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    METHOD FOR FORMING A DUAL DAMASCENE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH
    4.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING A DUAL DAMASCENE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH 有权
    形成半导体器件的双重结构结构的方法及其半导体器件

    公开(公告)号：US20140175669A1

    公开(公告)日：2014-06-26

    申请号：US14072881

    申请日：2013-11-06

    申请人： Joon-Young MOON ,  Youn-Jin CHO ,  Sung-Jae LEE ,  You-Jung PARK ,  Yong-Woon YOON ,  Chul-Ho LEE ,  Chung-Heon LEE

    发明人： Joon-Young MOON ,  Youn-Jin CHO ,  Sung-Jae LEE ,  You-Jung PARK ,  Yong-Woon YOON ,  Chul-Ho LEE ,  Chung-Heon LEE

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/535

    CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Forming a dual damascene structure includes forming a first insulation layer and a second insulation layer, forming a resist mask, forming a via hole down to a lower end of the first insulation layer, forming a hardmask layer in the via hole and on the second insulation layer using a spin-coating method, forming a resist mask, forming a first trench hole down to a lower end of the second insulation layer, respectively removing a part of the hardmask layer in the via hole and a part of the hardmask layer on the second insulation layer, forming a second trench hole by removing a part of the first insulation layer between a top corner of the hardmask layer remaining in the via hole and a bottom corner of the first trench hole, removing the hardmask layer, and filling the via hole and the second trench hole with a conductive material.

    摘要翻译： 形成双镶嵌结构包括形成第一绝缘层和第二绝缘层，形成抗蚀剂掩模，在第一绝缘层的下端形成通孔，在通孔中和第二绝缘层上形成硬掩模层 层，形成抗蚀剂掩模，在第二绝缘层的下端形成第一沟槽，分别去除通孔中的硬掩模层的一部分和硬掩模层的一部分， 第二绝缘层，通过去除残留在通孔中的硬掩模层的顶角之间的第一绝缘层的一部分和第一沟槽的底角，形成第二沟槽，去除硬掩模层，并且填充通孔 孔和具有导电材料的第二沟槽孔。