公开(公告)号：US08796759B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US12837093

申请日：2010-07-15

申请人： Tsu-Hsiu Perng ,  Chih Chieh Yeh ,  Tzu-Chiang Chen ,  Chia-Cheng Ho ,  Chih-Sheng Chang

发明人： Tsu-Hsiu Perng ,  Chih Chieh Yeh ,  Tzu-Chiang Chen ,  Chia-Cheng Ho ,  Chih-Sheng Chang

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： A FinFET device and method for fabricating a FinFET device is disclosed. An exemplary FinFET device includes a semiconductor substrate; a fin structure disposed over the semiconductor substrate; and a gate structure disposed on a portion of the fin structure. The gate structure traverses the fin structure and separates a source region and a drain region of the fin structure, the source and drain region defining a channel therebetween. The source and drain region of the fin structure include a strained source and drain feature. The strained source feature and the strained drain feature each include: a first portion having a first width and a first depth; and a second portion disposed below the first portion, the second portion having a second width and a second depth. The first width is greater than the second width, and the first depth is less than the second depth.

摘要翻译： 公开了一种用于制造FinFET器件的FinFET器件和方法。 示例性的FinFET器件包括半导体衬底; 翅片结构，设置在所述半导体衬底上; 以及设置在鳍结构的一部分上的栅极结构。 栅极结构穿过翅片结构并分离翅片结构的源极区域和漏极区域，源极和漏极区域在其间限定通道。 翅片结构的源极和漏极区域包括应变源极和漏极特征。 应变源特征和应变漏极特征各自包括：具有第一宽度和第一深度的第一部分; 以及设置在所述第一部分下方的第二部分，所述第二部分具有第二宽度和第二深度。 第一宽度大于第二宽度，第一深度小于第二深度。

公开(公告)号：US20130307088A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：US13475297

申请日：2012-05-18

申请人： Yu-Lin Yang ,  Tsu-Hsiu Perng ,  Chih Chieh Yeh ,  Li-Shyue Lai

发明人： Yu-Lin Yang ,  Tsu-Hsiu Perng ,  Chih Chieh Yeh ,  Li-Shyue Lai

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7845

摘要： A method and device including a substrate having a fin. A metal gate structure is formed on the fin. The metal gate structure includes a stress metal layer formed on the fin such that the stress metal layer extends to a first height from an STI feature, the first height being greater than the fin height. A conduction metal layer is formed on the stress metal layer.

摘要翻译： 一种包括具有翅片的基板的方法和装置。 在翅片上形成金属栅极结构。 金属栅极结构包括形成在翅片上的应力金属层，使得应力金属层从STI特征延伸到第一高度，第一高度大于翅片高度。 在应力金属层上形成导电金属层。

公开(公告)号：US08921218B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13475297

申请日：2012-05-18

申请人： Yu-Lin Yang ,  Tsu-Hsiu Perng ,  Chih Chieh Yeh ,  Li-Shyue Lai

发明人： Yu-Lin Yang ,  Tsu-Hsiu Perng ,  Chih Chieh Yeh ,  Li-Shyue Lai

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7845

摘要： A method and device including a substrate having a fin. A metal gate structure is formed on the fin. The metal gate structure includes a stress metal layer formed on the fin such that the stress metal layer extends to a first height from an STI feature, the first height being greater than the fin height. A conduction metal layer is formed on the stress metal layer.

摘要翻译： 一种包括具有翅片的基板的方法和装置。 在翅片上形成金属栅极结构。 金属栅极结构包括形成在翅片上的应力金属层，使得应力金属层从STI特征延伸到第一高度，第一高度大于翅片高度。 在应力金属层上形成导电金属层。

公开(公告)号：US20120012932A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US12837093

申请日：2010-07-15

申请人： Tsu-Hsiu Perng ,  Chih Chieh Yeh ,  Tzu-Chiang Chen ,  Chia-Cheng Ho ,  Chih-Sheng Chang

发明人： Tsu-Hsiu Perng ,  Chih Chieh Yeh ,  Tzu-Chiang Chen ,  Chia-Cheng Ho ,  Chih-Sheng Chang

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： A FinFET device and method for fabricating a FinFET device is disclosed. An exemplary FinFET device includes a semiconductor substrate; a fin structure disposed over the semiconductor substrate; and a gate structure disposed on a portion of the fin structure. The gate structure traverses the fin structure and separates a source region and a drain region of the fin structure, the source and drain region defining a channel therebetween. The source and drain region of the fin structure include a strained source and drain feature. The strained source feature and the strained drain feature each include: a first portion having a first width and a first depth; and a second portion disposed below the first portion, the second portion having a second width and a second depth. The first width is greater than the second width, and the first depth is less than the second depth.

摘要翻译： 公开了一种用于制造FinFET器件的FinFET器件和方法。 示例性的FinFET器件包括半导体衬底; 翅片结构，设置在所述半导体衬底上; 以及设置在鳍结构的一部分上的栅极结构。 栅极结构穿过翅片结构并分离翅片结构的源极区域和漏极区域，源极和漏极区域在其间限定通道。 翅片结构的源极和漏极区域包括应变源极和漏极特征。 应变源特征和应变漏极特征各自包括：具有第一宽度和第一深度的第一部分; 以及设置在所述第一部分下方的第二部分，所述第二部分具有第二宽度和第二深度。 第一宽度大于第二宽度，第一深度小于第二深度。