公开(公告)号：US20110249160A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US12759472

申请日：2010-04-13

申请人： Joseph T. Smith ,  Bron R. Frias ,  Paul A. Tittel ,  Robert R. Shiskowski ,  Nathan Bluzer

发明人： Joseph T. Smith ,  Bron R. Frias ,  Paul A. Tittel ,  Robert R. Shiskowski ,  Nathan Bluzer

IPC分类号： H04N5/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/768

CPC分类号： H01L29/76891 ,  H01L21/3003

摘要： An Indium Tin Oxide (ITO) gate charge coupled device (CCD) is provided. The CCD device comprises a CCD structure having a substrate layer, an oxide layer over the substrate layer, a nitride layer over the oxide layer and a plurality of parallel ITO gates extending over the nitride layer. The CCD device further comprises a plurality of substantially similarly sized channel stop regions in the substrate layer that extend transversely relative to the ITO gates, such that a given pair of channel stop regions defining a pixel column of the CCD structure. The CCD device also comprises a plurality of vent openings that extend through the nitride layer along the plurality of substantially similarly sized channel stop regions to allow for penetration of hydrogen to at least one of the oxide layer and the substrate layer.

摘要翻译： 提供氧化铟锡（ITO）栅极电荷耦合器件（CCD）。 CCD器件包括具有衬底层，衬底层上的氧化物层，氧化物层上的氮化物层和在氮化物层上延伸的多个平行ITO栅极的CCD结构。 CCD器件还包括在衬底层中相对于ITO栅极横向延伸的多个基本相似尺寸的通道阻挡区域，使得限定CCD结构的像素列的给定的一对通道阻挡区域。 CCD装置还包括多个通气孔，其沿着多个基本类似尺寸的通道停止区域延伸穿过氮化物层，以允许氢气渗透到氧化物层和衬底层中的至少一个。

公开(公告)号：US08477226B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US12730076

申请日：2010-03-23

申请人： Bron R. Frias ,  Nathan Bluzer ,  Paul A. Tittel

发明人： Bron R. Frias ,  Nathan Bluzer ,  Paul A. Tittel

IPC分类号： H04N3/14 ,  H04N5/335 ,  H01L27/148

CPC分类号： H04N5/37206 ,  H04N5/359

摘要： A charge coupled device imager, which can operate in time delay and integration mode, can be adapted to include variable columns having one or more blocking gates or other barriers that can be independently controlled and used to divide a used portion from an unused portion. The blocking gates may require less power to electrically insulate used from the unused sections. In this regard, an imager's charge handling capacity and dynamic range can be improved, while lowering CCD operating power requirements. Blooming drains can also be included to enhance the functionality of the imager and enable bidirectional imaging capability.

摘要翻译： 可以在时间延迟和积分模式下操作的电荷耦合器件成像器可以适于包括具有一个或多个阻挡栅极的可变列或可独立控制并用于将使用的部分与未使用部分分开的其它屏障。 阻塞门可能需要更少的功率来使用与未使用的部分电绝缘。 在这方面，可以提高成像器的电荷处理能力和动态范围，同时降低CCD的工作功率要求。 还可以包括盛开的排水管，以增强成像仪的功能，并实现双向成像功能。

公开(公告)号：US20110234877A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US12730076

申请日：2010-03-23

申请人： Bron R. Frias ,  Nathan Bluzer ,  Paul A. Tittel

发明人： Bron R. Frias ,  Nathan Bluzer ,  Paul A. Tittel

IPC分类号： H04N5/335

CPC分类号： H04N5/37206 ,  H04N5/359

摘要： A charge coupled device imager, which can operate in time delay and integration mode, can be adapted to include variable columns having one or more blocking gates or other barriers that can be independently controlled and used to divide a used portion from an unused portion. The blocking gates may require less power to electrically insulate used from the unused sections. In this regard, an imager's charge handling capacity and dynamic range can be improved, while lowering CCD operating power requirements. Blooming drains can also be included to enhance the functionality of the imager and enable bidirectional imaging capability.

摘要翻译： 可以在时间延迟和积分模式下操作的电荷耦合器件成像器可以适于包括具有一个或多个阻挡栅极的可变列或可独立控制并用于将使用部分与未使用部分分开的其它屏障。 阻塞门可能需要更少的功率来使用与未使用的部分电绝缘。 在这方面，可以提高成像器的电荷处理能力和动态范围，同时降低CCD的工作功率要求。 还可以包括盛开的排水管，以增强成像仪的功能，并实现双向成像功能。

公开(公告)号：US08780418B1

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13838054

申请日：2013-03-15

申请人： Nathan Bluzer ,  Bron R. Frias ,  Paul A. Tittel

发明人： Nathan Bluzer ,  Bron R. Frias ,  Paul A. Tittel

IPC分类号： H04N1/04 ,  H04N1/60 ,  H04N1/024 ,  G01D18/00 ,  G06K9/20 ,  H04N5/217 ,  G01C19/00

CPC分类号： H04N5/378 ,  G01C11/025 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/2353 ,  H04N5/353 ,  H04N5/372

摘要： A scanning focal plane sensor and method are described for image capturing of object space (or scenes). In one example, a focal plane sensor for a scanning imaging system is provided. The focal plane sensor for a scanning imaging system includes M×N Time Delay Integration (TDI) imaging Charge Coupled Device (CCD), where M is a number of TDI columns and N is a number of TDI stages per each column. A detector is connected to each TDI stage. The focal plane sensor includes an imaging controller configured to mechanize sampling the brightness value of each sensor pixel's initial footprint in object space and select a number of charge integrating TDI stages for substantially equalizing the inter sensor pixels' signal to noise ratios.

摘要翻译： 描述了用于对象空间（或场景）的图像捕获的扫描焦平面传感器和方法。 在一个示例中，提供了用于扫描成像系统的焦平面传感器。 用于扫描成像系统的焦平面传感器包括M×N时间延迟积分（TDI）成像电荷耦合器件（CCD），其中M是多个TDI列，N是每列的TDI级数。 检测器连接到每个TDI级。 焦平面传感器包括成像控制器，其被配置为机械化对对象空间中的每个传感器像素的初始占地面积的亮度值进行采样，并选择多个电荷积分TDI级，以基本上均衡传感器像素的信噪比。

公开(公告)号：US08345134B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12759472

申请日：2010-04-13

申请人： Joseph T. Smith ,  Bron R. Frias ,  Paul A. Tittel ,  Robert R. Shiskowski ,  Nathan Bluzer

发明人： Joseph T. Smith ,  Bron R. Frias ,  Paul A. Tittel ,  Robert R. Shiskowski ,  Nathan Bluzer

IPC分类号： H04N5/335 ,  H01L27/148 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/76891 ,  H01L21/3003

摘要： An Indium Tin Oxide (ITO) gate charge coupled device (CCD) is provided. The CCD device comprises a CCD structure having a substrate layer, an oxide layer over the substrate layer, a nitride layer over the oxide layer and a plurality of parallel ITO gates extending over the nitride layer. The CCD device further comprises a plurality of substantially similarly sized channel stop regions in the substrate layer that extend transversely relative to the ITO gates, such that a given pair of channel stop regions defining a pixel column of the CCD structure. The CCD device also comprises a plurality of vent openings that extend through the nitride layer along the plurality of substantially similarly sized channel stop regions to allow for penetration of hydrogen to at least one of the oxide layer and the substrate layer.

摘要翻译： 提供氧化铟锡（ITO）栅极电荷耦合器件（CCD）。 CCD器件包括具有衬底层，衬底层上的氧化物层，氧化物层上的氮化物层和在氮化物层上延伸的多个平行ITO栅极的CCD结构。 CCD器件还包括在衬底层中相对于ITO栅极横向延伸的多个基本相似尺寸的通道阻挡区域，使得限定CCD结构的像素列的给定的一对通道阻挡区域。 CCD装置还包括多个通气孔，其沿着多个基本类似尺寸的通道停止区域延伸穿过氮化物层，以允许氢气渗透到氧化物层和衬底层中的至少一个。