公开(公告)号：US20080304734A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US12221806

申请日：2008-08-07

申请人： Scott A. Young ,  Roger Kroeze ,  Curt H. Chadwick ,  Nicholas Szabo ,  Kent E. Douglas ,  Fred E. Babian

发明人： Scott A. Young ,  Roger Kroeze ,  Curt H. Chadwick ,  Nicholas Szabo ,  Kent E. Douglas ,  Fred E. Babian

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G06T7/001 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/95607 ,  G06T2207/30148

摘要： A method and apparatus, and variations of each, for inspecting a wafer defining at least one die thereon is disclosed. The present invention first obtains the electronic image equivalent of two die, and then determines the x and y offset between those electronic images. Prior to inspection for defects, those two electronic images are aligned by adjusting the x and y positions of one electronic image of one die with respect to the electronic image of the other die. Once that is accomplished, the those electronic images are compared to detect any defects that may exist on one of the die.

摘要翻译： 公开了一种用于检查在其上限定至少一个管芯的晶片的方法和装置及其变化。 本发明首先获得两个模具的电子图像等价物，然后确定这些电子图像之间的x和y偏移。 在检查缺陷之前，通过相对于另一个管芯的电子图像调整一个管芯的一个电子图像的x和y位置来对准这两个电子图像。 一旦完成，将这些电子图像进行比较，以检测其中一个模具上可能存在的任何缺陷。

公开(公告)号：US07115866B1

公开(公告)日：2006-10-03

申请号：US11116617

申请日：2005-04-28

申请人： Roger Kroeze ,  David A. Soltz ,  David A. Crewe ,  Gregory W. Grant ,  Chiyan Kuan ,  Thierry H. C. Nguyen ,  Salvatore T. Fahey ,  Edward M. James

发明人： Roger Kroeze ,  David A. Soltz ,  David A. Crewe ,  Gregory W. Grant ,  Chiyan Kuan ,  Thierry H. C. Nguyen ,  Salvatore T. Fahey ,  Edward M. James

IPC分类号： G21K7/00 ,  G01N23/00

CPC分类号： G01N23/2252 ,  H01J37/252 ,  H01J37/265 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/2487 ,  H01J2237/2561 ,  H01J2237/30477

摘要： A method of measuring properties of a sample using an electron beam. Coordinates of a measurement site on the sample, and a diameter of the electron beam are defined. Multiple measurement locations are determined within the measurement site, using the coordinates of the measurement site and the diameter of the electron beam. The measurement locations are selected such that the electron beam when directed at the multiple measurement locations (either through beam deflection or sample movement) substantially covers the measurement site. The electron beam is directed to the measurement locations and properties of the sample are measured at each of the measurement locations.

摘要翻译： 使用电子束测量样品的性质的方法。 定义样品上的测量部位的坐标和电子束的直径。 使用测量部位的坐标和电子束的直径，在测量部位内确定多个测量位置。 选择测量位置使得当指向​​多个测量位置（通过光束偏转或样品移动）时的电子束基本上覆盖测量位置。 电子束被引导到测量位置，并且在每个测量位置处测量样品的性质。

公开(公告)号：US20050254698A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US11180348

申请日：2005-07-13

申请人： Scott Young ,  Roger Kroeze ,  Curt Chadwick ,  Nicholas Szabo ,  Kent Douglas ,  Fred Babian

发明人： Scott Young ,  Roger Kroeze ,  Curt Chadwick ,  Nicholas Szabo ,  Kent Douglas ,  Fred Babian

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01N21/956 ,  G06K9/00 ,  G06T7/00 ,  H04N7/18

CPC分类号： G06T7/001 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/95607 ,  G06T2207/30148

摘要： A method and apparatus, and variations of each, for inspecting a wafer defining at least one die thereon is disclosed. The present invention first obtains the electronic image equivalent of two die, and then determines the x and y offset between those electronic images. Prior to inspection for defects, those two electronic images are aligned by adjusting the x and y positions of one electronic image of one die with respect to the electronic image of the other die. Once that is accomplished, the those electronic images are compared to detect any defects that may exist on one of the die.

摘要翻译： 公开了一种用于检查在其上限定至少一个管芯的晶片的方法和装置及其变化。 本发明首先获得两个模具的电子图像等价物，然后确定这些电子图像之间的x和y偏移。 在检查缺陷之前，通过相对于另一个管芯的电子图像调整一个管芯的一个电子图像的x和y位置来对准这两个电子图像。 一旦完成，将这些电子图像进行比较，以检测其中一个模具上可能存在的任何缺陷。

公开(公告)号：US06788760B1

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US10317607

申请日：2002-12-11

申请人： Gary Janik ,  Roger Kroeze ,  Murali Narsimhan

发明人： Gary Janik ,  Roger Kroeze ,  Murali Narsimhan

IPC分类号： G01N23223

CPC分类号： G01N23/2252 ,  H01J2237/2445

摘要： Methods and apparatus are providing for characterizing thin films in an integrated circuit device. A target including multiple layers is scanned using an x-ray emission inducer. X-ray emissions characteristic of materials in the target are measured. In one example, multiple beam energies are used to conduct the scan. In another example, continuously varying beam energies are used. Information such as K-ratios or the intensity of the x-ray emissions is provided to determine the thickness and/or composition of layers in the scan target.

摘要翻译： 提供用于在集成电路器件中表征薄膜的方法和装置。 使用x射线发射诱导器扫描包括多个层的靶。 测量目标材料的X射线发射特性。 在一个示例中，使用多个光束能量来进行扫描。 在另一示例中，使用连续变化的束能。 提供诸如K比率或x射线发射强度的信息以确定扫描目标中的层的厚度和/或组成。

公开(公告)号：US6141038A

公开(公告)日：2000-10-31

申请号：US884466

申请日：1997-06-27

申请人： Scott A. Young ,  Roger Kroeze ,  Curt H. Chadwick ,  Nicholas Szabo ,  Kent E. Douglas ,  Fred E. Babian

发明人： Scott A. Young ,  Roger Kroeze ,  Curt H. Chadwick ,  Nicholas Szabo ,  Kent E. Douglas ,  Fred E. Babian

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01N21/956 ,  G06K9/00 ,  G06T7/00 ,  H04N7/18

CPC分类号： G06T7/001 ,  G01N21/95607 ,  G01N21/9501 ,  G06T2207/30148

摘要： A method and apparatus, and variations of each, for inspecting a wafer defining at least one die thereon is disclosed. The present invention first obtains the electronic image equivalent of two die, and then determines the x and y offset between those electronic images. Prior to inspection for defects, those two electronic images are aligned by adjusting the x and y positions of one electronic image of one die with respect to the electronic image of the other die. Once that is accomplished, those electronic images are compared to detect any defects that may exist on one of the die.

摘要翻译： 公开了一种用于检查在其上限定至少一个管芯的晶片的方法和装置及其变化。 本发明首先获得两个模具的电子图像等价物，然后确定这些电子图像之间的x和y偏移。 在检查缺陷之前，通过相对于另一个管芯的电子图像调整一个管芯的一个电子图像的x和y位置来对准这两个电子图像。 一旦完成，那些电子图像被比较以检测可能存在于其中一个模具上的任何缺陷。