公开(公告)号：US20130146993A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13314462

申请日：2011-12-08

申请人： Che-Cheng CHANG ,  Po-chi WU ,  Buh-Kuan FANG ,  Jr-Jung LIN ,  Ryan Chia-Jen CHEN

发明人： Che-Cheng CHANG ,  Po-chi WU ,  Buh-Kuan FANG ,  Jr-Jung LIN ,  Ryan Chia-Jen CHEN

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28114 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32135 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843

摘要： The present application discloses a method of forming a semiconductor structure. In at least one embodiment, the method includes forming a polysilicon layer over a substrate. A mask layer is formed over the polysilicon layer. The mask layer is patterned to form a patterned mask layer. A polysilicon structure is formed by etching the polysilicon layer using the patterned mask layer as a mask. The polysilicon structure has an upper surface and a lower surface, and the etching of the polysilicon layer is arranged to cause a width of the upper surface of the polysilicon structure greater than that of the lower surface of the polysilicon structure.

摘要翻译： 本申请公开了一种形成半导体结构的方法。 在至少一个实施例中，该方法包括在衬底上形成多晶硅层。 在多晶硅层上形成掩模层。 图案化掩模层以形成图案化掩模层。 通过使用图案化掩模层作为掩模蚀刻多晶硅层来形成多晶硅结构。 多晶硅结构具有上表面和下表面，并且多晶硅层的蚀刻被布置成使得多晶硅结构的上表面的宽度大于多晶硅结构的下表面的宽度。

公开(公告)号：US20130252425A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13428923

申请日：2012-03-23

申请人： Chih-Han LIN ,  Ming-Ching CHANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Yih-Ann LIN ,  Jr-Jung LIN

发明人： Chih-Han LIN ,  Ming-Ching CHANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Yih-Ann LIN ,  Jr-Jung LIN

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A method includes providing a first mask pattern over a substrate, forming first spacers adjoining sidewalls of the first mask pattern, removing the first mask pattern, forming second spacers adjoining sidewalls of the first spacers, forming a filling layer over the substrate and between the second spacers, and forming a second mask pattern over the substrate.

摘要翻译： 一种方法包括在衬底上提供第一掩模图案，形成与第一掩模图案的侧壁相邻的第一间隔物，去除第一掩模图案，形成邻接第一间隔物的侧壁的第二间隔物，在衬底上形成填充层， 并且在衬底上形成第二掩模图案。