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    ENGINEERING STRAIN IN THICK STRAINED-SOI SUBSTRATES
    2.
    发明申请
    ENGINEERING STRAIN IN THICK STRAINED-SOI SUBSTRATES 有权
    在厚度很小的SOI衬底上的工程应变

    公开(公告)号：US20070281435A1

    公开(公告)日：2007-12-06

    申请号：US11420849

    申请日：2006-05-30

    申请人： Voon-Yew Thean ,  Victor H. Vartanian ,  Brian A. Winstead

    发明人： Voon-Yew Thean ,  Victor H. Vartanian ,  Brian A. Winstead

    IPC分类号： H01L21/76

    CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/84

    摘要： A semiconductor fabrication process preferably used with a semiconductor on insulator (SOI) wafer. The wafer's active layer is biaxially strained and has first and second regions. The second region is amorphized to alter its strain component(s). The wafer is annealed to re-crystallize the amorphous semiconductor. First and second types of transistors are fabricated in the first region and the second region respectively. Third and possibly fourth regions of the active layer may be processed to alter their strain characteristics. A sacrificial strain structure may be formed overlying the third region. The strain structure may be a compressive. When annealing the wafer with the strain structure in place, its strain characteristics may be mirrored in the third active layer region. The fourth active layer region may be amorphized in stripes that run parallel to a width direction of the transistor strain to produce uniaxial stress in the width direction.

    摘要翻译： 优选与半导体绝缘体（SOI）晶片一起使用的半导体制造工艺。 晶圆的活性层是双轴应变的，并具有第一和第二区域。 第二个区域被非晶化以改变其应变分量。 将晶片退火以使非晶半导体再结晶。 分别在第一区域和第二区域中制造第一和第二类型的晶体管。 可以处理活性层的第三和可能的第四区域以改变它们的应变特性。 可以形成覆盖在第三区域上的牺牲应变结构。 应变结构可以是压缩的。 当将具有应变结构的晶片退火就位时，其应变特性可以被镜像在第三有源层区域中。 第四有源层区域可以以与晶体管应变的宽度方向平行的条状非晶化，以在宽度方向上产生单轴应力。

    Electronic devices including a semiconductor layer and a process for forming the same
    3.
    发明授权
    Electronic devices including a semiconductor layer and a process for forming the same 有权
    包括半导体层的电子器件及其形成方法

    公开(公告)号：US07265004B2

    公开(公告)日：2007-09-04

    申请号：US11273092

    申请日：2005-11-14

    申请人： Voon-Yew Thean ,  Brian J. Goolsby ,  Linda B. McCormick ,  Bich-Yen Nguyen ,  Colita M. Parker ,  Mariam G. Sadaka ,  Victor H. Vartanian ,  Ted R. White ,  Melissa O. Zavala

    发明人： Voon-Yew Thean ,  Brian J. Goolsby ,  Linda B. McCormick ,  Bich-Yen Nguyen ,  Colita M. Parker ,  Mariam G. Sadaka ,  Victor H. Vartanian ,  Ted R. White ,  Melissa O. Zavala

    IPC分类号： H01L21/84

    CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/1203

    摘要： An electronic device can include a first semiconductor portion and a second semiconductor portion, wherein the compositions of the first and second semiconductor portions are different from each other. In one embodiment, the first and second semiconductor portions can have different stresses compared to each other. In one embodiment, the electronic device may be formed by forming an oxidation mask over the first semiconductor portion. A second semiconductor layer can be formed over the second semiconductor portion of the first semiconductor layer and have a different composition compared to the first semiconductor layer. An oxidation can be performed, and a concentration of a semiconductor element (e.g., germanium) within the second portion of the first semiconductor layer can be increased. In another embodiment, a selective condensation may be performed, and a field isolation region can be formed between the first and second portions of the first semiconductor layer.

    摘要翻译： 电子设备可以包括第一半导体部分和第二半导体部分，其中第一半导体部分和第二半导体部分的组成彼此不同。 在一个实施例中，第一和第二半导体部分可以具有彼此不同的应力。 在一个实施例中，可以通过在第一半导体部分上形成氧化掩模来形成电子器件。 可以在第一半导体层的第二半导体部分上形成第二半导体层，并且与第一半导体层相比具有不同的组成。 可以进行氧化，并且可以增加第一半导体层的第二部分内的半导体元素（例如锗）的浓度。 在另一个实施例中，可以执行选择性冷凝，并且可以在第一半导体层的第一和第二部分之间形成场隔离区。

    Processes for forming electronic devices including a semiconductor layer
    4.
    发明授权
    Processes for forming electronic devices including a semiconductor layer 有权
    用于形成包括半导体层的电子器件的工艺

    公开(公告)号：US07217667B2

    公开(公告)日：2007-05-15

    申请号：US11058071

    申请日：2005-02-15

    申请人： Marius K. Orlowski ,  Victor H. Vartanian

    发明人： Marius K. Orlowski ,  Victor H. Vartanian

    IPC分类号： H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/28255 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L29/78684

    摘要： An impurity can be introduced into a semiconductor layer of a workpiece to affect the oxidation and the relative concentration of one element with respect to another element within the semiconductor layer. The impurity can be selectively implanted using one or more masks, manipulating the beam line of an ion implant tool, moving a workpiece relative to the ion beam, or the like. The dose can vary as a function of distance from the center of the workpiece or vary locally based on the design of the electronic device or desires of the electronic device fabricator. In one embodiment, the impurity can be implanted in such a way as to result in a more uniform SiGe condensation across the substrate or across one or more portions of the substrate when the semiconductor layer includes a SiGe layer.

    摘要翻译： 可以将杂质引入到工件的半导体层中，以影响一个元件相对于半导体层内的另一元件的氧化和相对浓度。 可以使用一个或多个掩模来选择性地注入杂质，操纵离子注入工具的束线，相对于离子束移动工件等。 剂量可以作为距离工件中心的距离的函数而变化，或者基于电子设备的设计或电子设备制造者的愿望而在本地变化。 在一个实施例中，当半导体层包括SiGe层时，杂质可以以这样的方式注入，以便导致穿过衬底或衬底的一个或多个部分更均匀的SiGe冷凝。

    Process for forming an electronic device including semiconductor layers having different stresses
    7.
    发明授权
    Process for forming an electronic device including semiconductor layers having different stresses 有权
    用于形成包括具有不同应力的半导体层的电子器件的工艺

    公开(公告)号：US07560318B2

    公开(公告)日：2009-07-14

    申请号：US11374372

    申请日：2006-03-13

    申请人： Mariam G. Sadaka ,  Venkat R. Kolagunta ,  William J. Taylor ,  Victor H. Vartanian

    发明人： Mariam G. Sadaka ,  Venkat R. Kolagunta ,  William J. Taylor ,  Victor H. Vartanian

    IPC分类号： H01L21/84

    CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78687

    摘要： An electronic device can have an insulating layer lying between a first semiconductor layer and a base layer. A second semiconductor layer, having a different composition and stress as compared to the first semiconductor layer, can overlie at least a portion of the first semiconductor layer. In one embodiment, a first electronic component can include a first active region that includes a first portion of the first and the second semiconductor layers. A second electronic component can include a second active region that can include a second portion of the first semiconductor layer. Different processes can be used to form the electronic device. In another embodiment, annealing a workpiece can be performed and the stress of at least one of the semiconductor layers can be changed. In a different embodiment, annealing the workpiece can be performed either before or after the formation of the second semiconductor layer.

    摘要翻译： 电子设备可以具有位于第一半导体层和基底层之间的绝缘层。 与第一半导体层相比具有不同组成和应力的第二半导体层可以覆盖在第一半导体层的至少一部分上。 在一个实施例中，第一电子部件可以包括第一有源区，其包括第一和第二半导体层的第一部分。 第二电子部件可以包括可以包括第一半导体层的第二部分的第二有源区。 可以使用不同的过程来形成电子设备。 在另一个实施例中，可以执行退火工件，并且可以改变至少一个半导体层的应力。 在不同的实施例中，退火工件可以在第二半导体层的形成之前或之后进行。

    Method for forming a semiconductor device having a strained channel and a heterojunction source/drain
    9.
    发明授权
    Method for forming a semiconductor device having a strained channel and a heterojunction source/drain 失效
    用于形成具有应变通道和异质结源极/漏极的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07018901B1

    公开(公告)日：2006-03-28

    申请号：US10954121

    申请日：2004-09-29

    申请人： Voon-Yew Thean ,  Mariam G. Sadaka ,  Ted R. White ,  Alexander L. Barr ,  Venkat R. Kolagunta ,  Bich-Yen Nguyen ,  Victor H. Vartanian ,  Da Zhang

    发明人： Voon-Yew Thean ,  Mariam G. Sadaka ,  Ted R. White ,  Alexander L. Barr ,  Venkat R. Kolagunta ,  Bich-Yen Nguyen ,  Victor H. Vartanian ,  Da Zhang

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/2254 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648

    摘要： A semiconductor device (10) is formed by positioning a gate (22) overlying a semiconductor layer (16) of preferably silicon. A semiconductor material (26) of, for example only, SiGe or Ge, is formed adjacent the gate over the semiconductor layer and over source/drain regions. A thermal process diffuses the stressor material into the semiconductor layer. Lateral diffusion occurs to cause the formation of a strained channel (17) in which a stressor material layer (30) is immediately adjacent the strained channel. Extension implants create source and drain implants from a first portion of the stressor material layer. A second portion of the stressor material layer remains in the channel between the strained channel and the source and drain implants. A heterojunction is therefore formed in the strained channel. In another form, oxidation of the stressor material occurs rather than extension implants to form the strained channel.

    摘要翻译： 半导体器件（10）通过将覆盖在优选硅的半导体层（16）上的栅极（22）定位而形成。 例如仅SiGe或Ge的半导体材料（26）形成在半导体层上方的栅极和源极/漏极区域附近。 热处理将应力源材料扩散到半导体层。 发生横向扩散以形成应变通道（17），其中应力材料层（30）紧邻应变通道。 延伸植入物从应力源材料层的第一部分产生源和漏植入物。 应力源材料层的第二部分保留在应变通道和源极和漏极植入物之间的通道中。 因此，在应变通道中形成异质结。 在另一种形式中，发生应力源材料的氧化而不是延伸植入物以形成应变通道。

    Electronic devices including a semiconductor layer
    10.
    发明授权
    Electronic devices including a semiconductor layer 有权
    包括半导体层的电子器件

    公开(公告)号：US07821067B2

    公开(公告)日：2010-10-26

    申请号：US11836844

    申请日：2007-08-10

    申请人： Voon-Yew Thean ,  Brian J. Goolsby ,  Linda B. McCormick ,  Bich-Yen Nguyen ,  Colita M. Parker ,  Mariam G. Sadaka ,  Victor H. Vartanian ,  Ted R. White ,  Melissa O. Zavala

    发明人： Voon-Yew Thean ,  Brian J. Goolsby ,  Linda B. McCormick ,  Bich-Yen Nguyen ,  Colita M. Parker ,  Mariam G. Sadaka ,  Victor H. Vartanian ,  Ted R. White ,  Melissa O. Zavala

    IPC分类号： H01L21/84

    CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/1203

    摘要： An electronic device can include a first semiconductor portion and a second semiconductor portion, wherein the compositions of the first and second semiconductor portions are different from each other. In one embodiment, the first and second semiconductor portions can have different stresses compared to each other. In one embodiment, the electronic device may be formed by forming an oxidation mask over the first semiconductor portion. A second semiconductor layer can be formed over the second semiconductor portion of the first semiconductor layer and have a different composition compared to the first semiconductor layer. An oxidation can be performed, and a concentration of a semiconductor element (e.g., germanium) within the second portion of the first semiconductor layer can be increased. In another embodiment, a selective condensation may be performed, and a field isolation region can be formed between the first and second portions of the first semiconductor layer.

    摘要翻译： 电子设备可以包括第一半导体部分和第二半导体部分，其中第一半导体部分和第二半导体部分的组成彼此不同。 在一个实施例中，第一和第二半导体部分可以具有彼此不同的应力。 在一个实施例中，可以通过在第一半导体部分上形成氧化掩模来形成电子器件。 可以在第一半导体层的第二半导体部分上形成第二半导体层，并且与第一半导体层相比具有不同的组成。 可以进行氧化，并且可以增加第一半导体层的第二部分内的半导体元素（例如锗）的浓度。 在另一个实施例中，可以执行选择性冷凝，并且可以在第一半导体层的第一和第二部分之间形成场隔离区。