公开(公告)号：US20050052201A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10814867

申请日：2004-03-30

申请人： Frederic Bernard ,  Christopher Diorio ,  Troy Gilliland ,  Alberto Pesavento ,  Kaila Raby ,  Terry Hass ,  John Hyde

发明人： Frederic Bernard ,  Christopher Diorio ,  Troy Gilliland ,  Alberto Pesavento ,  Kaila Raby ,  Terry Hass ,  John Hyde

IPC分类号： H03K3/356 ,  H03K17/10 ,  H03K19/0175

CPC分类号： H03K3/356113 ,  H03K17/102

摘要： Circuits are provided for high-voltage switching in single-well CMOS processes.

摘要翻译： 电路用于单井CMOS工艺中的高压开关。

公开(公告)号：US06950342B2

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：US10437262

申请日：2003-05-12

申请人： Chad A. Lindhorst ,  Christopher J. Diorio ,  Troy N. Gilliland ,  Alberto Pesavento ,  Shail Srinivas ,  Yanjun Ma ,  Terry Hass ,  Kambiz Rahimi

发明人： Chad A. Lindhorst ,  Christopher J. Diorio ,  Troy N. Gilliland ,  Alberto Pesavento ,  Shail Srinivas ,  Yanjun Ma ,  Terry Hass ,  Kambiz Rahimi

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C20060101 ,  G11C5/00 ,  G11C7/06 ,  G11C11/34 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  G11C16/28 ,  G11C16/34 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： G11C16/0441 ,  G11C16/28 ,  G11C16/3468 ,  G11C16/3486 ,  G11C2216/10

摘要： A number of designs for differential floating gate nonvolatile memories and memory arrays utilize differential pFET floating gate transistors to store information. Methods of implementing such memories and memory arrays together with methods of operation and test associated with such memories and memory arrays are presented.

摘要翻译： 用于差分浮置非易失性存储器和存储器阵列的许多设计利用差分pFET浮栅晶体管来存储信息。 提出了实现这种存储器和存储器阵列的方法以及与这种存储器和存储器阵列相关联的操作和测试方法。