公开(公告)号：US20140327012A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：US14111163

申请日：2012-04-16

申请人： Abdallah Ougazzaden ,  Marie-Antoinette Poisson ,  Vinod Ravindran ,  Ali Soltani ,  Jean-Claude De Jaeger

发明人： Abdallah Ougazzaden ,  Marie-Antoinette Poisson ,  Vinod Ravindran ,  Ali Soltani ,  Jean-Claude De Jaeger

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7783 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic HEMT transistor structure comprises a heterojunction formed from a first layer, called a buffer layer, of a first wide bandgap semiconductor material, and a second layer of a second wide bandgap semiconductor material, with a bandgap width EG2 larger than that Eg1 of the first material, and a two-dimensional electron gas flowing in a channel confined in the first layer under the interface of the heterojunction. The first layer furthermore comprises a layer of a BGaN material under the channel, with an average boron concentration of at least 0.1%, improving the electrical performance of the transistor. Application to microwave power components.

摘要翻译： 电子HEMT晶体管结构包括由第一宽带隙半导体材料的第一层（称为缓冲层）和第二宽带隙半导体材料的第二层形成的异质结，其带隙宽度EG2大于 第一材料和在限制在第一层的异质结界面下的通道中流动的二维电子气。 第一层还包括在沟道下方的BGaN材料层，其平均硼浓度至少为0.1％，改善了晶体管的电性能。 应用于微波功率元件。