公开(公告)号：US20130334648A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13524902

申请日：2012-06-15

申请人： Wan-Yen Lin ,  Yi-Feng Chang ,  Jam-Wem Lee

发明人： Wan-Yen Lin ,  Yi-Feng Chang ,  Jam-Wem Lee

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611

摘要： High voltage diodes are disclosed. A semiconductor device is provided having a P well region; an N well region adjacent to the P well region and forming a p-n junction with the P well region; a P+ region forming an anode at the upper surface of the semiconductor substrate in the P well region; an N+ region forming a cathode at the upper surface of the semiconductor substrate in the N well region; and an isolation structure formed over the upper surface of the semiconductor substrate between the anode and the cathode and electrically isolating the anode and cathode including a first dielectric layer overlying a portion of the upper surface of the semiconductor substrate, and a second dielectric layer overlying a portion of the first dielectric layer and a portion of the upper surface of the semiconductor substrate. Methods for forming the devices are disclosed.

摘要翻译： 公开了高电压二极管。 提供具有P阱区域的半导体器件; 与P阱区相邻并与P阱区形成p-n结的N阱区; 在P阱区域中的半导体衬底的上表面处形成阳极的P +区域; 在N阱区域中的半导体衬底的上表面处形成阴极的N +区域; 以及在阳极和阴极之间形成在半导体衬底的上表面上的隔离结构，并且电绝缘包括覆盖半导体衬底的上表面的一部分的第一电介质层的阳极和阴极以及覆盖在半导体衬底的上表面的第二电介质层 第一电介质层的一部分和半导体衬底的上表面的一部分。 公开了形成装置的方法。

公开(公告)号：US20140062580A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13604299

申请日：2012-09-05

申请人： Jam-Wem Lee ,  Wan-Yen Lin ,  Ming-Hsiang Song ,  Cheng-Hsiung Kuo ,  Yue-Der Chih

发明人： Jam-Wem Lee ,  Wan-Yen Lin ,  Ming-Hsiang Song ,  Cheng-Hsiung Kuo ,  Yue-Der Chih

IPC分类号： G05F3/02

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L27/0222 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/872 ,  H02M3/07

摘要： A P-type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (PMOSFET) includes a gate, a first source/drain region connected to the gate, and a second source/drain region on an opposite side of the gate than the first source/drain region. A first Schottky diode includes a first anode connected to the first source/drain region, and a first cathode connected to a body of the PMOSFET. A second Schottky diode includes a second anode connected to the second source/drain region, and a second cathode connected to the body of the PMOSFET.

摘要翻译： P型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOSFET）包括栅极，连接到栅极的第一源极/漏极区域和栅极相对于第一源极/漏极的第二源极/漏极区域 地区。 第一肖特基二极管包括连接到第一源极/漏极区域的第一阳极和连接到PMOSFET主体的第一阴极。 第二肖特基二极管包括连接到第二源极/漏极区的第二阳极和连接到PMOSFET的主体的第二阴极。

公开(公告)号：US09576949B2

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：US13604299

申请日：2012-09-05

申请人： Jam-Wem Lee ,  Wan-Yen Lin ,  Ming-Hsiang Song ,  Cheng-Hsiung Kuo ,  Yue-Der Chih

发明人： Jam-Wem Lee ,  Wan-Yen Lin ,  Ming-Hsiang Song ,  Cheng-Hsiung Kuo ,  Yue-Der Chih

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L27/07 ,  H01L27/02 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H02M3/07

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L27/0222 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/872 ,  H02M3/07

摘要： A P-type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (PMOSFET) includes a gate, a first source/drain region connected to the gate, and a second source/drain region on an opposite side of the gate than the first source/drain region. A first Schottky diode includes a first anode connected to the first source/drain region, and a first cathode connected to a body of the PMOSFET. A second Schottky diode includes a second anode connected to the second source/drain region, and a second cathode connected to the body of the PMOSFET.

摘要翻译： P型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOSFET）包括栅极，连接到栅极的第一源极/漏极区域和栅极相对于第一源极/漏极的第二源极/漏极区域 地区。 第一肖特基二极管包括连接到第一源极/漏极区域的第一阳极和连接到PMOSFET主体的第一阴极。 第二肖特基二极管包括连接到第二源极/漏极区的第二阳极和连接到PMOSFET的主体的第二阴极。