公开(公告)号：US20160240483A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：US15041454

申请日：2016-02-11

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： YANA CHENG ,  YONG CAO ,  SRINIVAS GUGGILLA ,  SREE RANGASAI KESAPRAGADA ,  XIANMIN TANG ,  DEENESH PADHI

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

Abstract: Interconnect structures and methods of formation of such interconnect structures are provided herein. In some embodiments, a method of forming an interconnect includes: depositing a silicon-aluminum oxynitride (SiAlON) layer atop a first layer of a substrate, wherein the first layer comprises a first feature filled with a first conductive material; depositing a dielectric layer over the silicon-aluminum oxynitride (SiAlON) layer; and forming a second feature in the dielectric layer and the silicon-aluminum oxynitride (SiAlON) layer to expose the first conductive material.

Abstract translation: 本文提供互连结构和形成这种互连结构的方法。 在一些实施例中，形成互连的方法包括：在衬底的第一层的顶部沉积硅 - 铝氮氧化物（SiAlON）层，其中第一层包括填充有第一导电材料的第一特征; 在硅 - 铝氮氧化物（SiAlON）层上沉积介电层; 以及在介电层和硅铝氧氮化物（SiAlON）层中形成第二特征以暴露第一导电材料。