公开(公告)号：US20130252425A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13428923

申请日：2012-03-23

申请人： Chih-Han LIN ,  Ming-Ching CHANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Yih-Ann LIN ,  Jr-Jung LIN

发明人： Chih-Han LIN ,  Ming-Ching CHANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Yih-Ann LIN ,  Jr-Jung LIN

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A method includes providing a first mask pattern over a substrate, forming first spacers adjoining sidewalls of the first mask pattern, removing the first mask pattern, forming second spacers adjoining sidewalls of the first spacers, forming a filling layer over the substrate and between the second spacers, and forming a second mask pattern over the substrate.

摘要翻译： 一种方法包括在衬底上提供第一掩模图案，形成与第一掩模图案的侧壁相邻的第一间隔物，去除第一掩模图案，形成邻接第一间隔物的侧壁的第二间隔物，在衬底上形成填充层， 并且在衬底上形成第二掩模图案。

公开(公告)号：US20130203247A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13366669

申请日：2012-02-06

申请人： Tzu-Yen HSIEH ,  Ming-Ching CHANG ,  Chia-Wei CHANG ,  Chao-Cheng CHEN ,  Chun-Hung LEE ,  Dai-Lin WU

发明人： Tzu-Yen HSIEH ,  Ming-Ching CHANG ,  Chia-Wei CHANG ,  Chao-Cheng CHEN ,  Chun-Hung LEE ,  Dai-Lin WU

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/3215 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139

摘要： An embodiment of the current disclosure includes a method of providing a substrate, forming a polysilicon layer over the substrate, forming a first photoresist layer on the polysislicon layer, creating a first pattern on the first photoresistlayer, wherein some portions of the polysilicon layer are covered by the first photoresist layer and some portions of the polysilicon layer are not covered by the first photoresist layer, implanting ions into the portions of the polysilicon layer that are not covered by the first photoresist layer, removing the first photoresist layer from the polysilicon layer, forming a second photoresist layer on the polysilicon layer, creating a second pattern on the second photoresistlayer, and implanting ions into the portions of the polysilicon layer that are not covered by the second photoresist layer, removing the second photoresist layer from the polysilicon layer, and removing portions of the polysilicon layer using an etchant.

摘要翻译： 本公开的实施例包括提供衬底的方法，在衬底上形成多晶硅层，在聚苯乙烯层上形成第一光致抗蚀剂层，在第一光致抗蚀剂层上产生第一图案，其中多晶硅层的一些部分被覆盖 通过第一光致抗蚀剂层，并且多晶硅层的一些部分未被第一光致抗蚀剂层覆盖，将离子注入未被第一光致抗蚀剂层覆盖的多晶硅层的部分中，从多晶硅层去除第一光致抗蚀剂层， 在所述多晶硅层上形成第二光致抗蚀剂层，在所述第二光致抗蚀剂层上形成第二图案，以及将离子注入所述多晶硅层的未被所述第二光致抗蚀剂层覆盖的部分，从所述多晶硅层除去所述第二光致抗蚀剂层，以及 使用蚀刻剂去除多晶硅层的部分。