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    Resistor and manufacturing method thereof
    3.
    发明授权
    Resistor and manufacturing method thereof 有权
    电阻及其制造方法

    公开(公告)号：US08524556B1

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US13419437

    申请日：2012-03-14

    申请人： Chun-Mao Chiou ,  Ti-Bin Chen ,  Tsung-Min Kuo ,  Shyan-Liang Chou ,  Yao-Chang Wang ,  Chi-Sheng Tseng ,  Jie-Ning Yang ,  Po-Jui Liao

    发明人： Chun-Mao Chiou ,  Ti-Bin Chen ,  Tsung-Min Kuo ,  Shyan-Liang Chou ,  Yao-Chang Wang ,  Chi-Sheng Tseng ,  Jie-Ning Yang ,  Po-Jui Liao

    IPC分类号： H01L21/8234

    CPC分类号： H01L27/0629

    摘要： A method of manufacturing a resistor integrated with a transistor having metal gate includes providing a substrate having a transistor region and a resistor region defined thereon, a transistor is positioned in the transistor region and a resistor is positioned in the resistor region; forming a dielectric layer exposing tops of the transistor and the resistor on the substrate; performing a first etching process to remove portions of the resistor to form two first trenches respectively at two opposite ends of the resistor; forming a patterned protecting layer in the resistor region; performing a second etching process to remove a dummy gate of the transistor to form a second trench in the transistor region; and forming a metal layer filling the first trenches and the second trench.

    摘要翻译： 一种制造与具有金属栅极的晶体管集成的电阻器的方法包括提供具有晶体管区域和限定在其上的电阻器区域的衬底，晶体管位于晶体管区域中，并且电阻器位于电阻器区域中; 形成暴露所述晶体管顶部和所述基板上的所述电阻器的电介质层; 执行第一蚀刻工艺以去除电阻器的部分以分别在电阻器的两个相对端处形成两个第一沟槽; 在所述电阻器区域中形成图案化保护层; 执行第二蚀刻工艺以去除晶体管的伪栅极以在晶体管区域中形成第二沟槽; 以及形成填充所述第一沟槽和所述第二沟槽的金属层。

    METAL GATE PROCESS
    4.
    发明申请
    METAL GATE PROCESS 有权
    金属门过程

    公开(公告)号：US20130102145A1

    公开(公告)日：2013-04-25

    申请号：US13279355

    申请日：2011-10-24

    申请人： Kuang-Hung Huang ,  Po-Jui Liao ,  Yao-Chang Wang ,  Chi-Sheng Tseng ,  Jie-Ning Yang

    发明人： Kuang-Hung Huang ,  Po-Jui Liao ,  Yao-Chang Wang ,  Chi-Sheng Tseng ,  Jie-Ning Yang

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

    摘要： A metal gate process includes the following steps. An isolating layer on a substrate is provided, where the isolating layer has a first recess and a second recess. A first metal layer covering the first recess and the second recess is formed. A material is filled in the first recess but exposing a top part of the first recess. The first metal layer in the top part of the first recess and in the second recess is simultaneously removed. The material is removed. A second metal layer and a metal gate layer in the first recess and the second recess are sequentially filled.

    摘要翻译： 金属浇口工艺包括以下步骤。 提供了衬底上的隔离层，隔离层具有第一凹部和第二凹部。 形成覆盖第一凹部和第二凹部的第一金属层。 材料填充在第一凹部中，但是露出第一凹部的顶部。 第一凹部的顶部和第二凹部中的第一金属层被同时移除。 材料被去除。 顺序地填充第一凹槽和第二凹槽中的第二金属层和金属栅极层。

    Metal gate process
    8.
    发明授权
    Metal gate process 有权
    金属门工艺

    公开(公告)号：US08753968B2

    公开(公告)日：2014-06-17

    申请号：US13279355

    申请日：2011-10-24

    申请人： Kuang-Hung Huang ,  Po-Jui Liao ,  Yao-Chang Wang ,  Chi-Sheng Tseng ,  Jie-Ning Yang

    发明人： Kuang-Hung Huang ,  Po-Jui Liao ,  Yao-Chang Wang ,  Chi-Sheng Tseng ,  Jie-Ning Yang

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

    摘要： A metal gate process includes the following steps. An isolating layer on a substrate is provided, where the isolating layer has a first recess and a second recess. A first metal layer covering the first recess and the second recess is formed. A material is filled in the first recess but exposing a top part of the first recess. The first metal layer in the top part of the first recess and in the second recess is simultaneously removed. The material is removed. A second metal layer and a metal gate layer in the first recess and the second recess are sequentially filled.

    摘要翻译： 金属浇口工艺包括以下步骤。 提供了衬底上的隔离层，隔离层具有第一凹部和第二凹部。 形成覆盖第一凹部和第二凹部的第一金属层。 材料填充在第一凹部中，但是露出第一凹部的顶部。 第一凹部的顶部和第二凹部中的第一金属层被同时移除。 材料被去除。 顺序地填充第一凹槽和第二凹槽中的第二金属层和金属栅极层。

    SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL GATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    10.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL GATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
    具有金属门的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130099307A1

    公开(公告)日：2013-04-25

    申请号：US13278186

    申请日：2011-10-21

    申请人： Chi-Sheng Tseng ,  Jie-Ning Yang ,  Kuang-Hung Huang ,  Yao-Chang Wang ,  Po-Jui Liao ,  Shih-Chieh Hsu

    发明人： Chi-Sheng Tseng ,  Jie-Ning Yang ,  Kuang-Hung Huang ,  Yao-Chang Wang ,  Po-Jui Liao ,  Shih-Chieh Hsu

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

    摘要： A manufacturing method of a semiconductor device having metal gate includes providing a substrate having a first semiconductor device and a second semiconductor device formed thereon, the first semiconductor device having a first gate trench and the second semiconductor device having a second gate trench, forming a first work function metal layer in the first gate trench, forming a second work function metal layer in the first gate trench and the second gate trench, forming a first patterned mask layer exposing portions of the second work function metal layer in the first gate trench and the second gate trench, and performing an etching process to remove the exposed second work function metal layer.

    摘要翻译： 具有金属栅极的半导体器件的制造方法包括提供具有形成在其上的第一半导体器件和第二半导体器件的衬底，所述第一半导体器件具有第一栅极沟槽，并且所述第二半导体器件具有第二栅极沟槽，形成第一 在第一栅极沟槽中形成功函数金属层，在第一栅极沟槽和第二栅极沟槽中形成第二功函数金属层，形成暴露第一栅极沟槽中的第二功函数金属层的部分的第一图案化掩模层， 第二栅极沟槽，并且执行蚀刻工艺以去除暴露的第二功函数金属层。