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    Method of manufacturing a semiconductor device involving sidewall spacer formation
    1.
    发明授权
    Method of manufacturing a semiconductor device involving sidewall spacer formation 失效
    制造涉及侧壁间隔物形成的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US4792534A

    公开(公告)日：1988-12-20

    申请号：US942076

    申请日：1986-12-15

    申请人： Hitoshi Tsuji ,  Tiharu Kato ,  Kiyoshi Takaoki

    发明人： Hitoshi Tsuji ,  Tiharu Kato ,  Kiyoshi Takaoki

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

    CPC分类号： H01L21/0337

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device having a submicron pattern. A p-type semiconductor layer is formed on an n-type semiconductor substrate. Insulating films are formed on the p-type semiconductor layer. A first mask layer, such as an aluminum layer having an etching rate different from that of the insulating films, is formed on the insulating films. A second mask layer having an etching rate different from that of the first mask layer, is formed on the first mask layer. The second mask layer is patterned. A coating film having an etching rate different from that of the first insulating film, is formed on the resultant structure. The coating film is etched to be left on a side wall of the patterned second mask layer. The first mask layer is patterned, using the residual coating film and the patterned second mask layer as masks, and a pattern finer than that of the resist is formed in the first mask layer. The insulating film is patterned, using the patterned first mask layer, and a pattern finer than that of the resist is formed in the insulating film. In the p-type semiconductor layer n+-type emitter and p+ base leading regions are formed, and the n-type semiconductor layer serves as a collector.

    摘要翻译： 一种制造具有亚微米图案的半导体器件的方法。 p型半导体层形成在n型半导体衬底上。 绝缘膜形成在p型半导体层上。 在绝缘膜上形成第一掩模层，例如具有与绝缘膜不同的蚀刻速率的铝层。 在第一掩模层上形成具有不同于第一掩模层的蚀刻速率的第二掩模层。 第二掩模层被图案化。 在所得结构上形成具有不同于第一绝缘膜的蚀刻速率的涂膜。 蚀刻该涂膜以留在图案化的第二掩模层的侧壁上。 使用残留涂膜和图案化的第二掩模层作为掩模对第一掩模层进行构图，并且在第一掩模层中形成比抗蚀剂更细的图案。 使用图案化的第一掩模层对绝缘膜进行图案化，并且在绝缘膜中形成比抗蚀剂更细的图案。 在p型半导体层中，形成n +型发射极和p +基极引线区，并且n型半导体层用作集电极。

    Method of forming micro patterns
    2.
    发明授权
    Method of forming micro patterns 失效
    形成微观图案的方法

    公开(公告)号：US4988609A

    公开(公告)日：1991-01-29

    申请号：US205938

    申请日：1988-06-13

    申请人： Hidetsuna Hashimoto ,  Tiharu Kato ,  Hitoshi Tsuji

    发明人： Hidetsuna Hashimoto ,  Tiharu Kato ,  Hitoshi Tsuji

    IPC分类号： G03F7/26 ,  G03C5/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/2022

    摘要： In a patterning method according to this invention, a surface region of a resist layer is solution-retarded by a developer, and, then, the resist layer is patterned. Therefore, a desired shape of a side wall of the resist layer may be obtained by varying a solubility of the resist layer, with the result that a resist pattern with the side wall orthogonal to a surface of the substrate or the overhung side may be formed.

    摘要翻译： 在根据本发明的图案化方法中，抗蚀剂层的表面区域被显影剂溶液阻滞，然后对抗蚀剂层进行图案化。 因此，可以通过改变抗蚀剂层的溶解度来获得抗蚀剂层的侧壁的期望形状，结果是可以形成具有与基板的表面或悬垂侧正交的侧壁的抗蚀剂图案 。

    Method for forming resist pattern
    3.
    发明授权
    Method for forming resist pattern 失效
    形成抗蚀剂图案的方法

    公开(公告)号：US4461825A

    公开(公告)日：1984-07-24

    申请号：US534938

    申请日：1983-09-26

    申请人： Tiharu Kato ,  Hatsuo Nakamura ,  Shigeo Koguchi ,  Toshio Yonezawa ,  Toshihiro Abe

    发明人： Tiharu Kato ,  Hatsuo Nakamura ,  Shigeo Koguchi ,  Toshio Yonezawa ,  Toshihiro Abe

    IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03C1/495 ,  G03C1/76

    CPC分类号： H01L21/30 ,  G03F7/092 ,  Y10S430/162

    摘要： An improved method of forming a photoresist pattern in the photoengraving process. In the photoengraving process, after forming a photoresist layer, a non-photosensitive organic layer containing cyclized polyisoprene rubber as the major constituent is formed thereover. The organic layer is covered with a mask. The photoresist layer is selectively exposed to light through the organic layer. After developing and removing the organic layer, or together with the organic layer, the photoresist layer is developed.

    摘要翻译： 在光刻工艺中形成光致抗蚀剂图案的改进方法。 在光刻工序中，在形成光致抗蚀剂层之后，形成以环化聚异戊二烯橡胶为主要成分的非感光性有机层。 有机层被掩模覆盖。 光致抗蚀剂层通过有机层选择性地暴露于光。 在显影和除去有机层之后，或与有机层一起，显影光致抗蚀剂层。