公开(公告)号：US20090257270A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12421405

申请日：2009-04-09

申请人： April D. Schricker ,  Mark H. Clark ,  Andy Fu ,  Huiwen Xu

发明人： April D. Schricker ,  Mark H. Clark ,  Andy Fu ,  Huiwen Xu

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/124 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691

摘要： In some aspects, a microelectronic structure is provided that includes (1) a first conducting layer; (2) a first dielectric layer formed above the first conducting layer and having a feature that exposes a portion of the first conducting layer; (3) a graphitic carbon film disposed on a sidewall of the feature defined by the first dielectric layer and in contact with the first conducting layer at a bottom of the feature; and (4) a second conducting layer disposed above and in contact with the graphitic carbon film. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在一些方面，提供微电子结构，其包括（1）第一导电层; （2）形成在第一导电层之上并具有暴露第一导电层的一部分的特征的第一介电层; （3）石墨碳膜，其设置在由所述第一介电层限定的特征的侧壁上，并且在所述特征的底部与所述第一导电层接触; 和（4）设置在石墨碳膜上方并与石墨碳膜接触的第二导电层。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US08467224B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US12421405

申请日：2009-04-09

申请人： April D. Schricker ,  Mark H. Clark ,  Andy Fu ,  Huiwen Xu

发明人： April D. Schricker ,  Mark H. Clark ,  Andy Fu ,  Huiwen Xu

IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C11/21

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/124 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691

摘要： In some aspects, a microelectronic structure is provided that includes (1) a first conducting layer; (2) a first dielectric layer formed above the first conducting layer and having a feature that exposes a portion of the first conducting layer; (3) a graphitic carbon film disposed on a sidewall of the feature defined by the first dielectric layer and in contact with the first conducting layer at a bottom of the feature; and (4) a second conducting layer disposed above and in contact with the graphitic carbon film. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在一些方面，提供微电子结构，其包括（1）第一导电层; （2）形成在第一导电层之上并具有暴露第一导电层的一部分的特征的第一介电层; （3）石墨碳膜，其设置在由所述第一介电层限定的特征的侧壁上，并且在所述特征的底部与所述第一导电层接触; 和（4）设置在石墨碳膜上方并与石墨碳膜接触的第二导电层。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US08445385B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12421803

申请日：2009-04-10

申请人： April D. Schricker ,  Andy Fu ,  Michael Konevecki ,  Steven Maxwell

发明人： April D. Schricker ,  Andy Fu ,  Michael Konevecki ,  Steven Maxwell

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31138 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C13/025 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

摘要： Memory cells, and methods of forming such memory cells are provided that include a steering element coupled to a carbon-based reversible resistivity-switching material. In particular embodiments, methods in accordance with this invention etch a carbon nano-tube (“CNT”) film formed over a substrate, the methods including coating the substrate with a masking layer, patterning the masking layer, and etching the CNT film through the patterned masking layer using a non-oxygen based chemistry. Other aspects are also described.

摘要翻译： 提供了存储单元和形成这种存储单元的方法，其包括耦合到碳基可逆电阻率切换材料的操纵元件。 在具体实施方案中，根据本发明的方法蚀刻在衬底上形成的碳纳米管（“CNT”）膜，所述方法包括用掩模层涂覆衬底，图案化掩模层，以及通过 使用非氧基化学的图案化掩模层。 还描述了其他方面。

公开(公告)号：US20090278112A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12421803

申请日：2009-04-10

申请人： April D. Schricker ,  Andy Fu ,  Michael Konevecki ,  Steven Maxwell

发明人： April D. Schricker ,  Andy Fu ,  Michael Konevecki ,  Steven Maxwell

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/31138 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C13/025 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

摘要： Memory cells, and methods of forming such memory cells are provided that include a steering element coupled to a carbon-based reversible resistivity-switching material. In particular embodiments, methods in accordance with this invention etch a carbon nano-tube (“CNT”) film formed over a substrate, the methods including coating the substrate with a masking layer, patterning the masking layer, and etching the CNT film through the patterned masking layer using a non-oxygen based chemistry. Other aspects are also described.

摘要翻译： 提供了存储单元和形成这种存储单元的方法，其包括耦合到碳基可逆电阻率切换材料的操纵元件。 在具体实施方案中，根据本发明的方法蚀刻在衬底上形成的碳纳米管（“CNT”）膜，所述方法包括用掩模层涂覆衬底，图案化掩模层，以及通过 使用非氧基化学的图案化掩模层。 还描述了其他方面。

公开(公告)号：US20100012914A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12505122

申请日：2009-07-17

申请人： Huiwen Xu ,  Er-Xuan Ping ,  Andy Fu

发明人： Huiwen Xu ,  Er-Xuan Ping ,  Andy Fu

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1616

摘要： Methods of forming memory devices, and memory devices formed in accordance with such methods, are provided, the methods including forming a via above a first conductive layer, forming a nonconformal carbon-based resistivity-switchable material layer in the via and coupled to the first conductive layer; and forming a second conductive layer in the via, above and coupled to the nonconformal carbon-based resistivity-switchable material layer. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 提供了形成存储器件的方法和根据这些方法形成的存储器件，所述方法包括在第一导电层上方形成通孔，在通孔中形成非共形的基于碳的电阻率可切换材料层并耦合到第一导电层 导电层; 并在上述通孔中形成第二导电层，并且连接到非共形的基于碳的电阻率可切换材料层。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US07615439B1

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US12240758

申请日：2008-09-29

申请人： April Dawn Schricker ,  Deepak C. Sekar ,  Andy Fu ,  Mark Clark

发明人： April Dawn Schricker ,  Deepak C. Sekar ,  Andy Fu ,  Mark Clark

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/144 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1683

摘要： Forming a metal-insulator diode and carbon memory element in a single damascene process is disclosed. A trench having a bottom and a sidewall is formed in an insulator. A first diode electrode is formed in the trench during a single damascene process. A first insulating region comprising a first insulating material is formed in the trench during the single damascene process. A second insulating region comprising a second insulating material is formed in the trench during the single damascene process. A second diode electrode is formed in the trench during the single damascene process. The first insulating region and the second insulating region reside between the first diode electrode and the second diode electrode to form a metal-insulator-insulator-metal (MIIM) diode. A region of carbon is formed in the trench during the single damascene process. At least a portion of the carbon is electrically in series with the MIIM diode.

摘要翻译： 公开了在单个镶嵌工艺中形成金属绝缘体二极管和碳记忆元件。 具有底部和侧壁的沟槽形成在绝缘体中。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成第一二极管电极。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成包括第一绝缘材料的第一绝缘区域。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成包括第二绝缘材料的第二绝缘区域。 在单镶嵌工艺期间，在沟槽中形成第二二极管电极。 第一绝缘区域和第二绝缘区域位于第一二极管电极和第二二极管电极之间，以形成金属 - 绝缘体 - 绝缘体 - 金属（MIIM）二极管。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成碳区域。 至少一部分碳与MIIM二极管电串联。

公开(公告)号：US20100081268A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12566486

申请日：2009-09-24

申请人： April Dawn Schricker ,  Deepak C. Sekar ,  Andy Fu ,  Mark Clark

发明人： April Dawn Schricker ,  Deepak C. Sekar ,  Andy Fu ,  Mark Clark

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/144 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1683

摘要： Forming a metal-insulator diode and carbon memory element in a single damascene process is disclosed. A trench having a bottom and a sidewall is formed in an insulator. A first diode electrode is formed in the trench during a single damascene process. A first insulating region comprising a first insulating material is formed in the trench during the single damascene process. A second insulating region comprising a second insulating material is formed in the trench during the single damascene process. A second diode electrode is formed in the trench during the single damascene process. The first insulating region and the second insulating region reside between the first diode electrode and the second diode electrode to form a metal-insulator-insulator-metal (MIIM) diode. A region of carbon is formed in the trench during the single damascene process. At least a portion of the carbon is electrically in series with the MIIM diode.

摘要翻译： 公开了在单个镶嵌工艺中形成金属绝缘体二极管和碳记忆元件。 具有底部和侧壁的沟槽形成在绝缘体中。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成第一二极管电极。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成包括第一绝缘材料的第一绝缘区域。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成包括第二绝缘材料的第二绝缘区域。 在单镶嵌工艺期间，在沟槽中形成第二二极管电极。 第一绝缘区域和第二绝缘区域位于第一二极管电极和第二二极管电极之间，以形成金属 - 绝缘体 - 绝缘体 - 金属（MIIM）二极管。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成碳区域。 至少一部分碳与MIIM二极管电串联。

公开(公告)号：US07935594B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12566486

申请日：2009-09-24

申请人： April Dawn Schricker ,  Deepak C. Sekar ,  Andy Fu ,  Mark Clark

发明人： April Dawn Schricker ,  Deepak C. Sekar ,  Andy Fu ,  Mark Clark

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/144 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1683

摘要： Forming a metal-insulator diode and carbon memory element in a single damascene process is disclosed. A trench having a bottom and a sidewall is formed in an insulator. A first diode electrode is formed in the trench during a single damascene process. A first insulating region comprising a first insulating material is formed in the trench during the single damascene process. A second insulating region comprising a second insulating material is formed in the trench during the single damascene process. A second diode electrode is formed in the trench during the single damascene process. The first insulating region and the second insulating region reside between the first diode electrode and the second diode electrode to form a metal-insulator-insulator-metal (MIIM) diode. A region of carbon is formed in the trench during the single damascene process. At least a portion of the carbon is electrically in series with the MIIM diode.

摘要翻译： 公开了在单个镶嵌工艺中形成金属绝缘体二极管和碳记忆元件。 具有底部和侧壁的沟槽形成在绝缘体中。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成第一二极管电极。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成包括第一绝缘材料的第一绝缘区域。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成包括第二绝缘材料的第二绝缘区域。 在单镶嵌工艺期间，在沟槽中形成第二二极管电极。 第一绝缘区域和第二绝缘区域位于第一二极管电极和第二二极管电极之间，以形成金属 - 绝缘体 - 绝缘体 - 金属（MIIM）二极管。 在单个镶嵌工艺期间，在沟槽中形成碳区域。 至少一部分碳与MIIM二极管电串联。