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    Spinel wafers and methods of preparation
    9.
    发明授权
    Spinel wafers and methods of preparation 有权
    尖晶石晶圆及其制备方法

    公开(公告)号：US07919815B1

    公开(公告)日：2011-04-05

    申请号：US11365465

    申请日：2006-03-01

    申请人： Brahmanandam Tanikella ,  Elizabeth Thomas ,  Frank L. Csillag ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Jadwiga Jaroniec ,  Eric Virey ,  Robert A. Rizzuto

    发明人： Brahmanandam Tanikella ,  Elizabeth Thomas ,  Frank L. Csillag ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Jadwiga Jaroniec ,  Eric Virey ,  Robert A. Rizzuto

    IPC分类号： H01L27/01 ,  H01L27/12 ,  H01L31/0392 ,  H01L23/58

    CPC分类号： H01L21/86 ,  Y10S438/974

    摘要： Wafer suitable for semiconductor deposition application can be fabricated to have low bow, warp, total thickness variation, taper, and total indicated reading properties. The wafers can be fabricated by cutting a boule to produce rough-cut wafers, lapping the rough-cut wafers, etching the lapped wafers to remove a defect, deformation zone and relieve residual stress, and chemically mechanically polishing the etched wafers to desired finish properties. Etching can be performed by immersion in a heated etching solution comprising sulfuric acid or a mixture of sulfuric and phosphoric acids. A low pH slurry utilized in chemical mechanical polishing of the spinel wafer can comprise α-Al2O3 and an organic phosphate.

    摘要翻译： 可以制造适用于半导体沉积应用的晶片，具有低的弓，翘曲，总厚度变化，锥度和总体指示的读取特性。 可以通过切割晶片来制造晶片来制造粗切晶片，研磨粗切晶片，蚀刻重叠的晶片以去除缺陷，变形区域并减轻残余应力，以及化学机械抛光所蚀刻的晶片以达到期望的精加工性能 。 可以通过浸渍在包含硫酸或硫酸和磷酸的混合物的加热蚀刻溶液中进行蚀刻。 在尖晶石晶片的化学机械抛光中使用的低pH浆料可以包含α-Al 2 O 3和有机磷酸盐。

    Modified Microgrinding Process
    10.
    发明申请
    Modified Microgrinding Process 审中-公开
    改性微研磨工艺

    公开(公告)号：US20140094094A1

    公开(公告)日：2014-04-03

    申请号：US14030843

    申请日：2013-09-18

    申请人： Robert A. Rizzuto ,  Ajay Krishnan ,  Christopher Arcona ,  Anand Tanikella

    发明人： Robert A. Rizzuto ,  Ajay Krishnan ,  Christopher Arcona ,  Anand Tanikella

    IPC分类号： B24B7/22

    CPC分类号： B24B7/228 ,  B24B7/17 ,  B24B37/08 ,  B24B57/02

    摘要： A method of forming a substrate is performed by grinding a substrate using abrasives so that both major surfaces of the substrate achieve desired flatness, smoothness, or both. In an embodiment, a coarser abrasive is used to grind one major surface, while a finer abrasive is simultaneously used to grind the other major surface. A single grinding step can used to produce a substrate having opposing surfaces of different surface roughnesses. This may help to eliminate a typical second downstream fine polishing step used in the prior art. Embodiments can be used with a wide variety of substrates, including sapphire, silicon carbide and gallium nitride single crystal structures grown by various techniques.

    摘要翻译： 通过使用研磨剂研磨衬底来进行形成衬底的方法，使得衬底的两个主表面实现期望的平坦度，平滑度或两者。 在一个实施方案中，使用较粗的研磨剂研磨一个主表面，同时使用较细磨料研磨另一主表面。 可以使用单个研磨步骤来生产具有不同表面粗糙度的相对表面的基材。 这可能有助于消除现有技术中使用的典型的第二下游精细抛光步骤。 实施例可以用于各种各样的基板，包括通过各种技术生长的蓝宝石，碳化硅和氮化镓单晶结构。