公开(公告)号：US20050136670A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10741370

申请日：2003-12-19

申请人： Joseph Ameen ,  Raymond Lavoie ,  John Quanci ,  Joseph So ,  Terence Thomas ,  Qianqiu Ye

发明人： Joseph Ameen ,  Raymond Lavoie ,  John Quanci ,  Joseph So ,  Terence Thomas ,  Qianqiu Ye

IPC分类号： B24B37/00 ,  B24D3/02 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/461

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing copper on a semiconductor wafer comprising by weight percent 0.001 to 6 inhibitor for a nonferrous metal, 0.05 to 10 complexing agent for the metal, 0.01 to 25 copper removal agent for accelerating the removal of the copper, 0.5 to 40 abrasive, 0 to 10 selected from the group comprising, polyvinylpyrrolidone, thermoplastic polymer and mixtures thereof, wherein the copper removal agent is imidazole.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上抛光铜的水性组合物，其包含用于有色金属的重量百分比为0.001至6的抑制剂，用于金属的0.05至10种络合剂，用于加速铜的去除的0.01至25种铜去除剂 ，0.5至40个研磨剂，0至10个选自聚乙烯吡咯烷酮，热塑性聚合物及其混合物，其中除铜剂为咪唑。

公开(公告)号：US20060135045A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11015528

申请日：2004-12-17

申请人： Jinru Bian ,  Raymond Lavoie ,  John Quanci ,  Qianqiu Ye

发明人： Jinru Bian ,  Raymond Lavoie ,  John Quanci ,  Qianqiu Ye

IPC分类号： B24B1/00 ,  C09K3/14

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： The aqueous polishing composition is useful for polishing semiconductor substrates. The polishing solution comprises 0.001 to 2 wt % of a polyvinylalcohol copolymer, the polyvinylalcohol copolymer having a first component, a second component and a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000 grams/mole, and the first component being 50 to 95 mole percent vinyl alcohol and the second component being more hydrophobic than the vinyl alcohol and 0.05 to 50 wt % silica abrasive particles; and the composition having a pH of 8 to 12.

摘要翻译： 水性抛光组合物可用于研磨半导体衬底。 抛光液含有0.001〜2重量％的聚乙烯醇共聚物，该聚乙烯醇共聚物具有第一成分，第二成分，重均分子量为1,000〜1,000,000克/摩尔，第一成分为50〜95摩尔％乙烯基 醇和第二组分比乙烯醇更憎水和0.05至50重量％的二氧化硅磨料颗粒; 该组合物的pH为8〜12。

公开(公告)号：US5649445A

公开(公告)日：1997-07-22

申请号：US439783

申请日：1995-05-12

申请人： Raymond Lavoie ,  David P. Gouveia

发明人： Raymond Lavoie ,  David P. Gouveia

IPC分类号： H01R4/64 ,  H01R43/042 ,  B21D37/02

CPC分类号： H01R43/042 ,  H01R4/64

摘要： A set of dies for crimping the connector to a structural member, such as an I-beam. The set of dies includes a pair of crimping dies provided within a compression for crimping tool. A pair of removable embossing dies is inserted into the crimping tool to initially emboss the surfaces of an I-beam flange. The embossing dies are removed and the connector is installed on the flange of the I-beam. The tool is positioned over the connector, and the crimp is made. Henceforth, pressure is applied to the tool by the crimping dies which would then crimp the connector in place.

摘要翻译： 用于将连接器压接到诸如I型梁的结构构件的一组模具。 该组模具包括设置在压接工具的压缩内的一对压接模具。 将一对可移动压花模插入到压接工具中，以初始地压印工字钢凸缘的表面。 去除压花模具，并将连接器安装在工字梁的凸缘上。 该工具位于连接器上方，并进行压接。 此后，通过压接模具将压力施加到工具上，然后压接模具将接头压接到位。

公开(公告)号：US20050194562A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US10785666

申请日：2004-02-23

申请人： Raymond Lavoie ,  John Quanci ,  Qianqiu Ye

发明人： Raymond Lavoie ,  John Quanci ,  Qianqiu Ye

IPC分类号： B24B37/00 ,  B24B1/00 ,  B44C1/22 ,  C08J5/14 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： A polishing composition suitable for polishing semiconductor substrates comprises 0.001 to 2 wt % of a thermoplastic polymer; and 0.001 to 1 wt % of polyvinylpyrrolidone; wherein varying the weight ratio of thermoplastic polymer to the polyvinylpyrrolidone controls the removal rate of the non-ferrous interconnect.

摘要翻译： 适用于研磨半导体衬底的抛光组合物包含0.001至2重量％的热塑性聚合物; 和0.001〜1重量％的聚乙烯吡咯烷酮; 其中改变热塑性聚合物与聚乙烯吡咯烷酮的重量比控制有色互连的去除速率。