公开(公告)号：US4637122A

公开(公告)日：1987-01-20

申请号：US759798

申请日：1985-07-29

申请人： James K. Carney ,  Robert M. Kolbas

发明人： James K. Carney ,  Robert M. Kolbas

IPC分类号： H01S5/227 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3428 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/4087 ,  Y10S148/066 ,  Y10S148/072 ,  Y10S148/095

摘要： An integrated quantum well laser structure which has a plurality of quantum well lasers for providing a plurality of light beams each having a different wavelength for use in wavelength division multiplexing.

摘要翻译： 一种集成的量子阱激光器结构，其具有多个量子阱激光器，用于提供每个具有不同波长的多个光束用于波分复用。

公开(公告)号：US4532694A

公开(公告)日：1985-08-06

申请号：US507846

申请日：1983-06-27

申请人： Robert M. Kolbas

发明人： Robert M. Kolbas

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/24 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22 ,  H01L21/20 ,  H01L21/208

CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/026 ,  H01S5/125 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/2203 ,  Y10S148/05 ,  Y10S148/072

摘要： Integration of optoelectronic component and electronic components in a planar surface of a semi-insulating substrate such as gallium arsenide. A depression is etched into the planar surface to contain the transverse junction stripe laser structure which is grown by epitaxial layers. In the resulting structure the surface of the epitaxial layers forms a portion of the planar surface, thus placing the electrical and optical elements on or at the planar surface to facilitate fabrication and testing.

摘要翻译： 将光电子部件和电子部件集成在诸如砷化镓的半绝缘基板的平面中。 将凹陷蚀刻到平坦表面中以包含通过外延层生长的横向结条形激光器结构。 在所得到的结构中，外延层的表面形成平面表面的一部分，从而将电和光学元件放置在平面上或在平面上，以便制造和测试。

公开(公告)号：US4577321A

公开(公告)日：1986-03-18

申请号：US533187

申请日：1983-09-19

申请人： James K. Carney ,  Robert M. Kolbas

发明人： James K. Carney ,  Robert M. Kolbas

IPC分类号： H01S5/227 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40 ,  H01S3/19

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3428 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/4087

摘要： An integrated quantum well laser structure which has a plurality of quantum well lasers for providing a plurality of light beams each having a different wavelength for use in wavelength division multiplexing.

公开(公告)号：US5875052A

公开(公告)日：1999-02-23

申请号：US924567

申请日：1997-09-05

申请人： Irina K. Shmagin ,  John F. Muth ,  Robert M. Kolbas

发明人： Irina K. Shmagin ,  John F. Muth ,  Robert M. Kolbas

IPC分类号： G11B7/0045 ,  G11B7/005 ,  G11B7/125 ,  G11B7/14 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/253 ,  G11B7/257 ,  G11C13/04

CPC分类号： G11B7/243 ,  G11B7/00455 ,  G11B7/0052 ,  G11B7/127 ,  G11B7/253 ,  G11B7/257 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24322 ,  G11B7/14 ,  G11B7/24

摘要： Spatially localized radiation, preferably ultraviolet visible radiation, representing information is impinged onto a spatially localized area of a heterostructure comprising a ternary Group III-V Nitride semiconductor material. It has been found that the spatially localized optical radiation reversibly changes the properties of the heterostructure comprising ternary Group III-V Nitride semiconductor material in the spatially localized area, to thereby provide an optical memory. The stored information can be read from the memory by impinging blanket radiation, preferably ultraviolet radiation of the same frequency which was used to write the information, onto the heterostructure comprising ternary Group III-V Nitride semiconductor material including onto the spatially localized area thereof. Simultaneously, the changes in the properties of the heterostructure comprising ternary Group III-V Nitride semiconductor material in the spatially localized area as a result of the impinged blanket radiation are detected, to thereby read the information. Thus, high density, high contrast patterns can be written in spatially localized areas of a heterostructure comprising ternary Group III-V Nitride semiconductor material with ultraviolet light at room temperature and at cryogenic temperatures.

摘要翻译： 表示信息的空间定位辐射，优选紫外可见辐射，撞击到包含三元III-V族氮化物半导体材料的异质结构的空间局部区域上。 已经发现，空间局部化的光辐射可逆地改变在空间局部区域中包含三元III-V族氮化物半导体材料的异质结构的性质，从而提供光学存储器。 存储的信息可以通过将用于写入信息的相同频率的毯式辐射（优选地是紫外线辐射）包含在包括在其空间局部区域上的三元III-V族氮化物半导体材料的异质结构上而从存储器读取。 同时，检测在空间局部区域中包含三次III-V族氮化物半导体材料的异质结构性质的变化，作为冲击的覆盖层辐射的结果，从而读取信息。 因此，高密度，高对比度图案可以写入包含三元III-V族氮化物半导体材料的异质结构的空间局部区域，在室温和低温下具有紫外光。