公开(公告)号：US20080121888A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11777657

申请日：2007-07-13

申请人： Byoung Deog CHOI ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

发明人： Byoung Deog CHOI ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/785

摘要： A nonvolatile memory cell is capable of reducing an excessive current leakage due to a rough surface of a polysilicon and of performing even at a low temperature process by forming the first oxide film including a silicon oxynitride (SiOxNy) layer using nitrous oxide plasma and by forming a plurality of silicon nanocrystals in a nitride film by implanting a silicon nanocrystal on the nitride film by an ion implantation method, and a fabricating method thereof and a memory apparatus including the nonvolatile memory cell.

摘要翻译： 非易失性存储单元能够通过使用一氧化二氮等离子体形成包含氧氮化硅（SiO x N y）层的第一氧化物膜，并且通过形成多晶硅的粗糙表面而能够减少由于多晶硅的粗糙表面而导致的过大的电流泄漏，甚至在低温工艺 通过离子注入法在氮化物膜上注入硅纳米晶体的氮化物膜中的多个硅纳米晶体及其制造方法和包括非易失性存储单元的存储装置。

公开(公告)号：US07550823B2

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：US11777657

申请日：2007-07-13

申请人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

发明人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/785

摘要： A nonvolatile memory cell is capable of reducing an excessive current leakage due to a rough surface of a polysilicon and of performing even at a low temperature process by forming the first oxide film including a silicon oxynitride (SiOxNy) layer using nitrous oxide plasma and by forming a plurality of silicon nanocrystals in a nitride film by implanting a silicon nanocrystal on the nitride film by an ion implantation method, and a fabricating method thereof and a memory apparatus including the nonvolatile memory cell.

摘要翻译： 非易失性存储单元能够通过使用一氧化二氮等离子体形成包含氧氮化硅（SiO x N y）层的第一氧化物膜，并且通过形成多晶硅的粗糙表面而能够减少由于多晶硅的粗糙表面而导致的过大的电流泄漏，甚至在低温工艺 通过离子注入法在氮化物膜上注入硅纳米晶体的氮化物膜中的多个硅纳米晶体及其制造方法和包括非易失性存储单元的存储装置。

公开(公告)号：US20080121887A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11777637

申请日：2007-07-13

申请人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

发明人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513

摘要： A non-volatile memory device is capable of reducing an excessive leakage current due to a rough surface of a polysilicon and of realizing improved blocking function by forming the first oxide film including a silicon oxy-nitride (SiOxNy) layer using nitrous oxide (N2O) plasma, and by forming silicon-rich silicon nitride film, and a fabricating method thereof and a memory apparatus including the non-volatile memory device. Further, the non-volatile memory device can be fabricated on the glass substrate without using a high temperature process.

摘要翻译： 非易失性存储器件能够减少由多晶硅的粗糙表面引起的过大的漏电流，并且通过形成包括氮氧化硅（SiO 2）的第一氧化物膜，实现改进的阻挡功能， 使用一氧化二氮（N 2 O 3）等离子体，并且通过形成富硅的氮化硅膜，以及其制造方法和包括非氧化氮（N 2 O 3） 易失存储器件。 此外，可以在不使用高温处理的情况下在玻璃基板上制造非易失性存储器件。

公开(公告)号：US07719047B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11777637

申请日：2007-07-13

申请人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

发明人： Byoung Deog Choi ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Sung Hyung Hwang

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513

摘要： A non-volatile memory device is capable of reducing an excessive leakage current due to a rough surface of a polysilicon and of realizing improved blocking function by forming the first oxide film including a silicon oxy-nitride (SiOxNy) layer using nitrous oxide (N2O) plasma, and by forming silicon-rich silicon nitride film, and a fabricating method thereof and a memory apparatus including the non-volatile memory device. Further, the non-volatile memory device can be fabricated on the glass substrate without using a high temperature process.

摘要翻译： 非易失性存储器件能够通过使用一氧化二氮（N 2 O）形成包括氮氧化硅（SiO x N y）层的第一氧化物膜，从而减少由于多晶硅的粗糙表面引起的过大的漏电流，并且实现改进的阻挡功能， 等离子体，并且通过形成富硅的氮化硅膜及其制造方法和包括非易失性存储器件的存储装置。 此外，可以在不使用高温处理的情况下在玻璃基板上制造非易失性存储器件。

公开(公告)号：US07553720B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US11604222

申请日：2006-11-27

申请人： Byoung Deog Choi ,  Ki Yong Lee ,  Ho Kyoon Chung ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Hyun Min Kim ,  Jun Sik Kim

发明人： Byoung Deog Choi ,  Ki Yong Lee ,  Ho Kyoon Chung ,  Jun Sin Yi ,  Sung Wook Jung ,  Hyun Min Kim ,  Jun Sik Kim

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513

摘要： A non-volatile memory device includes a buffer oxide film on a substrate; a polysilicon layer on the buffer oxide film; a silicon oxy-nitride (SiON) layer on the polysilicon layer, a first insulator layer on the SiON layer, a nitride film on the first insulator, a second insulator layer on the nitride film, an electrode on the second insulator, and a source/drain in the polysilicon layer.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括在衬底上的缓冲氧化膜; 缓冲氧化膜上的多晶硅层; 所述多晶硅层上的硅氮化物（SiON）层，所述SiON层上的第一绝缘体层，所述第一绝缘体上的氮化物膜，所述氮化物膜上的第二绝缘体层，所述第二绝缘体上的电极和源极 /漏极在多晶硅层。

公开(公告)号：US20110155204A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12700135

申请日：2010-02-04

申请人： Jun Sin Yi ,  Jin Joo Park ,  Young Kuk Kim

发明人： Jun Sin Yi ,  Jin Joo Park ,  Young Kuk Kim

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

摘要： Disclosed herein is a wire type thin film solar cell, including: a metal wire which is made of any one selected from the group consisting of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), molybdenum (Mo) and tungsten (W); an N-type layer which is deposited on a circumference of the metal wire and conducts electrons generated from the metal wire; a P-type layer which is deposited on the N-type layer and emits electrons excited by solar light; and a transparent electrode layer which is deposited on the P-type layer. The wire type thin film solar cell can exhibit high photoelectric conversion efficiency compared to conventional flat-plate type thin film solar cells and can be easily manufactured into a highly-dense solar cell module.

摘要翻译： 本发明公开了一种线型薄膜太阳能电池，其包括：金属线，其由选自铝（Al），钛（Ti），铬（Cr），钼（Mo）和钨（ W）; N型层，其沉积在金属线的圆周上并传导从金属线产生的电子; P型层，其沉积在N型层上并发射由太阳光激发的电子; 以及沉积在P型层上的透明电极层。 与常规的平板型薄膜太阳能电池相比，线型薄膜太阳能电池可以表现出高的光电转换效率，并且可以容易地制造成高密度太阳能电池模块。