公开(公告)号：US08673074B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US12503656

申请日：2009-07-15

申请人： Alexander Usikov ,  Alexander Syrkin ,  Robert G. W. Brown ,  Hussein S. El-Ghoroury ,  Philippe Spiberg ,  Vladimir Ivantsov ,  Oleg Kovalenkov ,  Lisa Shapovalova

发明人： Alexander Usikov ,  Alexander Syrkin ,  Robert G. W. Brown ,  Hussein S. El-Ghoroury ,  Philippe Spiberg ,  Vladimir Ivantsov ,  Oleg Kovalenkov ,  Lisa Shapovalova

IPC分类号： C30B23/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003

摘要： A method of growing planar non-polar m-plane or semi-polar III-Nitride material, such as an m-plane gallium nitride (GaN) epitaxial layer, wherein the III-Nitride material is grown on a suitable substrate, such as an m-plane sapphire substrate, using hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The method includes in-situ pretreatment of the substrate at elevated temperatures in an atmosphere of ammonia and argon, growing an intermediate layer such as an aluminum nitride (AlN) or aluminum-gallium nitride (AlGaN) on the annealed substrate, and growing the non-polar m-plane III-Nitride epitaxial layer on the intermediate layer using HVPE.

摘要翻译： 生长平面非极性m面或半极性III-氮化物材料的方法，例如m面氮化镓（GaN）外延层，其中III-氮化物材料在合适的衬底上生长，例如 m面蓝宝石衬底，采用氢化物气相外延（HVPE）。 该方法包括在氨和氩气氛中在升高的温度下原位预处理衬底，在退火的衬底上生长诸如氮化铝（AlN）或铝 - 氮化镓（AlGaN）的中间层， 使用HVPE在中间层上的极性m面III-氮化物外延层。

公开(公告)号：US20100012948A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12503656

申请日：2009-07-15

申请人： Alexander Usikov ,  Alexander Syrkin ,  Robert G.W. Brown ,  Hussein S. El-Ghoroury ,  Philippe Spiberg ,  Vladimir Ivantsov ,  Oleg Kovalenkov ,  Lisa Shapovalova

发明人： Alexander Usikov ,  Alexander Syrkin ,  Robert G.W. Brown ,  Hussein S. El-Ghoroury ,  Philippe Spiberg ,  Vladimir Ivantsov ,  Oleg Kovalenkov ,  Lisa Shapovalova

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003

摘要： A method of growing planar non-polar m-plane or semi-polar III-Nitride material, such as an m-plane gallium nitride (GaN) epitaxial layer, wherein the III-Nitride material is grown on a suitable substrate, such as an m-plane Sapphire substrate, using hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The method includes in-situ pretreatment of the substrate at elevated temperatures in the ambient of ammonia and argon, growing an intermediate layer such as an aluminum nitride (AlN) or aluminum-gallium nitride (AlGaN) on the annealed substrate, and growing the non-polar m-plane III-Nitride epitaxial layer on the intermediate layer using HVPE.

摘要翻译： 生长平面非极性m面或半极性III-氮化物材料的方法，例如m面氮化镓（GaN）外延层，其中III-氮化物材料在合适的衬底上生长，例如 m面蓝宝石衬底，采用氢化物气相外延（HVPE）。 该方法包括在氨和氩的环境中在升高的温度下原位预处理衬底，在退火的衬底上生长诸如氮化铝（AlN）或铝 - 氮化镓（AlGaN）的中间层， 使用HVPE在中间层上的极性m面III-氮化物外延层。