公开(公告)号：US5899706A

公开(公告)日：1999-05-04

申请号：US884862

申请日：1997-06-30

申请人： Andreas Kluwe ,  Lars Liebmann ,  Frank Prein ,  Thomas Zell

发明人： Andreas Kluwe ,  Lars Liebmann ,  Frank Prein ,  Thomas Zell

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/528 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/926

摘要： In preparation for etch processing a semiconductor chip having areas of little or no pattern and areas that are heavily patterned, adding non-operative patterns to the areas having little or no pattern so that the overall pattern density is about the same across the chip.

摘要翻译： 为了准备蚀刻处理，具有很少或没有图案的区域的半导体芯片和大量图案的区域，将非操作图案添加到具有很少或没有图案的区域，使得整个图案密度在整个芯片上大致相同。

公开(公告)号：US06492247B1

公开(公告)日：2002-12-10

申请号：US09717970

申请日：2000-11-21

申请人： William H. Guthrie ,  Andreas Kluwe ,  Michael Ruprecht

发明人： William H. Guthrie ,  Andreas Kluwe ,  Michael Ruprecht

IPC分类号： H01L2146

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for manufacturing integrated circuits (“IC”) on wafers to manage crack damage in the ICs such that crack propagation into the IC active array is reduced or eliminated. The method provides for a defined separation or divide of the IC gate conductor from the IC crack stop or IC edge. The method is especially useful in managing crack damage induced through the delamination of one or more of the gate conductor surface interfaces as a result of the IC wafer dicing process. Circuits or chips manufactured according to the methods disclosed are also taught.

摘要翻译： 一种用于在晶片上制造集成电路（“IC”）的方法，用于管理IC中的裂纹损伤，从而减少或消除了对IC有源阵列的裂纹扩展。 该方法提供IC栅极导体与IC裂纹停止或IC边缘的限定分离或分离。 该方法在通过IC晶片切割工艺的结果来控制通过一个或多个栅极导体表面界面的分层而引起的裂纹损伤特别有用。 还教导了根据所公开的方法制造的电路或芯片。