公开(公告)号：US20030228762A1

公开(公告)日：2003-12-11

申请号：US10165100

申请日：2002-06-07

申请人： Cabot Microelectronics Corporation

发明人： Kevin J. Moeggenborg ,  Homer Chou ,  Joseph D. Hawkins ,  Jeffrey P. Chamberlain

IPC分类号： H01L021/302 ,  H01L021/461

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/312

摘要： The invention provides a method of polishing a substrate containing a low-k dielectric layer comprising (i) contacting the substrate with a chemical-mechanical polishing system comprising (a) an abrasive, a polishing pad, or a combination thereof, (b) an amphiphilic nonionic surfactant, and (c) a liquid carrier, and (ii) abrading at least a portion of the substrate to polish the substrate.

摘要翻译： 本发明提供了一种抛光含有低k电介质层的衬底的方法，包括（i）使衬底与化学机械抛光系统接触，所述化学机械抛光系统包括（a）研磨剂，抛光垫或其组合，（b） 两亲性非离子表面活性剂，和（c）液体载体，和（ii）研磨至少一部分基材以抛光基材。

公开(公告)号：US20020125461A1

公开(公告)日：2002-09-12

申请号：US10043534

申请日：2002-01-10

申请人： Cabot Microelectronics Corporation

发明人： Homer Chou ,  Joseph D. Hawkins ,  Renjie Zhou

IPC分类号： C09K013/02

CPC分类号： H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472

摘要： The invention provides a polishing system and method for polishing or planarizing a substrate. The polishing system comprises (i) a liquid carrier, (ii) ammonium oxalate, (iii) a hydroxy coupling agent, and (iv) a polishing pad and/or an abrasive. The polishing method comprises contacting at least a portion of a substrate with the polishing system and polishing the portion of the substrate therewith.

摘要翻译： 本发明提供了用于抛光或平面化基板的抛光系统和方法。 抛光系统包括（i）液体载体，（ii）草酸铵，（iii）羟基偶联剂，和（iv）抛光垫和/或研磨剂。 抛光方法包括使基底的至少一部分与抛光系统接触，并用其抛光衬底的该部分。

公开(公告)号：US20030228763A1

公开(公告)日：2003-12-11

申请号：US10269864

申请日：2002-10-11

申请人： Cabot Microelectronics Corporation

发明人： David J. Schroeder ,  Kevin J. Moeggenborg ,  Homer Chou ,  Jeffrey P. Chamberlain ,  Joseph D. Hawkins ,  Phillip Carter

IPC分类号： H01L021/302 ,  H01L021/461

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： The invention provides methods of polishing a substrate comprising (i) contacting a substrate comprising at least one metal layer comprising copper with a chemical-mechanical polishing (CMP) system and (ii) abrading at least a portion of the metal layer comprising copper to polish the substrate. The CMP system comprises (a) an abrasive, (b) an amphiphilic nonionic surfactant, (c) a means for oxidizing the metal layer, (d) an organic acid, (e) a corrosion inhibitor, and (f) a liquid carrier. The invention further provides a two-step method of polishing a substrate comprising a first metal layer and a second, different metal layer. The first metal layer is polishing with a first CMP system comprising an abrasive and a liquid carrier, and the second metal layer is polished with a second CMP system comprising (a) an abrasive, (b) an amphiphilic nonionic surfactant, and (c) a liquid carrier.

摘要翻译： 本发明提供抛光衬底的方法，其包括（i）使包含铜的至少一个金属层与化学机械抛光（CMP）系统接触的衬底和（ii）研磨包含铜的至少一部分金属以抛光 底物。 CMP系统包括（a）研磨剂，（b）两亲性非离子表面活性剂，（c）氧化金属层的方法，（d）有机酸，（e）缓蚀剂，和（f）液体载体 。 本发明还提供一种抛光包括第一金属层和第二不同金属层的基板的两步法。 第一金属层用包括研磨剂和液体载体的第一CMP系统抛光，并且第二金属层用包括（a）研磨剂，（b）两亲性非离子表面活性剂的第二CMP系统抛光，和（c） 液体载体。