公开(公告)号：US20170369743A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：US15536447

申请日：2015-12-04

Applicant: BASF SE

Inventor： Max SIEBERT ,  Michael LAUTER ,  Yongqing LAN ,  Robert REICHARDT ,  Alexandra MUENCH ,  Manuel SIX ,  Gerald DANIEL ,  Bastian Marten NOLLER ,  Kevin HUANG ,  Sheik Ansar USMAN IBRAHIM

IPC: C09G1/04 ,  H01L21/304 ,  C09K13/00 ,  H01L21/461 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09G1/04 ,  C09G1/02 ,  C09K13/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/461

Abstract: Disclosed herein is a chemical mechanical polishing (CMP) composition (Q) containing (A) inorganic particles, (B) a compound of general formula (I) below, and (C) an aqueous medium, in which the composition (Q) has a pH of from 2 to 6.

公开(公告)号：US20160013066A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：US14771343

申请日：2014-05-26

Applicant: BASF SE

Inventor： Bastian Marten NOLLER ,  Manuel SIX

IPC: H01L21/306 ,  H01L29/06 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L29/0649

Abstract: Use of a chemical mechanical polishing (CMP) composition (Q) for chemical mechanical polishing of a substrate (S) comprising (i) elemental germanium or (ii) Si1-xGex with 0.1≦x

Abstract translation: 使用化学机械抛光（CMP）组合物（Q）进行基材（S）的化学机械抛光，其包括（i）元素锗或（ii）具有0.1和n1E的Si1-xGex; x <1，其中所述CMP组合物 ）基本上由（A）0.01〜3重量％的铝颗粒组成。 基于CMP组合物（B）的总重量，至少一种氧化剂，（M）水性介质和（N）任选的至少一种pH调节剂，其中CMP组合物（Q）的pH为2至6 。