁记录层10的第一区域R1接触的反铁磁层45.第一区域R1包括在一对电流供给端子之间的磁记录层10的电流供应区域RA的一部分 14a和14b。

公开(公告)号：US20110163402A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US13061299

申请日：2009-08-13

申请人： Shunsuke Fukami ,  Nobuyuki Ishiwata ,  Tetsuhiro Suzuki ,  Kiyokazu Nagahara ,  Norikazu Oshima

发明人： Shunsuke Fukami ,  Nobuyuki Ishiwata ,  Tetsuhiro Suzuki ,  Kiyokazu Nagahara ,  Norikazu Oshima

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0841 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory according to the present invention has: a first underlayer; a second underlayer so formed on the first underlayer as to be in contact with the first underlayer; and a data storage layer so formed on the second underlayer as to be in contact with the second underlayer. The data storage layer is made of a ferromagnetic material having perpendicular magnetic anisotropy. A magnetization state of the data storage layer is changed by current driven domain wall motion.

摘要翻译： 根据本发明的磁存储器具有：第一底层; 第二底层如此形成在第一底层上以与第一底层接触; 以及形成在第二底层上以与第二底层接触的数据存储层。 数据存储层由具有垂直磁各向异性的铁磁材料制成。 数据存储层的磁化状态由电流驱动畴壁运动改变。

公开(公告)号：US20110116306A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US13054577

申请日：2009-07-02

申请人： Tetsuhiro Suzuki ,  Shunsuke Fukami ,  Kiyokazu Nagahara ,  Norikazu Oshima ,  Nobuyuki Ishiwata

发明人： Tetsuhiro Suzuki ,  Shunsuke Fukami ,  Kiyokazu Nagahara ,  Norikazu Oshima ,  Nobuyuki Ishiwata

IPC分类号： G11C11/22 ,  H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10

摘要： A domain wall motion type MRAM has: a magnetic recording layer 10 being a ferromagnetic layer having perpendicular magnetic anisotropy; a pair of current supply terminals 14a and 14b connected to the magnetic recording layer 10 for supplying a current to the magnetic recording layer 10; and an anti-ferromagnetic layer 45 being in contact with a first region R1 of the magnetic recording layer 10. The first region R1 includes a part of a current supply region RA of the magnetic recording layer 10 that is between the pair of current supply terminals 14a and 14b.

摘要翻译： 畴壁运动型MRAM具有：具有垂直磁各向异性的铁磁层的磁记录层10; 连接到用于向磁记录层10提供电流的磁记录层10的一对电流供给端子14a和14b; 以及与磁记录层10的第一区域R1接触的反铁磁层45.第一区域R1包括在一对电流供给端子之间的磁记录层10的电流供应区域RA的一部分 14a和14b。