公开(公告)号：US07956356B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US11963369

申请日：2007-12-21

申请人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Matthew A. Simpson ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Isaac K. Cherian ,  Ramanujam Vedantham

发明人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Matthew A. Simpson ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Isaac K. Cherian ,  Ramanujam Vedantham

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： C30B29/20

摘要： A sapphire substrate includes a generally planar surface having a crystallographic orientation selected from the group consisting of a-plane, r-plane, m-plane, and c-plane orientations, and having a nTTV of not greater than about 0.037 μm/cm2, wherein nTTV is total thickness variation normalized for surface area of the generally planar surface, the substrate having a diameter not less than about 9.0 cm.

摘要翻译： 蓝宝石衬底包括具有选自由a面，r面，m面和c面取向组成的组的结晶取向并且具有不大于约0.037μm/ cm 2的nTTV的大致平坦表面， 其中nTTV是对于大致平坦的表面的表面积进行标准化的总厚度变化，所述基底的直径不小于约9.0cm。

公开(公告)号：US08455879B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US11963420

申请日：2007-12-21

申请人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Matthew A. Simpson ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Ramanujam Vedantham

发明人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Matthew A. Simpson ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Ramanujam Vedantham

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： B24B7/228 ,  Y10T428/257 ,  Y10T428/26

摘要： A sapphire substrate includes a generally planar surface having a crystallographic orientation selected from the group consisting of a-plane, r-plane, m-plane, and c-plane orientations, and having a nTTV of not greater than about 0.037 μm/cm2, wherein nTTV is total thickness variation normalized for surface area of the generally planar surface, the substrate having a diameter not less than about 9.0 cm.

摘要翻译： 蓝宝石衬底包括具有选自由a面，r面，m面和c面取向组成的组的结晶取向并具有不大于约0.037μm/ cm 2的nTTV的大致平坦表面， 其中nTTV是对于大致平坦的表面的表面积进行标准化的总厚度变化，所述基底的直径不小于约9.0cm。

公开(公告)号：US20080164578A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11963369

申请日：2007-12-21

申请人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Matthew A. Simpson ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Isaac K. Cherian ,  Ramanujam Vedantham

发明人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Matthew A. Simpson ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Isaac K. Cherian ,  Ramanujam Vedantham

IPC分类号： H01L31/036

CPC分类号： C30B29/20

摘要： A sapphire substrate includes a generally planar surface having a crystallographic orientation selected from the group consisting of a-plane, r-plane, m-plane, and c-plane orientations, and having a nTTV of not greater than about 0.037 μm/cm2, wherein nTTV is total thickness variation normalized for surface area of the generally planar surface, the substrate having a diameter not less than about 9.0 cm.

公开(公告)号：US20080164458A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11963420

申请日：2007-12-21

申请人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Matthew A. Simpson ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Ramanujam Vedantham

发明人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Matthew A. Simpson ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Ramanujam Vedantham

IPC分类号： B24B7/04 ,  H01L33/00 ,  H01L29/04

CPC分类号： B24B7/228 ,  Y10T428/257 ,  Y10T428/26

摘要： A sapphire substrate includes a generally planar surface having a crystallographic orientation selected from the group consisting of a-plane, r-plane, m-plane, and c-plane orientations, and having a nTTV of not greater than about 0.037 μm/cm2, wherein nTTV is total thickness variation normalized for surface area of the generally planar surface, the substrate having a diameter not less than about 9.0 cm.

公开(公告)号：US08740670B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13472179

申请日：2012-05-15

申请人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Isaac K. Cherian ,  Ramanujam Vedantham ,  Matthew A. Simpson

发明人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Isaac K. Cherian ,  Ramanujam Vedantham ,  Matthew A. Simpson

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： C30B29/20 ,  B24B7/228 ,  B24B27/0633 ,  B24D3/06 ,  B24D5/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H04L29/12028 ,  H04L29/12594 ,  H04L61/103 ,  H04L61/3065 ,  H04L67/327 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00

摘要： A sapphire substrate includes a generally planar surface having a crystallographic orientation selected from the group consisting of a-plane, r-plane, m-plane, and c-plane orientations, and having a nTTV of not greater than about 0.037 μm/cm2, wherein nTTV is total thickness variation normalized for surface area of the generally planar surface, the substrate having a diameter not less than about 9.0 cm.

摘要翻译： 蓝宝石衬底包括具有选自由a面，r面，m面和c面取向组成的组的结晶取向并且具有不大于约0.037μm/ cm 2的nTTV的大致平坦表面， 其中nTTV是对于大致平坦的表面的表面积进行标准化的总厚度变化，所述基底的直径不小于约9.0cm。

公开(公告)号：US07972196B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12145901

申请日：2008-06-25

申请人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Christopher Arcona ,  David I. Gindhart ,  Christopher D. Jones ,  Matthew A. Simpson

发明人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Christopher Arcona ,  David I. Gindhart ,  Christopher D. Jones ,  Matthew A. Simpson

IPC分类号： B24B49/00

CPC分类号： B24B7/22 ,  B24B49/12

摘要： A method of changing the crystallographic orientation of a single crystal body is disclosed that includes the steps of characterizing a crystallographic orientation of the single crystal body and calculating a misorientation angle between a select crystallographic direction of the single crystal body and a projection of the crystallographic direction along a plane of a first exterior major surface of the single crystal body. The method further includes removing material from at least a portion of the first exterior major surface to change the misorientation angle.

摘要翻译： 公开了改变单晶体的晶体取向的方法，其包括以下步骤：表征单晶体的晶体取向并计算单晶体的选择晶体学方向与晶体学方向的投影之间的取向角 沿着单晶体的第一外表面的平面。 该方法还包括从第一外部主表面的至少一部分去除材料以改变取向角。

公开(公告)号：US20080318496A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12145901

申请日：2008-06-25

申请人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Christopher Arcona ,  David I. Gindhart ,  Christopher D. Jones ,  Matthew A. Simpson

发明人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Christopher Arcona ,  David I. Gindhart ,  Christopher D. Jones ,  Matthew A. Simpson

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B7/22

CPC分类号： B24B7/22 ,  B24B49/12

摘要： A method of changing the crystallographic orientation of a single crystal body is disclosed that includes the steps of characterizing a crystallographic orientation of the single crystal body and calculating a misorientation angle between a select crystallographic direction of the single crystal body and a projection of the crystallographic direction along a plane of a first exterior major surface of the single crystal body. The method further includes removing material from at least a portion of the first exterior major surface to change the misorientation angle.

摘要翻译： 公开了改变单晶体的晶体取向的方法，其包括以下步骤：表征单晶体的晶体取向并计算单晶体的选择晶体方向与晶体方向的投影之间的取向角 沿着单晶体的第一外表面的平面。 该方法还包括从第一外部主表面的至少一部分去除材料以改变取向角。

公开(公告)号：US07094718B2

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：US10689192

申请日：2003-10-20

申请人： Oh-Hun Kwon ,  Matthew A. Simpson ,  Roger J. Lin

发明人： Oh-Hun Kwon ,  Matthew A. Simpson ,  Roger J. Lin

IPC分类号： C04B35/488 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

CPC分类号： C04B35/486 ,  C04B33/14 ,  C04B33/20 ,  C04B33/32 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/488 ,  C04B35/4885 ,  C04B35/581 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3243 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3265 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2235/9669 ,  H05K1/0254 ,  H05K1/0306

摘要： This invention relates to a dense ceramics having ESD dissipative characteristics, tunable volume and surface resistivities in semi-insulative range (103-1011 Ohm-cm), substantially pore free, high flexural strength, light colors, for desired ESD dissipation characteristics, structural reliability, high vision recognition, low wear and particulate contamination to be used as ESD dissipating tools, fixtures, load bearing elements, work surfaces, containers in manufacturing and assembling electrostatically sensitive microelectronic, electromagnetic, electro-optic components, devices and systems.

摘要翻译： 本发明涉及一种致密陶瓷，其具有ESD耗散特性，半绝缘范围内的可调谐体积和表面电阻率，基本上无孔隙的（10≤n≤10.0欧姆 - 厘米） ，高抗弯强度，浅色，适用于所需的ESD耗散特性，结构可靠性，高视觉识别，低磨损和微粒污染，用作ESD消散工具，固定装置，承载元件，工作表面，制造和组装静电敏感的容器 微电子，电磁，电光元件，器件和系统。

公开(公告)号：US06736704B2

公开(公告)日：2004-05-18

申请号：US10414913

申请日：2003-04-16

申请人： Leo E. Kennedy ,  Oh-Hun Kwon ,  Matthew A. Simpson ,  Stanley C. Smith

发明人： Leo E. Kennedy ,  Oh-Hun Kwon ,  Matthew A. Simpson ,  Stanley C. Smith

IPC分类号： B24B100

CPC分类号： B24B37/30 ,  B24B37/048 ,  C04B35/488

摘要： A lapping carrier for machining a row of magneto-resistive elements is disclosed. The lapping carrier includes a plurality of movable elements, the movable elements terminating at an outer surface to form a generally planar mounting surface for a row of magneto-resistive elements. The lapping carrier is formed of a ceramic material. A method for lapping or machining a row of magneto-resistive elements is also disclosed.

摘要翻译： 公开了用于加工一排磁阻元件的研磨载体。 研磨载体包括多个可移动元件，可移动元件终止于外表面以形成用于一排磁阻元件的大致平面的安装表面。 研磨载体由陶瓷材料形成。 还公开了一种用于研磨或加工一排磁阻元件的方法。

公开(公告)号：US06669871B2

公开(公告)日：2003-12-30

申请号：US09988894

申请日：2001-11-19

申请人： Oh-Hun Kwon ,  Matthew A. Simpson ,  Roger J. Lin

发明人： Oh-Hun Kwon ,  Matthew A. Simpson ,  Roger J. Lin

IPC分类号： H01B108

CPC分类号： C04B35/486 ,  C04B33/14 ,  C04B33/20 ,  C04B33/32 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/488 ,  C04B35/4885 ,  C04B35/581 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3243 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3265 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2235/9669 ,  H05K1/0254 ,  H05K1/0306

摘要： This invention relates to a dense ceramics having ESD dissipative characteristics, tunable volume and surface resistivities in semi-insulative range (103-1011 Ohm-cm), substantially pore free, high flexural strength, light colors, for desired ESD dissipation characteristics, structural reliability, high vision recognition, low wear and particulate contamination to be used as ESD dissipating tools, fixtures, load bearing elements, work surfaces, containers in manufacturing and assembling electrostatically sensitive microelectronic, electromagnetic, electro-optic components, devices and systems.

摘要翻译： 本发明涉及在半绝缘范围（10 -3 -10 -10 Ohm-cm）内具有ESD耗散特性，可调谐体积和表面电阻率的致密陶瓷，基本上无孔，高弯曲强度，光色 ESD耗散特性，结构可靠性，高视觉识别，低磨损和微粒污染，用作ESD消散工具，夹具，承载元件，工作表面，制造和组装静电敏感微电子，电磁，电光元件，器件的容器 和系统。