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1.发明授权Positive photoresist composition comprising a mixed ester of trishydroxyphenyl ethane and a mixed ester of trihydroxybenzophenone 失效正性光致抗蚀剂组合物，其包含三羟基苯基乙烷的混合酯和三羟基二苯甲酮的混合酯
公开(公告)号：US5612164A
公开(公告)日：1997-03-18
申请号：US385857
申请日：1995-02-09
申请人： Anthony Canize , Stanley A. Ficner , Ping-Hung Lu , Walter Spiess
发明人： Anthony Canize , Stanley A. Ficner , Ping-Hung Lu , Walter Spiess
CPC分类号： G03F7/022
摘要： A photosensitizer comprising a trishydroxyphenylethane 80/20 to 50/50 2,1,5-/2,1,4-diazonaphthoquinone sulfonate, and a trishydroxybenzophenone 0/100 to 20/80 2,1,5-/2,1,4-diazonaphthoquinone sulfate, and a photoresist composition containing such photosensitizer, the photosensitizer being present in the photoresist composition in an amount sufficient to uniformly photosensitize the photoresist composition; and a water insoluble, aqueous alkali soluble novolak resin, the novolak resin being present in the photoresist composition in an amount sufficient to form a substantially uniform photoresist composition.
摘要翻译： 一种光敏剂，其包含三羟基苯基乙烷80/20至50/50 2,1,5- / 2,1,4-重氮萘醌磺酸盐和三羟基二苯甲酮0/100至20/80 2,1,5- / 2,1,4 和含有这种光敏剂的光致抗蚀剂组合物，光敏剂存在于光致抗蚀剂组合物中，其量足以使光致抗蚀剂组合物均匀地光敏化; 和水不溶性的碱溶性酚醛清漆树脂，所述酚醛清漆树脂以足以形成基本均匀的光致抗蚀剂组合物的量存在于光致抗蚀剂组合物中。
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公开(公告)号：US20120048295A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：US13254944
申请日：2010-03-09
申请人： Bing Du , William A. Wojtczak , Stanley A. Ficner
发明人： Bing Du , William A. Wojtczak , Stanley A. Ficner
CPC分类号： C23G1/18 , C11D7/3245 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/02071
摘要： This disclosure relates to compositions that can be used to remove residues from a semiconductor substrate.
摘要翻译： 本公开涉及可用于从半导体衬底去除残余物的组合物。
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公开(公告)号：US5258265A
公开(公告)日：1993-11-02
申请号：US980057
申请日：1992-11-23
CPC分类号： G03F7/038
摘要： A radiation-sensitive mixture useful as a negative-working photoresist composition comprising:(a) at least one novolak resin; and(b) a photoactive benzannelated acetic acid selected from formula (I): ##STR1## wherein X is either an oxygen, sulfur or --C--H.sub.2.
摘要翻译： 一种用作负性光致抗蚀剂组合物的辐射敏感性混合物，其包含：（a）至少一种酚醛清漆树脂; 和（b）选自式（I）的光活性苯乙烯化乙酸：其中X是氧，硫或-C-H 2。
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4.发明授权
公开(公告)号：US4251491A
公开(公告)日：1981-02-17
申请号：US28148
申请日：1979-04-09
CPC分类号： C01B25/416
摘要： Disclosed is a process for producing sodium tripolyphosphate (STPP) with reduced amounts of silicon and magnesium impurities from wet process phosphoric acid.
摘要翻译： 公开了一种由湿法磷酸生产含量少的硅和镁杂质的三聚磷酸钠（STPP）的方法。
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5.发明授权Aqueous developable deep UV negative resist containing benzannelated acetic acid and novolak resin 失效含水可显影的深紫外线负极抗蚀剂，含有苯乙烯基化乙酸和酚醛清漆树脂
公开(公告)号：US5178987A
公开(公告)日：1993-01-12
申请号：US348754
申请日：1989-04-24
IPC分类号： G03F7/038
CPC分类号： G03F7/038
摘要： A radiation-sensitive mixture useful as a negative-working photoresist composition comprising:(a) at least one novolak resin; and(b) a photoactive benzannelated acetic acid selected from formula (I): ##STR1## wherein X is either an oxygen, sulfur or ##STR2##
摘要翻译： 一种用作负性光致抗蚀剂组合物的辐射敏感性混合物，其包含：（a）至少一种酚醛清漆树脂; 和（b）选自式（I）的光活性苯乙烯化乙酸：其中X是氧，硫或者“IMAGE”
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公开(公告)号：US6114085A
公开(公告)日：2000-09-05
申请号：US195057
申请日：1998-11-18
申请人： Munirathna Padmanaban , Ralph R. Dammel , Stanley A. Ficner , Joseph E. Oberlander , John P. Sagan
发明人： Munirathna Padmanaban , Ralph R. Dammel , Stanley A. Ficner , Joseph E. Oberlander , John P. Sagan
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/09 , H01L21/027 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/091
摘要： The present invention relates to a novel antireflecting coating composition, where the composition comprises a polymer, thermal acid generator and a solvent composition. The invention further comprises processes for the use of such a composition in photolithography. The composition strongly absorbs radiation ranging from about 130 nm (nanometer) to about 250 nm.
摘要翻译： 本发明涉及新型抗反射涂料组合物，其中组合物包含聚合物，热酸产生剂和溶剂组合物。 本发明还包括在光刻中使用这种组合物的方法。 该组合物强烈地吸收约130nm（纳米）至约250nm的辐射。
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公开(公告)号：US5821036A
公开(公告)日：1998-10-13
申请号：US960105
申请日：1997-10-27
CPC分类号： G03F7/322
摘要： A method and composition for developing positive photoresists is illustrated. The developer of the present invention includes an ammonium hydroxide aqueous base and a surfactant of the fluorinated alkyl alkoxylate class most preferably present in an amount of from 10 to 30 ppm. A particularly preferred surfactant includes sulfonyl and amine moieties.
摘要翻译： 示出了用于开发正性光致抗蚀剂的方法和组合物。 本发明的显影剂包括氢氧化铵水性碱和氟化烷基烷氧基化物类的表面活性剂，最优选以10至30ppm的量存在。 特别优选的表面活性剂包括磺酰基和胺部分。
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公开(公告)号：US5258260A
公开(公告)日：1993-11-02
申请号：US980076
申请日：1992-11-23
CPC分类号： G03F7/038
摘要： A radiation-sensitive mixture useful as a negative-working photoresist composition comprising:(a) at least one novolak resin; and(b) a photoactive benzennelated acetic acid selected from formula (I): ##STR1## wherein X is either an oxygen, sulfur or --C--H.sub.2.
摘要翻译： 一种用作负性光致抗蚀剂组合物的辐射敏感性混合物，其包含：（a）至少一种酚醛清漆树脂; 和（b）选自式（I）的光活性苯乙烯乙酸：其中X是氧，硫或-C-H 2。
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9.发明授权Photoresist compositions containing selected 6-acetoxy cyclohexadienone photosensitizers and novolak resins 失效含有选择的6-乙酰氧基环己二烯酮光敏剂和酚醛清漆树脂的光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：US4902603A
公开(公告)日：1990-02-20
申请号：US104697
申请日：1987-10-05
IPC分类号： G03F7/038
CPC分类号： G03F7/038 , Y10S430/106 , Y10S430/119
摘要： A light-sensitive mixture useful as a negative-working photoresist composition comprising:(a) at least one novolak resin; and(b) at least one 6-acetoxy cyclohexadienone compound of the formula (I) below: ##STR1## wherein R.sub.1, R.sub.2, R.sub.3, R.sub.4 and R.sub.5 are individually selected from hydrogen and lower alkyl groups having from 1 to 4 carbon atoms with the proviso that at least three of the R.sub.1 to R.sub.5 groups are lower alkyl groups.
摘要翻译： 用作负性光致抗蚀剂组合物的光敏混合物，其包含：（a）至少一种酚醛清漆树脂; 和（b）下式（I）的至少一种6-乙酰氧基环己二烯酮化合物：其中R 1，R 2，R 3，R 4和R 5分别选自氢和具有1至4个的低级烷基 碳原子，条件是R1至R5基团中的至少三个为低级烷基。
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