公开(公告)号：US20120138901A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US12960090

申请日：2010-12-03

申请人： Brian J. Walker ,  August Dorn ,  Vladimir Bulovic ,  Moungi G. Bawendi

发明人： Brian J. Walker ,  August Dorn ,  Vladimir Bulovic ,  Moungi G. Bawendi

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L51/426 ,  H01L31/035227 ,  H01L51/4266 ,  Y02E10/549

摘要： A photoelectric device, such as a photodetector, can include a semiconductor nanowire electrostatically associated with a J-aggregate. The J-aggregate can facilitate absorption of a desired wavelength of light, and the semiconductor nanowire can facilitate charge transport. The color of light detected by the device can be chosen by selecting a J-aggregate with a corresponding peak absorption wavelength.

摘要翻译： 诸如光电检测器的光电器件可以包括与J-聚集体静电相关的半导体纳米线。 J-聚集体可以促进所需波长的光的吸收，并且半导体纳米线可以促进电荷传输。 可以通过选择具有相应峰值吸收波长的J-聚集体来选择器件检测到的光的颜色。

公开(公告)号：US08399939B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US12960090

申请日：2010-12-03

申请人： Brian J. Walker ,  August Dorn ,  Vladimir Bulovic ,  Moungi G. Bawendi

发明人： Brian J. Walker ,  August Dorn ,  Vladimir Bulovic ,  Moungi G. Bawendi

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L29/84 ,  H01L31/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L51/426 ,  H01L31/035227 ,  H01L51/4266 ,  Y02E10/549

摘要： A photoelectric device, such as a photodetector, can include a semiconductor nanowire electrostatically associated with a J-aggregate. The J-aggregate can facilitate absorption of a desired wavelength of light, and the semiconductor nanowire can facilitate charge transport. The color of light detected by the device can be chosen by selecting a J-aggregate with a corresponding peak absorption wavelength.

摘要翻译： 诸如光电检测器的光电器件可以包括与J-聚集体静电相关的半导体纳米线。 J-聚集体可以促进所需波长的光的吸收，并且半导体纳米线可以促进电荷传输。 可以通过选择具有相应峰值吸收波长的J-聚集体来选择器件检测到的光的颜色。

公开(公告)号：US20100148152A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12628788

申请日：2009-12-01

申请人： August Dorn ,  Cliff R. Wong ,  Moungi G. Bawendi

发明人： August Dorn ,  Cliff R. Wong ,  Moungi G. Bawendi

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： B22F9/14 ,  B22F1/0025 ,  B22F1/02 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06

摘要： A population of nanowires can be prepared by a method involving electric field catalyzed growth and alteration based on surface charge density.

摘要翻译： 可以通过涉及基于表面电荷密度的电场催化生长和改变的方法来制备纳米线群体。

公开(公告)号：US09643252B2

公开(公告)日：2017-05-09

申请号：US12628788

申请日：2009-12-01

申请人： August Dorn ,  Cliff R. Wong ,  Moungi G. Bawendi

发明人： August Dorn ,  Cliff R. Wong ,  Moungi G. Bawendi

IPC分类号： H01L29/00 ,  B22F9/14 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04

CPC分类号： B22F9/14 ,  B22F1/0025 ,  B22F1/02 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06

摘要： A population of nanowires can be prepared by a method involving electric field catalyzed growth and alteration based on surface charge density.