公开(公告)号：US20050128812A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US11042866

申请日：2005-01-25

申请人： Jin Cai ,  Tak Ning

发明人： Jin Cai ,  Tak Ning

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L29/788 ,  G11C11/34

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7881

摘要： A low programming power, high speed EEPROM device is disclosed which is adapted for large scale integration. The device comprises a body, a source, a drain, and it has means for injecting a programming current into the body. The hot carriers from the body enter the floating gate with much higher efficiency than channel current carriers are capable of doing. The drain current of this device is controlled by the body bias. The device is built on an insulator, with a bottom common plate, and a top side body. These features make the device ideal for SOI and thin film technologies.

摘要翻译： 公开了一种适用于大规模集成的低编程能力的高速EEPROM器件。 该装置包括主体，源极，漏极，并且具有用于将编程电流注入到体内的装置。 来自身体的热载体进入浮动门，效率高于通道载流子能够做到的效率。 该器件的漏极电流由器件偏置控制。 该装置建立在绝缘体上，底部共同板和顶侧体。 这些特性使得器件成为SOI和薄膜技术的理想选择。

公开(公告)号：US09417208B2

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：US13571389

申请日：2012-08-10

申请人： Donald Dorman ,  Tak Ning ,  Sufi Zafar

发明人： Donald Dorman ,  Tak Ning ,  Sufi Zafar

IPC分类号： G01N27/414 ,  G01N27/333 ,  G01N27/327

CPC分类号： G01N27/4145 ,  G01N27/3271 ,  G01N27/3335 ,  G01N27/414

摘要： A method for operating a sensor for biomolecules or charged ions, the sensor comprising a first field effect transistor (FET) and a second FET, wherein the first FET and the second FET comprise a shared node includes placing an electrolyte containing the biomolecules or charged ions on a sensing surface of the sensor, the electrolyte comprising a gate of the second FET; applying an inversion voltage to a gate of the first FET; making a first electrical connection to an unshared node of the first FET; making a second electrical connection to unshared node of the second FET; determining a change in a drain current flowing between the unshared node of the first FET and the unshared node of the second FET; and determining an amount of biomolecules or charged ions contained in the electrolyte based on the determined change in the drain current.

摘要翻译： 一种用于操作用于生物分子或带电离子的传感器的方法，所述传感器包括第一场效应晶体管（FET）和第二FET，其中所述第一FET和所述第二FET包括共享节点，包括放置含有所述生物分子或带电离子的电解质 在所述传感器的感测表面上，所述电解质包括所述第二FET的栅极; 对第一FET的栅极施加反转电压; 与第一FET的非共享节点进行第一电连接; 与第二FET的非共享节点进行第二电连接; 确定在所述第一FET的非共享节点和所述第二FET的非共享节点之间流动的漏极电流的变化; 以及基于确定的漏极电流的变化来确定电解质中包含的生物分子或带电离子的量。

公开(公告)号：US20080057647A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11928615

申请日：2007-10-30

申请人： Herbert Ho ,  Jack Mandelman ,  Tak Ning ,  Yoichi Otani

发明人： Herbert Ho ,  Jack Mandelman ,  Tak Ning ,  Yoichi Otani

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/0466 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

摘要： The present invention provides two-transistor silicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor (2-Tr SONOS) non-volatile memory cells with randomly accessible storage locations as well as method of fabricating the same. In one embodiment, a 2-Tr SONOS cell is provided in which the select transistor is located with a trench structure having trench depth from 1 to 2 μm and the memory transistor is located on a surface of a semiconductor substrate adjoining the trench structure. In another embodiment, a 2-Tr SONOS memory cell is provided in which both the select transistor and the memory transistor are located within a trench structure having the depth mentioned above.

摘要翻译： 本发明提供具有随机存取的存储位置的双晶体管氧化硅 - 氧化物 - 氧化物半导体（2-Tr SONOS）非易失性存储单元及其制造方法。 在一个实施例中，提供了2-Tr SONOS单元，其中选择晶体管位于沟槽深度为1至2μm的沟槽结构，并且存储晶体管位于与沟槽结构相邻的半导体衬底的表面上。 在另一个实施例中，提供了2-Tr SONOS存储单元，其中选择晶体管和存储晶体管都位于具有上述深度的沟槽结构内。

公开(公告)号：US20050087805A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10993244

申请日：2004-11-19

申请人： Tak Ning

发明人： Tak Ning

IPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/331 ,  H01L27/12 ,  H01L29/08 ,  H01L29/73 ,  H01L21/84 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L29/66265 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7317

摘要： A bipolar transistor structure is described incorporating an emitter, base, and collector having a fully depleted region on an insulator of a Silicon-On-Insulator (SOI) substrate without the need for a highly doped subcollector to permit the fabrication of vertical bipolar transistors on semiconductor material having a thickness of 300 nm or less and to permit the fabrication of SOI BiCMOS. The invention overcomes the problem of requiring a thick semiconductor layer in SOI to fabricate vertical bipolar transistors with low collector resistance.

公开(公告)号：US20110247946A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US12756628

申请日：2010-04-08

申请人： Donald Dorman ,  Tak Ning ,  Sufi Zafar

发明人： Donald Dorman ,  Tak Ning ,  Sufi Zafar

IPC分类号： G01N27/26 ,  G01N33/487

CPC分类号： G01N27/4145 ,  G01N27/3271 ,  G01N27/3335 ,  G01N27/414

摘要： A sensor for biomolecules or charged ions includes a substrate; a first node, a second node, and a third node located in the substrate; a gate dielectric located over the substrate, the first node, the second node, and the third node; a first field effect transistor (FET), the first FET comprising a control gate located on the gate dielectric, and the first node and the second node; and a second FET, the second FET comprising a sensing surface located on the gate dielectric, and the second node and the third node, wherein the sensing surface is configured to specifically bind the biomolecules or charged ions that are to be detected.

摘要翻译： 用于生物分子或带电离子的传感器包括基底; 第一节点，第二节点和位于所述衬底中的第三节点; 位于所述衬底，所述第一节点，所述第二节点和所述第三节点之上的栅极电介质; 第一场效应晶体管（FET），所述第一FET包括位于所述栅极电介质上的控制栅极，以及所述第一节点和所述第二节点; 以及第二FET，所述第二FET包括位于所述栅极电介质上的感测表面以及所述第二节点和所述第三节点，其中所述感测表面被配置为特异性地结合待检测的生物分子或带电离子。

公开(公告)号：US20070204447A1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：US11707060

申请日：2007-02-16

申请人： Kerry Bernstein ,  John Bracchitta ,  William Cote ,  Tak Ning ,  Wilbur Pricer

发明人： Kerry Bernstein ,  John Bracchitta ,  William Cote ,  Tak Ning ,  Wilbur Pricer

IPC分类号： H01G7/00

CPC分类号： H01G4/1272 ,  H01G4/35 ,  H01L22/14 ,  H01L22/22 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/642 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/435 ,  H01L2924/00

摘要： A decoupling capacitor is provided for a semiconductor device and may include a first low dielectric insulator layer and a low resistance conductor formed into at least two interdigitized patterns on the surface of the first low dielectric insulator in a single interconnect plane. A high dielectric constant material may be provided between the two patterns. A circuit for testing a plurality of these capacitors is also provided which includes a charge monitoring circuit, a coupling circuit and a control circuit.

摘要翻译： 为半导体器件提供去耦电容器，并且可以包括在单个互连平面中在第一低介电绝缘体的表面上形成至少两个交叉指示图案的第一低介电绝缘体层和低电阻导体。 可以在两个图案之间提供高介电常数材料。 还提供了用于测试多个这些电容器的电路，其包括充电监视电路，耦合电路和控制电路。

公开(公告)号：US20050006704A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10900523

申请日：2004-07-28

申请人： Tak Ning ,  Devendra Sadana

发明人： Tak Ning ,  Devendra Sadana

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L27/01 ,  H01L27/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L31/072

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/84

摘要： The present invention provides SOI material which includes a top Si-containing layer which has regions of different thickness as well as a method of fabricating such SOI material. The inventive method includes a step of thinning predetermined regions of the top Si-containing layer by masked oxidation of silicon. SOI IC chips including the inventive SOI material having different types of CMOS devices build thereon as also disclosed.

摘要翻译： 本发明提供SOI材料，其包括具有不同厚度的区域的顶部含Si层以及制造这种SOI材料的方法。 本发明的方法包括通过硅的掩蔽氧化来稀释顶部含Si层的预定区域的步骤。 还公开了包括具有不同类型的CMOS器件的本发明SOI材料的SOI IC芯片。

公开(公告)号：US20060226474A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US10907686

申请日：2005-04-12

申请人： Herbert Ho ,  Jack Mandelman ,  Tak Ning ,  Yoichi Otani

发明人： Herbert Ho ,  Jack Mandelman ,  Tak Ning ,  Yoichi Otani

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/0466 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

摘要： The present invention provides two-transistor silicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor (2-Tr SONOS) non-volatile memory cells with randomly accessible storage locations as well as method of fabricating the same. In one embodiment, a 2-Tr SONOS cell is provided in which the select transistor is located within a trench structure having trench depth from 1 to 2 μm and the memory transistor is located on a surface of a semiconductor substrate adjoining the trench structure. In another embodiment, a 2-Tr SONOS memory cell is provided in which both the select transistor and the memory transistor are located within a trench structure having the depth mentioned above.

摘要翻译： 本发明提供具有随机存取的存储位置的双晶体管氧化硅 - 氧化物 - 氧化物半导体（2-Tr SONOS）非易失性存储单元及其制造方法。 在一个实施例中，提供了2-Tr SONOS单元，其中选择晶体管位于沟槽深度为1至2μm的沟槽结构内，并且存储晶体管位于与沟槽结构相邻的半导体衬底的表面上。 在另一个实施例中，提供了2-Tr SONOS存储单元，其中选择晶体管和存储晶体管都位于具有上述深度的沟槽结构内。

公开(公告)号：US20050139959A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US11066738

申请日：2005-02-28

申请人： Kerry Bernstein ,  John Bracchitta ,  William Cote ,  Tak Ning ,  Wilbur Pricer

发明人： Kerry Bernstein ,  John Bracchitta ,  William Cote ,  Tak Ning ,  Wilbur Pricer

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/08 ,  H05B37/02

CPC分类号： H01G4/1272 ,  H01G4/35 ,  H01L22/14 ,  H01L22/22 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/642 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/435 ,  H01L2924/00

摘要： A decoupling capacitor is provided for a semiconductor device and may include a first low dielectric insulator layer and a low resistance conductor formed into at least two interdigitized patterns on the surface of the first low dielectric insulator in a single interconnect plane. A high dielectric constant material may be provided between the two patterns. A circuit for testing a plurality of these capacitors is also provided which includes a charge monitoring circuit, a coupling circuit and a control circuit.

摘要翻译： 为半导体器件提供去耦电容器，并且可以包括在单个互连平面中在第一低介电绝缘体的表面上形成至少两个交叉指示图案的第一低介电绝缘体层和低电阻导体。 可以在两个图案之间提供高介电常数材料。 还提供了用于测试多个这些电容器的电路，其包括充电监视电路，耦合电路和控制电路。

公开(公告)号：US09068935B2

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：US12756628

申请日：2010-04-08

申请人： Donald Dorman ,  Tak Ning ,  Sufi Zafar

发明人： Donald Dorman ,  Tak Ning ,  Sufi Zafar

IPC分类号： G01N27/26 ,  G01N33/487 ,  G01N27/414 ,  G01N27/333 ,  G01N27/327

CPC分类号： G01N27/4145 ,  G01N27/3271 ,  G01N27/3335 ,  G01N27/414

摘要： A sensor for biomolecules or charged ions includes a substrate; a first node, a second node, and a third node located in the substrate; a gate dielectric located over the substrate, the first node, the second node, and the third node; a first field effect transistor (FET), the first FET comprising a control gate located on the gate dielectric, and the first node and the second node; and a second FET, the second FET comprising a sensing surface located on the gate dielectric, and the second node and the third node, wherein the sensing surface is configured to specifically bind the biomolecules or charged ions that are to be detected.

摘要翻译： 用于生物分子或带电离子的传感器包括基底; 第一节点，第二节点和位于所述衬底中的第三节点; 位于所述衬底，所述第一节点，所述第二节点和所述第三节点之上的栅极电介质; 第一场效应晶体管（FET），所述第一FET包括位于所述栅极电介质上的控制栅极，以及所述第一节点和所述第二节点; 以及第二FET，所述第二FET包括位于所述栅极电介质上的感测表面以及所述第二节点和所述第三节点，其中所述感测表面被配置为特异性地结合待检测的生物分子或带电离子。