公开(公告)号：US08557567B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US11887978

申请日：2006-09-05

申请人： Bong hyun Chung ,  Sang kyu Kim ,  Hye jung Park

发明人： Bong hyun Chung ,  Sang kyu Kim ,  Hye jung Park

IPC分类号： C12M1/34 ,  C12M3/00

CPC分类号： G01N33/5438 ,  B82Y15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/10

摘要： The present invention relates to a method of fabricating a nanogap and a nanogap sensor, and to a nanogap and a nanogap sensor fabricated using the method. The present invention relates to a method of fabricating a nanogap and a nanogap sensor, which can be realized by an anisotropic etching using a semiconductor manufacturing process. According to the method of present invention, the nanogap and nanogap sensor can be simply and cheaply produced in large quantities.

摘要翻译： 本发明涉及制造纳米隙和纳米隙传感器的方法，以及使用该方法制造的纳米隙和纳米隙传感器。 本发明涉及一种可以通过使用半导体制造工艺的各向异性蚀刻来实现的纳米隙和纳米隙传感器的制造方法。 根据本发明的方法，可以大量地简单且廉价地生产纳米隙和纳米隙传感器。

公开(公告)号：US20090215156A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US11887978

申请日：2006-09-05

申请人： Bong hyun Chung ,  Sang kyu Kim ,  Hye Jung Park

发明人： Bong hyun Chung ,  Sang kyu Kim ,  Hye Jung Park

IPC分类号： C12M1/34 ,  H01L21/3065 ,  C23F1/00 ,  H01L29/02 ,  H01L21/283 ,  H01L29/66 ,  B01J19/00 ,  G01N27/26 ,  G01N27/327 ,  C23F1/32 ,  C23F1/34 ,  C23F1/36 ,  C23F1/40 ,  G03F7/20 ,  G01R29/00

CPC分类号： G01N33/5438 ,  B82Y15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/10

摘要： The present invention relates to a method of fabricating a nanogap and a nanogap sensor, and to a nanogap and a nanogap sensor fabricated using the method. The present invention relates to a method of fabricating a nanogap and a nanogap sensor, which can be realized by an anisotropic etching using a semiconductor manufacturing process. According to the method of present invention, the nanogap and nanogap sensor can be simply and cheaply produced in large quantities.

摘要翻译： 本发明涉及制造纳米隙和纳米隙传感器的方法，以及使用该方法制造的纳米隙和纳米隙传感器。 本发明涉及一种可以通过使用半导体制造工艺的各向异性蚀刻来实现的纳米隙和纳米隙传感器的制造方法。 根据本发明的方法，可以大量地简单且廉价地生产纳米隙和纳米隙传感器。