公开(公告)号：US20080121888A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11777657

申请日：2007-07-13

申请人： Byoung Deog CHOI ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

发明人： Byoung Deog CHOI ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/785

摘要： A nonvolatile memory cell is capable of reducing an excessive current leakage due to a rough surface of a polysilicon and of performing even at a low temperature process by forming the first oxide film including a silicon oxynitride (SiOxNy) layer using nitrous oxide plasma and by forming a plurality of silicon nanocrystals in a nitride film by implanting a silicon nanocrystal on the nitride film by an ion implantation method, and a fabricating method thereof and a memory apparatus including the nonvolatile memory cell.

摘要翻译： 非易失性存储单元能够通过使用一氧化二氮等离子体形成包含氧氮化硅（SiO x N y）层的第一氧化物膜，并且通过形成多晶硅的粗糙表面而能够减少由于多晶硅的粗糙表面而导致的过大的电流泄漏，甚至在低温工艺 通过离子注入法在氮化物膜上注入硅纳米晶体的氮化物膜中的多个硅纳米晶体及其制造方法和包括非易失性存储单元的存储装置。

公开(公告)号：US07719047B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11777637

申请日：2007-07-13

申请人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

发明人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513

摘要： A non-volatile memory device is capable of reducing an excessive leakage current due to a rough surface of a polysilicon and of realizing improved blocking function by forming the first oxide film including a silicon oxy-nitride (SiOxNy) layer using nitrous oxide (N2O) plasma, and by forming silicon-rich silicon nitride film, and a fabricating method thereof and a memory apparatus including the non-volatile memory device. Further, the non-volatile memory device can be fabricated on the glass substrate without using a high temperature process.

摘要翻译： 非易失性存储器件能够通过使用一氧化二氮（N 2 O）形成包括氮氧化硅（SiO x N y）层的第一氧化物膜，从而减少由于多晶硅的粗糙表面引起的过大的漏电流，并且实现改进的阻挡功能， 等离子体，并且通过形成富硅的氮化硅膜及其制造方法和包括非易失性存储器件的存储装置。 此外，可以在不使用高温处理的情况下在玻璃基板上制造非易失性存储器件。

公开(公告)号：US07550823B2

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：US11777657

申请日：2007-07-13

申请人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

发明人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/785

摘要： A nonvolatile memory cell is capable of reducing an excessive current leakage due to a rough surface of a polysilicon and of performing even at a low temperature process by forming the first oxide film including a silicon oxynitride (SiOxNy) layer using nitrous oxide plasma and by forming a plurality of silicon nanocrystals in a nitride film by implanting a silicon nanocrystal on the nitride film by an ion implantation method, and a fabricating method thereof and a memory apparatus including the nonvolatile memory cell.

摘要翻译： 非易失性存储单元能够通过使用一氧化二氮等离子体形成包含氧氮化硅（SiO x N y）层的第一氧化物膜，并且通过形成多晶硅的粗糙表面而能够减少由于多晶硅的粗糙表面而导致的过大的电流泄漏，甚至在低温工艺 通过离子注入法在氮化物膜上注入硅纳米晶体的氮化物膜中的多个硅纳米晶体及其制造方法和包括非易失性存储单元的存储装置。

公开(公告)号：US20080121887A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11777637

申请日：2007-07-13

申请人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

发明人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513

摘要： A non-volatile memory device is capable of reducing an excessive leakage current due to a rough surface of a polysilicon and of realizing improved blocking function by forming the first oxide film including a silicon oxy-nitride (SiOxNy) layer using nitrous oxide (N2O) plasma, and by forming silicon-rich silicon nitride film, and a fabricating method thereof and a memory apparatus including the non-volatile memory device. Further, the non-volatile memory device can be fabricated on the glass substrate without using a high temperature process.

摘要翻译： 非易失性存储器件能够减少由多晶硅的粗糙表面引起的过大的漏电流，并且通过形成包括氮氧化硅（SiO 2）的第一氧化物膜，实现改进的阻挡功能， 使用一氧化二氮（N 2 O 3）等离子体，并且通过形成富硅的氮化硅膜，以及其制造方法和包括非氧化氮（N 2 O 3） 易失存储器件。 此外，可以在不使用高温处理的情况下在玻璃基板上制造非易失性存储器件。