公开(公告)号：US20140306296A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：US14178480

申请日：2014-02-12

申请人： Chan-Hee JEON ,  Eun-Kyoung KWON ,  Il-Ryong KIM ,  Han-Gu KIM ,  Woo-Jin SEO ,  Ki-Tae LEE

发明人： Chan-Hee JEON ,  Eun-Kyoung KWON ,  Il-Ryong KIM ,  Han-Gu KIM ,  Woo-Jin SEO ,  Ki-Tae LEE

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/266 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

摘要： In one embodiment, the semiconductor device includes at least one active fin protruding from a substrate, a first gate electrode crossing the active fin, and a first impurity region formed on the active fin at a first side of the first gate electrode. At least a portion of the first impurity region is formed in a first epitaxial layer portion on the active fin. A second impurity region is formed on the active fin at a second side of the first gate electrode. The second impurity region has at least a portion not formed in an epitaxial layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件包括从衬底突出的至少一个有源鳍片，与有源鳍片交叉的第一栅极电极和在第一栅电极的第一侧上形成在有源鳍片上的第一杂质区域。 第一杂质区的至少一部分形成在活性鳍上的第一外延层部分中。 在第一栅电极的第二侧的有源鳍片上形成第二杂质区。 第二杂质区具有至少一部分未形成在外延层中的部分。

公开(公告)号：US20140210003A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：US14082742

申请日：2013-11-18

申请人： Jae-Hyok KO ,  Han-Gu KIM ,  Min-Chang KO ,  Chang-Su KIM ,  Kyoung-Ki JEON

发明人： Jae-Hyok KO ,  Han-Gu KIM ,  Min-Chang KO ,  Chang-Su KIM ,  Kyoung-Ki JEON

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0705 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A method of manufacturing a diode is provided. An N-type well region is formed in a first upper portion of an N-type epitaxial layer. A P-type drift region is formed in a second upper portion of the N-type epitaxial layer. An N-type doping region is formed in the N-type well region. A P-type doping region is formed in the P-type drift region. An isolation structure is formed in the P-type drift region. The isolation structure is disposed between the P-type doping region and the N-type well region. A first electrode is formed on a portion of the N-type epitaxial layer. The portion of the N-type epitaxial layer is disposed between the N-type well region and the P-type drift region. The first electrode overlaps a portion of the isolation structure. A connection structure is formed to electrically couple the N-type doping region and the first electrode.

摘要翻译： 提供一种制造二极管的方法。 N型阱区形成在N型外延层的第一上部。 P型漂移区形成在N型外延层的第二上部。 在N型阱区中形成N型掺杂区。 在P型漂移区域中形成P型掺杂区域。 在P型漂移区域中形成隔离结构。 隔离结构设置在P型掺杂区域和N型阱区域之间。 第一电极形成在N型外延层的一部分上。 N型外延层的部分配置在N型阱区域和P型漂移区域之间。 第一电极与隔离结构的一部分重叠。 形成连接结构以电耦合N型掺杂区域和第一电极。