公开(公告)号：US08049304B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12422788

申请日：2009-04-13

申请人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

发明人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40

摘要： The invention includes ALD-type methods in which two or more different precursors are utilized with one or more reactants to form a material. In particular aspects, the precursors are hafnium and aluminum, the only reactant is ozone, and the material is hafnium oxide predominantly in a tetragonal crystalline phase.

摘要翻译： 本发明包括ALD型方法，其中使用两种或更多种不同的前体与一种或多种反应物形成材料。 在特定方面，前体是铪和铝，唯一的反应物是臭氧，并且该材料主要是四方晶相中的铪氧化物。

公开(公告)号：US08299462B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US13280556

申请日：2011-10-25

申请人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

发明人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40

摘要： The invention includes a dielectric mode from ALD-type methods in which two or more different precursors are utilized with one or more reactants to form the dielectric material. In particular aspects, the precursors are aluminum and hafnium and/or zirconium for materials made from a hafnium precursor, the hafnium oxide is predominantly in a tetragonal crystalline phase.

摘要翻译： 本发明包括来自ALD型方法的介电模式，其中使用两种或更多种不同的前体与一种或多种反应物形成电介质材料。 在特定方面，前体是由铪前体制成的材料的铝和铪和/或锆，氧化铪主要是四方晶相。

公开(公告)号：US20120037902A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13280556

申请日：2011-10-25

申请人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

发明人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40

摘要： The invention includes a dielectric mode from ALD-type methods in which two or more different precursors are utilized with one or more reactants to form the dielectric material. In particular aspects, the precursors are aluminum and hafnium and/or zirconium for materials made from a hafnium precursor, the hafnium oxide is predominantly in a tetragonal crystalline phase.

摘要翻译： 本发明包括来自ALD型方法的介电模式，其中使用两种或更多种不同的前体与一种或多种反应物形成电介质材料。 在特定方面，前体是由铪前体制成的材料的铝和铪和/或锆，氧化铪主要是四方晶相。

公开(公告)号：US20090195967A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12422788

申请日：2009-04-13

申请人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

发明人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

IPC分类号： H01G4/06 ,  H01L29/92

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40

摘要： The invention includes ALD-type methods in which two or more different precursors are utilized with one or more reactants to form a material. In particular aspects, the precursors are hafnium and aluminum, the only reactant is ozone, and the material is hafnium oxide predominantly in a tetragonal crystalline phase.

摘要翻译： 本发明包括ALD型方法，其中使用两种或更多种不同的前体与一种或多种反应物形成材料。 在特定方面，前体是铪和铝，唯一的反应物是臭氧，并且该材料主要是四方晶相中的铪氧化物。

公开(公告)号：US07537804B2

公开(公告)日：2009-05-26

申请号：US11413466

申请日：2006-04-28

申请人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

发明人： Cancheepuram V. Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Daniel Gealy ,  David Korn

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40

摘要： In some embodiments, the invention may include utilization of at least one iteration of an ALD pulse sequence that has the pulse subsets M2-M1-R- and M1-(R-M2-)x: where x is at least 2; where M1 is a first metal-containing precursor comprising a first metal, M2 is a second metal-containing precursor comprising a second metal different from the first metal, and R is a reactant which reacts with one or both of the first and second metals. The ALD pulse sequence forms material over a substrate, and such material includes the first and second metals. The hyphen between pulses means that the second pulse directly follows the first pulse, with the term “directly follows” indicating that the second pulse either immediately follows the first pulse or that only a purge separates the first and second pulses.

摘要翻译： 在一些实施例中，本发明可以包括使用具有脉冲子集M2-M1-R-和M1-（R-M2-）x的ALD脉冲序列的至少一次迭代; 其中x至少为2; 其中M1是包含第一金属的第一含金属前体，M2是包含不同于第一金属的第二金属的第二含金属前体，R是与第一和第二金属中的一种或两种反应的反应物。 ALD脉冲序列在衬底上形成材料，并且这种材料包括第一和第二金属。 脉冲之间的连字符意味着第二脉冲直接跟随第一脉冲，术语“直接跟随”表示第二脉冲紧接在第一脉冲之后，或者只有清除分离第一和第二脉冲。

公开(公告)号：US20070252244A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11413466

申请日：2006-04-28

申请人： Cancheepuram Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Gealy ,  David Korn

发明人： Cancheepuram Srividya ,  Noel Rocklein ,  John Vernon ,  Jeff Nelson ,  F. Gealy ,  David Korn

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40

摘要： The invention includes ALD-type methods in which two or more different precursors are utilized with one or more reactants to form a material. In particular aspects, the precursors are hafnium and aluminum, the only reactant is ozone, and the material is hafnium oxide predominantly in a tetragonal crystalline phase.

摘要翻译： 本发明包括ALD型方法，其中使用两种或更多种不同的前体与一种或多种反应物形成材料。 在特定方面，前体是铪和铝，唯一的反应物是臭氧，并且该材料主要是四方晶相中的铪氧化物。

公开(公告)号：US20080014694A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11488587

申请日：2006-07-17

申请人： Vishwanath Bhat ,  Noel Rocklein ,  F. Daniel Gealy

发明人： Vishwanath Bhat ,  Noel Rocklein ,  F. Daniel Gealy

IPC分类号： H01L21/8244

CPC分类号： H01L28/60 ,  Y10T29/417

摘要： A method of forming a capacitor includes forming a conductive first capacitor electrode material comprising TiN over a substrate. TiN of the TiN-comprising material is oxidized effective to form conductive TiOxNy having resistivity no greater than 1 ohm·cm over the TiN-comprising material where x is greater than 0 and y is from 0 to 1.4. A capacitor dielectric is formed over the conductive TiOxNy. Conductive second capacitor electrode material is formed over the capacitor dielectric. Other aspects and implementations are contemplated, including capacitors independent of method of fabrication.

摘要翻译： 形成电容器的方法包括在衬底上形成包含TiN的导电的第一电容器电极材料。 含TiN材料的TiN被有效氧化，以形成电阻率不大于1欧姆·厘米的导电性TiO 2，其中x越大 0和y为0至1.4。 电容器电介质形成在导电TiO 2上。 在电容器电介质上形成导电的第二电容器电极材料。 考虑了其他方面和实现方式，包括独立于制造方法的电容器。

公开(公告)号：US20120098093A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13338527

申请日：2011-12-28

申请人： Vishwanath Bhat ,  Noel Rocklein ,  F. Daniel Gealy

发明人： Vishwanath Bhat ,  Noel Rocklein ,  F. Daniel Gealy

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L28/60 ,  Y10T29/417

摘要： A method of forming a capacitor includes forming a conductive first capacitor electrode material comprising TiN over a substrate. TiN of the TiN-comprising material is oxidized effective to form conductive TiOxNy having resistivity no greater than 1 ohm·cm over the TiN-comprising material where x is greater than 0 and y is from 0 to 1.4. A capacitor dielectric is formed over the conductive TiOxNy. Conductive second capacitor electrode material is formed over the capacitor dielectric. Other aspects and implementations are contemplated, including capacitors independent of method of fabrication.

摘要翻译： 形成电容器的方法包括在衬底上形成包含TiN的导电的第一电容器电极材料。 含TiN材料的TiN被有效地氧化，形成电阻率不大于1欧姆·厘米的电导率TiO x N y，其中x大于0，y为0至1.4。 在导电TiO x N y上形成电容器电介质。 在电容器电介质上形成导电的第二电容器电极材料。 考虑了其他方面和实现方式，包括独立于制造方法的电容器。

公开(公告)号：US08105896B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12480496

申请日：2009-06-08

申请人： Vishwanath Bhat ,  Noel Rocklein ,  F. Daniel Gealy

发明人： Vishwanath Bhat ,  Noel Rocklein ,  F. Daniel Gealy

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/60 ,  Y10T29/417

摘要： A method of forming a capacitor includes forming a conductive first capacitor electrode material comprising TiN over a substrate. TiN of the TiN-comprising material is oxidized effective to form conductive TiOxNy having resistivity no greater than 1 ohm·cm over the TiN-comprising material where x is greater than 0 and y is from 0 to 1.4. A capacitor dielectric is formed over the conductive TiOxNy. Conductive second capacitor electrode material is formed over the capacitor dielectric. Other aspects and implementations are contemplated, including capacitors independent of method of fabrication.

摘要翻译： 形成电容器的方法包括在衬底上形成包含TiN的导电的第一电容器电极材料。 含TiN材料的TiN被有效地氧化，形成电阻率不大于1欧姆·厘米的电导率TiO x N y，其中x大于0，y为0至1.4。 在导电TiO x N y上形成电容器电介质。 在电容器电介质上形成导电的第二电容器电极材料。 考虑了其他方面和实现方式，包括独立于制造方法的电容器。

公开(公告)号：US08497566B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US13338527

申请日：2011-12-28

申请人： Vishwanath Bhat ,  Noel Rocklein ,  F. Daniel Gealy

发明人： Vishwanath Bhat ,  Noel Rocklein ,  F. Daniel Gealy

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/60 ,  Y10T29/417

摘要： A method of forming a capacitor includes forming a conductive first capacitor electrode material comprising TiN over a substrate. TiN of the TiN-comprising material is oxidized effective to form conductive TiOxNy having resistivity no greater than 1 ohm·cm over the TiN-comprising material where x is greater than 0 and y is from 0 to 1.4. A capacitor dielectric is formed over the conductive TiOxNy. Conductive second capacitor electrode material is formed over the capacitor dielectric. Other aspects and implementations are contemplated, including capacitors independent of method of fabrication.

摘要翻译： 形成电容器的方法包括在衬底上形成包含TiN的导电的第一电容器电极材料。 含TiN材料的TiN被有效地氧化，形成电阻率不大于1欧姆·厘米的电导率TiO x N y，其中x大于0，y为0至1.4。 在导电TiO x N y上形成电容器电介质。 在电容器电介质上形成导电的第二电容器电极材料。 考虑了其他方面和实现方式，包括独立于制造方法的电容器。