公开(公告)号：US20140246767A1

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：US14077174

申请日：2013-11-11

申请人： Peng Liu ,  Qingchun He ,  Zhaobin Qi ,  Liqiang Xu ,  Tong Zhao

发明人： Peng Liu ,  Qingchun He ,  Zhaobin Qi ,  Liqiang Xu ,  Tong Zhao

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： A semiconductor device includes a lead frame having a down bond area, a die attach area and a dam formed between the down bond area and the die attach area. A bottom of the dam is attached on a surface of the lead frame. The dam prevents contamination of the down bond area from die attach material, which may occur during a die attach process.

摘要翻译： 半导体器件包括具有下焊接区域的引线框架，管芯附着区域和形成在下焊接区域和管芯附着区域之间的坝。 大坝的底部附着在引线框架的表面上。 大坝可防止下模接合区域从芯片附着材料中的污染，这可能在芯片附着过程中发生。

公开(公告)号：US08969135B2

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：US14077174

申请日：2013-11-11

申请人： Peng Liu ,  Qingchun He ,  Zhaobin Qi ,  Liqiang Xu ,  Tong Zhao

发明人： Peng Liu ,  Qingchun He ,  Zhaobin Qi ,  Liqiang Xu ,  Tong Zhao

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/495 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： A semiconductor device includes a lead frame having a down bond area, a die attach area and a dam formed between the down bond area and the die attach area. A bottom of the dam is attached on a surface of the lead frame. The dam prevents contamination of the down bond area from die attach material, which may occur during a die attach process.

摘要翻译： 半导体器件包括具有下焊接区域的引线框架，管芯附着区域和形成在下焊接区域和管芯附着区域之间的坝。 大坝的底部附着在引线框架的表面上。 大坝可防止下模接合区域从芯片附着材料中的污染，这可能在芯片附着过程中发生。

公开(公告)号：US20110165729A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US12830424

申请日：2010-07-05

申请人： Peng LIU ,  Xu Gao ,  Qingchun He ,  Zhaobin Qi ,  Dehong Ye

发明人： Peng LIU ,  Xu Gao ,  Qingchun He ,  Zhaobin Qi ,  Dehong Ye

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/98 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Quad Flat No-Lead packaged devices are manufactured using two singulation operations with two different saw blades of varying widths with the first singulation operation using a wider saw blade than the second singulation operation. Between singulation operations, the exposed portions of the leads are plated with a solderable metal. By performing the second singulation operation within the first cut made by the first singulation, at least half of the exposed metal of the leads remains plated. Thus, better solder joints may be formed, which allows for simpler visual inspection.

摘要翻译： 使用具有不同宽度的两个不同锯片的两个单独操作制造四边形无铅封装装置，其中使用比第二单分割操作更宽的锯片进行第一次分割操作。 在切割操作之间，引线的暴露部分镀有可焊接的金属。 通过在由第一单片化制成的第一切割内进行第二切割操作，引线的裸露金属的至少一半保持镀覆。 因此，可以形成更好的焊点，这允许更简单的目视检查。