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    Shallow trench isolation structure and method
    3.
    发明授权
    Shallow trench isolation structure and method 有权
    浅沟隔离结构及方法

    公开(公告)号：US06930018B2

    公开(公告)日：2005-08-16

    申请号：US10196089

    申请日：2002-07-16

    申请人： Freidoon Mehrad ,  Zhihao Chen ,  Shashank S. Ekbote ,  Brian Trentman

    发明人： Freidoon Mehrad ,  Zhihao Chen ,  Shashank S. Ekbote ,  Brian Trentman

    IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/8222

    CPC分类号： H01L21/76224

    摘要： Disclosed is a shallow trench isolation (STI) structure and methods of manufacturing the same. The methods eliminate the requirement for design size adjustments (DSA) in manufacturing the STI structure. Further disclosed is an STI trench liner and methods for the formation thereof by growing a thin oxide layer on shallow isolation trench surfaces while preventing oxide formation on adjacent nitride surfaces, followed by the deposition of, and oxide growth upon, a polysilicon layer.

    摘要翻译： 公开了一种浅沟槽隔离（STI）结构及其制造方法。 该方法消除了在制造STI结构时设计尺寸调整（DSA）的要求。 进一步公开了一种STI沟槽衬垫及其形成方法，其通过在浅隔离沟槽表面上生长薄氧化物层，同时防止在相邻的氮化物表面上形成氧化物，随后在多晶硅层上沉积和氧化物生长。

    FORMING A TRENCH TO DEFINE ONE OR MORE ISOLATION REGIONS IN A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
    4.
    发明申请
    FORMING A TRENCH TO DEFINE ONE OR MORE ISOLATION REGIONS IN A SEMICONDUCTOR STRUCTURE 有权
    形成一个半导体结构中定义一个或多个隔离区域的TRENCH

    公开(公告)号：US20050101101A1

    公开(公告)日：2005-05-12

    申请号：US10703387

    申请日：2003-11-06

    申请人： Juanita DeLoach ,  Freidoon Mehrad ,  Brian Trentman ,  Troy Yocum

    发明人： Juanita DeLoach ,  Freidoon Mehrad ,  Brian Trentman ,  Troy Yocum

    IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L21/76232

    摘要： In one embodiment, a method for forming a semiconductor structure in manufacturing a semiconductor device includes providing a pad layer on a surface of a substrate, providing a nitride layer on the pad layer, and providing a sacrificial oxide layer on the nitride layer. In a first etching step, at least the sacrificial oxide and nitride layers are etched to define opposing substantially vertical surfaces of at least the sacrificial oxide and nitride layers. In a second etching step, the nitride layer is etched such that the opposing substantially vertical surfaces of the nitride layer are recessed from the opposing substantially vertical surfaces of the sacrificial oxide layer, the sacrificial oxide layer substantially preventing the nitride layer from decreasing in thickness as a result of the etching of the nitride layer. In a third etching step, the substrate is etched to form a trench extending into the substrate for purposes of defining one or more isolation regions adjacent the trench.

    摘要翻译： 在一个实施例中，在制造半导体器件中形成半导体结构的方法包括在衬底的表面上提供焊盘层，在焊盘层上提供氮化物层，并在氮化物层上提供牺牲氧化物层。 在第一蚀刻步骤中，至少牺牲氧化物层和氮化物层被蚀刻以限定至少牺牲氧化物层和氮化物层的相对的基本垂直的表面。 在第二蚀刻步骤中，蚀刻氮化物层，使得氮化物层的相对的基本上垂直的表面从牺牲氧化物层的相对的基本上垂直的表面凹陷，牺牲氧化物层基本上防止氮化物层的厚度减小 蚀刻氮化物层的结果。 在第三蚀刻步骤中，蚀刻衬底以形成延伸到衬底中的沟槽，用于限定与沟槽相邻的一个或多个隔离区域。