公开(公告)号：US4171489A

公开(公告)日：1979-10-16

申请号：US941776

申请日：1978-09-13

申请人： Arthur C. Adams ,  Cesar D. Capio ,  Hyman J. Levinstein ,  Ashok K. Sinha ,  David N. Wang

发明人： Arthur C. Adams ,  Cesar D. Capio ,  Hyman J. Levinstein ,  Ashok K. Sinha ,  David N. Wang

IPC分类号： G03F1/22 ,  G21K5/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G21F3/02

CPC分类号： G03F1/22

摘要： The discovery that boron nitride and boron carbide films can be made in tension allows nondistorting radiation windows or masks to be realized. Both low and high pressure techniques for making the tensile films lead to related mask structures utilizing such films. The resulting structures are sufficiently distortion free to be useful for x-ray lithography.

摘要翻译： {PG，1]发现氮化硼和碳化硼薄膜可以制成张力，可以实现非调质辐射窗口或掩模。 用于制造拉伸膜的低压和高压技术都导致利用这种膜的相关掩模结构。 所得到的结构具有足够的变形，可用于x射线光刻。

公开(公告)号：USRE30244E

公开(公告)日：1980-04-01

申请号：US946843

申请日：1978-09-28

申请人： Frank B. Alexander, Jr. ,  Cesar D. Capio ,  Victor E. Hauser, Jr. ,  Hyman J. Levinstein ,  Cyril J. Mogab ,  Ashok K. Sinha ,  Richard S. Wagner

发明人： Frank B. Alexander, Jr. ,  Cesar D. Capio ,  Victor E. Hauser, Jr. ,  Hyman J. Levinstein ,  Cyril J. Mogab ,  Ashok K. Sinha ,  Richard S. Wagner

IPC分类号： C23C16/509

CPC分类号： C23C16/5096

摘要： An improved radio frequency (rf) powered radial flow cylindrical reactor utilizes a gas shield which substantially limits the glow plasma discharge reaction to a section of the reactor over the semiconductor substrates which are to be coated. The gas shield permits the use of higher rf input power which contributes to the formation of protective films that have desirable physical and electrical characteristics.

公开(公告)号：US4134125A

公开(公告)日：1979-01-09

申请号：US817175

申请日：1977-07-20

申请人： Arthur C. Adams ,  Cesar D. Capio ,  Hyman J. Levinstein ,  Shyam P. Murarka

发明人： Arthur C. Adams ,  Cesar D. Capio ,  Hyman J. Levinstein ,  Shyam P. Murarka

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/314 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L23/298 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/314 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011

摘要： Disclosed is a method and structure for protecting circuit components from the ambient and in particular for protecting the contact metal from the adverse effects of moisture. A first layer of amorphous silicon is deposited over the circuit including the metal contacts. A second layer which may be silicon nitride or silicon dioxide is then deposited over the amorphous silicon. The amorphous silicon layer reduces cracking in the second layer and prevents cracks in the second layer from propagating to the circuit components.

摘要翻译： 公开了一种用于保护电路组件免受环境影响的方法和结构，特别是用于保护接触金属免受湿气的不利影响。 在包括金属触点的电路上沉积第一层非晶硅。 然后将可能是氮化硅或二氧化硅的第二层沉积在非晶硅上。 非晶硅层减少第二层中的裂纹，并防止第二层中的裂纹传播到电路部件。