公开(公告)号：US09219166B2

公开(公告)日：2015-12-22

申请号：US14138294

申请日：2013-12-23

申请人： CORNELL UNIVERSITY ,  NANO-C, INC.

发明人： Edwin C. Kan ,  Qianying Xu ,  Ramesh Sivarajan ,  Henning Richter ,  Viktor Vejins

IPC分类号： G11C11/34 ,  H01L29/788 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  G11C16/10 ,  G11C16/04

CPC分类号： H01L29/7883 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513

摘要： Embodiments of tunneling barriers and methods for same can embed molecules exhibiting a monodispersion characteristic into a dielectric layer (e.g., between first and second layers forming a dielectric layer). In one embodiment, by embedding C60 molecules inbetween first and second insulating layers forming a dielectric layer, a field sensitive tunneling barrier can be implemented. In one embodiment, the tunneling barrier can be between a floating gate and a channel in a semiconductor structure. In one embodiment, a tunneling film can be used in nonvolatile memory applications where C60 provides accessible energy levels to prompt resonant tunneling through the dielectric layer upon voltage application. Embodiments also contemplate engineered fullerene molecules incorporated within the context of at least one of a tunneling dielectric and a floating gate within a nonvolatile flash memory structure.

摘要翻译： 隧道势垒的实施例及其方法可以将表现出单分散特性的分子嵌入电介质层（例如，形成介电层的第一和第二层之间）。 在一个实施例中，通过将C60分子嵌入形成电介质层的第一和第二绝缘层之间，可以实现场敏感隧道势垒。 在一个实施例中，隧道势垒可以在浮动栅极和半导体结构中的沟道之间。 在一个实施例中，可以在非易失性存储器应用中使用隧穿膜，其中C60提供可接近的能级，以在施加电压时提供谐振隧道穿过电介质层。 实施例还考虑了在非易失性闪速存储器结构内的隧道电介质和浮栅中的至少一个的上下文中并入的工程化富勒烯分子。

公开(公告)号：US20140169104A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：US14138294

申请日：2013-12-23

申请人： NANO-C, INC. ,  CORNELL UNIVERSITY

发明人： Edwin C. Kan ,  Qianying Xu ,  Ramesh Sivarajan ,  Henning Richter ,  Viktor Vejins

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  G11C16/10 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7883 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513

摘要： Embodiments of tunneling barriers and methods for same can embed molecules exhibiting a monodispersion characteristic into a dielectric layer (e.g., between first and second layers forming a dielectric layer). In one embodiment, by embedding C60 molecules inbetween first and second insulating layers forming a dielectric layer, a field sensitive tunneling barrier can be implemented. In one embodiment, the tunneling barrier can be between a floating gate and a channel in a semiconductor structure. In one embodiment, a tunneling film can be used in nonvolatile memory applications where C60 provides accessible energy levels to prompt resonant tunneling through the dielectric layer upon voltage application. Embodiments also contemplate engineered fullerene molecules incorporated within the context of at least one of a tunneling dielectric and a floating gate within a nonvolatile flash memory structure.

摘要翻译： 隧道势垒的实施例及其方法可以将表现出单分散特性的分子嵌入电介质层（例如，形成介电层的第一和第二层之间）。 在一个实施例中，通过将C60分子嵌入形成电介质层的第一和第二绝缘层之间，可以实现场敏感隧道势垒。 在一个实施例中，隧道势垒可以在浮动栅极和半导体结构中的沟道之间。 在一个实施例中，可以在非易失性存储器应用中使用隧穿膜，其中C60提供可接近的能级，以在施加电压时提供谐振隧道穿过电介质层。 实施例还考虑了在非易失性闪存结构内的隧道电介质和浮栅中的至少一个的上下文中并入的工程化富勒烯分子。