公开(公告)号：US20140177326A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US13725235

申请日：2012-12-21

申请人： Brian S. DOYLE ,  Charles C. KUO ,  David L. KENCKE ,  Roksana GOLIZADEH MOJARAD ,  Uday SHAH

发明人： Brian S. DOYLE ,  Charles C. KUO ,  David L. KENCKE ,  Roksana GOLIZADEH MOJARAD ,  Uday SHAH

IPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： Spin transfer torque memory (STTM) devices incorporating a field plate for application of an electric field to reduce a critical current required for transfer torque induced magnetization switching. Embodiments utilize not only current-induced magnetic filed or spin transfer torque, but also electric field induced manipulation of magnetic dipole orientation to set states in a magnetic device element (e.g., to write to a memory element). An electric field generated by a voltage differential between an MTJ electrode and the field plate applies an electric field to a free magnetic layer of a magnetic tunneling junction (MTJ) to modulate one or more magnetic properties over at least a portion of the free magnetic layer.

摘要翻译： 具有用于施加电场的场板的旋转转矩存储器（STTM）装置，以减少传递转矩感应磁化切换所需的临界电流。 实施例不仅利用电流感应磁场或自旋转移转矩，还利用电场诱导的磁偶极取向的操纵来设置磁性器件元件中的状态（例如，写入存储元件）。 由MTJ电极和场板之间的电压差产生的电场向磁性隧道结（MTJ）的自由磁性层施加电场，以在至少一部分自由磁性层上调制一个或多个磁性能 。

公开(公告)号：US20140084398A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：US13627968

申请日：2012-09-26

申请人： Kaan OGUZ ,  Mark L. DOCZY ,  Brian DOYLE ,  Uday SHAH ,  David L. KENCKE ,  Roksana GOLIZADEH MOJARAD ,  Robert S. CHAU

发明人： Kaan OGUZ ,  Mark L. DOCZY ,  Brian DOYLE ,  Uday SHAH ,  David L. KENCKE ,  Roksana GOLIZADEH MOJARAD ,  Robert S. CHAU

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/18 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/325 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： Magnetic tunnel junctions (MTJ) suitable for spin transfer torque memory (STTM) devices, include perpendicular magnetic layers and one or more anisotropy enhancing layer(s) separated from a free magnetic layer by a crystallization barrier layer. In embodiments, an anisotropy enhancing layer improves perpendicular orientation of the free magnetic layer while the crystallization barrier improves tunnel magnetoresistance (TMR) ratio with better alignment of crystalline texture of the free magnetic layer with that of a tunneling layer.

摘要翻译： 适用于自旋转移转矩存储器（STTM）器件的磁隧道结（MTJ）包括垂直磁性层和通过结晶阻挡层与自由磁性层分离的一个或多个各向异性增强层。 在实施方案中，各向异性增强层改善了自由磁性层的垂直取向，而结晶势垒改善了隧道磁阻（TMR）比，同时自由磁层的晶体结构与隧穿层的结构更好地对准。